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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
3DD15D
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
B / W水平的电视输出
功率放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=75℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
300
200
5
5
50
-55~175
-55~175
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
2.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.25A
V
CE
= 50V ;我
B
=0
V
CB
= 150V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
30
民
200
300
5
典型值。
3DD15D
最大
单位
V
V
V
1.5
1.0
0.5
0.5
250
V
mA
mA
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
3DD15D
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.10mm)
3
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3020RS12
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3020RS15
37LV36-IL
316UYUGW/S879
3961200044
39-30-0140
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    3DD15D
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    -
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