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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

3DD7D

描述

·带

TO- 3封装

高

功耗

应用

“权力

扩音器

·低速

开关

“权力

调节器

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

·

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=75℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

250

200

5

7.5

75

-55~175

-55~175

单位

V

V

V

A

W

℃

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

1.33

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CE （ SAT ）

I

首席执行官

h

FE

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 3毫安;我

B

=0

I

C

= 3毫安;我

E

=0

I

E

= 2毫安;我

C

=0

I

C

= 3.75A ，我

B

=0.38 A

V

CE

= 30V ;我

B

=0

I

C

= 3.75A ; V

CE

=10V

15

民

200

250

5

典型值。

3DD7D

最大

单位

V

V

V

1.2

1.0

180

V

mA

h

FE

分类

红

15-25

橙

25-40

黄

40-55

绿

55-80

蓝

80-120

紫

120-180

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

3DD7D

图2外形尺寸（ unindicated公差：

±0.10mm)

3

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