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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
3DD303C
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 100V （最小值）
-collector极 - 发射极
饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= 1.5V （最大） @I
C
= 3A
应用
·设计
对于B / W电视垂直输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
250
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
100
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=75℃
结温
3
A
P
C
30
W
℃
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
热特性
符号
R
th
J-
参数
热阻，结到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
3DD303C
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
= 0
B
100
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
6
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
E
= 0
250
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.3A
B
1.5
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.3A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 50V ;我
E
= 0
0.5
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
= 5V
30
120
h
FE
分类
黄
30-80
绿色
60-120
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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3003-05A
302-03A-1002-0010
315AE
36DX242G050AA2A
30CPF02
3266Y-1-500RLF
354010-GY
312.062
39-26-3050
3252
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    3DD303C
    -
    -
    -
    -
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深圳市芯泽盛世科技有限公司
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深圳市煦洪科技有限公司
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