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中国广东省东莞市H芳族
ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
TO- 92塑封装晶体管
www.harom.cn
3DD13002B
特点
晶体管（ NPN
）
TO-92
·
电源开关应用
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
600
400
6
0.8
0.9
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
1.EMITTER
2.收集
3. BASE
1 2 3
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
集电极截止电流
I
首席执行官
发射极截止电流
I
EBO
h
FE1
Dc
当前
收益
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
f
t
s
V
CE
= 10 V，I
C
=0.25mA
I
C
=的200mA，我
B
=40mA
I
C
=的200mA，我
B
=40mA
V
CE
= 10V ，我
C
=100mA
F = 1MHz的
I
C
=1A,
I
B1
=-I
B2
=0.2A
5
0.5
2.5
5
0.5
1.1
V
V
兆赫
s
s
V
CB
= 405V ，我
E
=0
V
EB
= 6 V，I
C
=0
V
CE
= 10 V，I
C
=200mA
9
100
100
40
A
A
TEST
条件
民
600
400
6
100
典型值
最大
单位
V
V
V
A
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 610V ，我
E
=0
V
CC
=100V
分类h及
FE1
范围
9-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
典型特征
3DD13002B
MACROBIZES
有限公司
TO- 251塑封装晶体管
3DD13002
特点
功耗
P
厘米：
晶体管（ NPN ）
TO-251
1.25
W（环境温度Tamb = 25℃）
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极电流
I
厘米：
1 A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
600 V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
t
f
t
s
1
2
3
除非另有规定编）
TEST
条件
民
600
400
6
100
100
9
5
0.8
1.1
5
0.5
2.5
V
V
兆赫
s
s
40
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
IC = 100
A，I
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100
A，I
C
=0
V
CB
= 600V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
= 200毫安
V
CE
= 10V ，我
C
=250 A
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
V
CE
= 10V ， IC =百毫安
F = 1MHz的
I
C
= 1A ，我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
=100V
分类h及
FE(2)
秩
范围
9-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
MACROBIZES
有限公司
TO- 251塑封装晶体管
3DD13002
特点
功耗
P
厘米：
晶体管（ NPN ）
TO-251
1.25
W（环境温度Tamb = 25℃）
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极电流
I
厘米：
1 A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
600 V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
t
f
t
s
1
2
3
除非另有规定编）
TEST
条件
民
600
400
6
100
100
9
5
0.8
1.1
5
0.5
2.5
V
V
兆赫
s
s
40
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
IC = 100
A，I
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100
A，I
C
=0
V
CB
= 600V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
= 200毫安
V
CE
= 10V ，我
C
=250 A
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
V
CE
= 10V ， IC =百毫安
F = 1MHz的
I
C
= 1A ，我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
=100V
分类h及
FE(2)
秩
范围
9-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
MACROBIZES
有限公司
TO- 251塑封装晶体管
3DD13002
特点
功耗
P
厘米：
晶体管（ NPN ）
TO-251
1.25
W（环境温度Tamb = 25℃）
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极电流
I
厘米：
1 A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
600 V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
t
f
t
s
1
2
3
除非另有规定编）
TEST
条件
民
600
400
6
100
100
9
5
0.8
1.1
5
0.5
2.5
V
V
兆赫
s
s
40
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
IC = 100
A，I
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100
A，I
C
=0
V
CB
= 600V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
= 200毫安
V
CE
= 10V ，我
C
=250 A
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
V
CE
= 10V ， IC =百毫安
F = 1MHz的
