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华晶分立器件

3DG3137

高频放大环境额定双极型晶½管

1

概述与特点

3DG3137

硅

NPN

型超高频小功率晶½管主要用于

VHF / UHF

频段½高频小功率放大或振

荡该产品特点如下

特征频率高

反向漏电流小

饱和压降½

电流特性½

封装½式

B4(A3-02B)

8.64 9.39

2

电特性

2.1

极限值

除非另有规定

T

AMB

= 25

参数名称

符号

集电极-发射极电压

V

CE0

集电极-基极电压

V

CB0

发射极-基极电压

V

EB0

集电极电流

I

C

Ta=25

耗散功率

P

合计

结温

贮存温度

2.2

电特性

除非另有规定

T

AMB

= 25

符号

I

CB0

I

EB0

h

FE

V

CE坐

f

T

C

ob

测试条件

V

CB

= 20V我

E

=0

V

EB

= 3V I

C

=0

V

CE

=5V

I

C

=50mA

规范值

最小典型最大

10

10

50

150

0.5

500

4

V

兆赫

pF

单½

μA

μA

T

j

T

英镑

45

额定值

20

40

4

150

0.6

175

-55 175

单½

V

V

V

mA

W

8.01

8.50

6.60

E

B

C

参数名称

集电极-基极截止电流

发射极-基极截止电流

共发射极正向电流传输比

的静态值

集电极-发射极饱和电压

特征频率

输出电容

I

C

= 50毫安我

B

=5mA

V

CE

= 5V I

C

=50mA

f=100MHz

I

E

=0

V

CB

=10V

f=1MHz

无锡华晶微电子股½有限公司

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页

12.5

25.0

6.10

华晶分立器件

3DG3137

3

特性曲线

安全工½区(直流)

P

合计

- T

关系曲线

I

C

(A)

T

例

=25

P

合计

（ mW）的

T

AMB

=25

0.1

600

400

200

0.01

0.001

0.1

1

10

V

CE

(V)

0

0

50

100

T

( )

h

FE

h

FE

- I

C

关系曲线

T

AMB

=25

V

CE

=5V

V

CESAT

(V)

V

CESAT

- I

C

关系曲线

T

AMB

=25

h

FE

=10

1

100

0.1

10

0.001

0.01

0.1

I

C

(A)

0.01

0.01

0.1

I

C

(A)

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