I
C
= 1A ，我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
=100V
分类h及
FE(2)
秩
范围
9-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
TRANSYS
电子
L I M I T E
TO- 251塑料封装晶体管
3DD13002
特点
功耗
P
厘米：
晶体管（ NPN ）
TO-251
1.25
W（环境温度Tamb = 25℃）
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极电流
I
厘米：
1 A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
600 V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
t
f
t
s
1
2
3
除非另有规定编）
TEST
条件
民
600
400
6
100
100
9
5
0.8
1.1
5
0.5
2.5
V
V
兆赫
s
s
40
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
IC = 100
A，I
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100
A，I
C
=0
V
CB
= 600V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
= 200毫安
V
CE
= 10V ，我
C
=250 A
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
V
CE
= 10V ， IC =百毫安
F = 1MHz的
I
C
= 1A ，我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
=100V
分类h及
FE(2)
秩
范围
9-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
江苏长电科技股份有限公司
TO- 251塑封装晶体管
3DD13002
晶体管（ NPN
）
TO—251
特点
功耗
P
CM
:
1.25
W（Tamb=25℃）
集电极电流
I
CM
:
1
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: 600
V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
（
1
）
直流电流增益
h
FE
（
2
）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
t
f
t
s
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
　　　　
1
2
3
除非
TEST
否则
特定网络版）
典型值
最大
单位
V
V
V
100
100
9
5
0.8
1.1
5
0.5
2.5
V
V
兆赫
s
s
40
A
A
条件
民
600
400
6
IC = 100
μ
A，I
E
=0
IC = 1
毫安，
I
B
=0
I
E
= 100
μ
A，I
C
=0
V
CB
= 600
V
EB
= 6
V，I
E
=0
V，I
C
=0
V
CE
= 10 V，I
C
= 200 mm的
V
CE
= 10 V，I
C
=250 A
I
C
= 200米A，I
B
= 40μm的
I
C
=的200mA，我
B
= 40μm的
V
CE
=10V,
F = 1MHz的
I
C
=1A,
I
1
=-I
B2
=0.2A
B
Ic=100mA
V
CC
=100V
分类h及
FE
(2)
秩
范围
9-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
TO- 251封装外形尺寸
D
D1
C1
A
B
b1
b
L
e
e1
E
A1
C
符号
A
A1
B
b
b1
c
c1
D
D1
E
e
e1
L
单位：毫米
民
2.200
1.020
1.350
0.500
0.700
0.430
0.430
6.350
5.200
5.400
2.300TYP
4.500
7.500
4.700
7.900
最大
2.400
1.270
1.650
0.700
0.900
0.580
0.580
6.650
5.400
5.700
民
尺寸以英寸
最大
0.094
0.050
0.065
0.028
0.035
0.023
0.023
0.262
0.213
0.224
0.091TYP
0.177
0.295
0.185
0.311
0.087
0.040
0.053
0.020
0.028
0.017
0.017
0.250
0.205
0.213
江苏长电科技股份有限公司
TO- 126塑封装晶体管
3DD13002
晶体管（ NPN
）
TO—126
特点
功耗
P
CM
:
1.25
W（Tamb=25℃）
集电极电流
I
CM
:
1
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: 600
V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
（
1
）
直流电流增益
h
FE
（
2
）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
t
f
t
s
V
CE
= 10 V，I
C
= 200 mm的
I
C
= 200米A，I
B
= 40μm的
I
C
=的200mA，我
B
= 40μm的
V
CE
=10V,
F = 1MHz的
I
C
=1A,
Ic=100mA
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
123
除非
TEST
否则
特定网络版）
典型值
最大
单位
V
V
V
100
100
5
9
40
0.8
1.1
5
0.5
2.5
V
V
兆赫
s
s
A
A
条件
民
600
400
6
IC = 100
μ
A，I
E
=0
IC = 1
毫安，
I
B
=0
I
E
= 100
μ
A，I
C
=0
V
CB
= 600
V
EB
= 6
V，I
E
=0
V，I
C
=0
V
CE
= 10 V，I
C
= 250 A
I
1
=-I
B2
=0.2A
B
V
CC
=100V
分类h及
FE(2)
秩
范围
9-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
TO- 126封装外形尺寸
D
A1
A
E
b1
L
e
e1
L1
b
C
单位：毫米
民
2.500
1.100
0.660
1.170
0.450
7.400
10.600
2.290TYP
4.480
15.300
2.100
3.900
3.000
4.680
15.700
2.300
4.100
3.200
0.176
0.602
0.083
0.154
0.118
最大
2.900
1.500
0.860
1.370
0.600
7.800
11.000
民
0.098
0.043
0.026
0.046
0.018
0.291
0.417
0.090TYP
0.184
0.618
0.091
0.161
0.126
P
φ
符号
A
A1
b
b1
c
D
E
e
e1
L
L1
P
φ
尺寸以英寸
最大
0.114
0.059
0.034
0.054
0.024
0.307
0.433
江苏长电科技股份有限公司
TO- 92塑封装晶体管
3DD13002 / 3DD13002B
特征
功耗
P
厘米：
集电极电流
I
厘米：
900
晶体管（ NPN ）
TO-92
1.发射器
毫瓦（环境温度Tamb = 25℃）
2.收集
3. BASE
3DD13002:
1 A
3DD13002B ： 0.8 A
集电极 - 基极电压
600 V
V
（ BR ） CBO ：
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
1 2 3
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
t
f
t
s
除非另有规定编）
TEST
条件
民
600
400
6
100
100
9
6
0.5
1.1
5
0.5
2.5
V
V
兆赫
s
s
40
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
Ic=100
A，I
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100
A，I
C
=0
V
CB
= 600V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
= 200毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
V
CE
= 10V ， IC =百毫安
F = 1MHz的
I
C
= 1A ，我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
=100V
分类h及
FE(1)
范围
9-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
MACROBIZES
有限公司
TO- 251塑封装晶体管
3DD13002
特点
功耗
P
厘米：
晶体管（ NPN ）
TO-251
1.25
W（环境温度Tamb = 25℃）
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极电流
I
厘米：
1 A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
600 V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
t
f
t
s
1
2
3
除非另有规定编）
TEST
条件
民
600
400
6
100
100
9
5
0.8
1.1
5
0.5
2.5
V
V
兆赫
s
s
40
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
IC = 100
A，I
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100
A，I
C
=0
V
CB
= 600V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
= 200毫安
V
CE
= 10V ，我
C
=250 A
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 40毫安
V
CE
= 10V ， IC =百毫安
F = 1MHz的
I
C
= 1A ，我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
=100V
分类h及
FE(2)
秩
范围
9-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
江苏长电科技股份有限公司
TO- 251塑封装晶体管
3DD13002
晶体管（ NPN
）
TO—251
特点
功耗
P
CM
:
1.25
W（Tamb=25℃）
集电极电流
I
CM
:
1
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: 600
V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
（
1
）
直流电流增益
h
FE
（
2
）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
下降时间
贮存时间
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
t
f
t
s
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
　　　　
1
2
3
除非
TEST
否则
特定网络版）
典型值
最大
单位
V
V
V
100
100
9
5
0.8
1.1
5
0.5
2.5
V
V
兆赫
s
s
40
A
A
条件
民
600
400
6
IC = 100
μ
A，I
E
=0
IC = 1
毫安，
I
B
=0
I
E
= 100
μ
A，I
C
=0
V
CB
= 600
V
EB
= 6
V，I
E
=0
V，I
C
=0
V
CE
= 10 V，I
C
= 200 mm的
V
CE
= 10 V，I
C
=250 A
I
C
= 200米A，I
B
= 40μm的
I
C
=的200mA，我
B
= 40μm的
V
CE
=10V,
F = 1MHz的
I
C
=1A,
I
1
=-I
B2
=0.2A
B
Ic=100mA
V
CC
=100V
分类h及
FE
(2)
秩
范围
9-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
TO- 251封装外形尺寸
D
D1
C1
A
B
b1
b
L
e
e1
E
A1
C
符号
A
A1
B
b
b1
c
c1
D
D1
E
e
e1
L
单位：毫米
民
2.200
1.020
1.350
0.500
0.700
0.430
0.430
6.350
5.200
5.400
2.300TYP
4.500
7.500
4.700
7.900
最大
2.400
1.270
1.650
0.700
0.900
0.580
0.580
6.650
5.400
5.700
民
尺寸以英寸
最大
0.094
0.050
0.065
0.028
0.035
0.023
0.023
0.262
0.213
0.224
0.091TYP
0.177
0.295
0.185
0.311
0.087
0.040
0.053
0.020
0.028
0.017
0.017
0.250
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33472-0649
32602.8
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39-53-2135
3333DN103K10
3056
305S48WFR
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