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3D7701
整体式门控
延迟线振荡器
(系列3D7701 )
特点
全硅,低功耗CMOS技术
TTL / CMOS兼容输入和输出
气相,红外,波焊
自动插入( DIP PKG )。
频率范围:
通过100MHz的0.3MHz
频率容限:
0.5 %的典型
温度稳定性:
±1.5%
典型的( -40℃至85℃ )
VDD稳定:
±0.5%
典型( 4.75V至5.25V )
14引脚DIP可作为直接替代的
混合延迟线振荡器( DLO31F )
O1
NC
NC
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
套餐
VDD
NC
O2
EN
O1
NC
NC
NC
NC
NC
GND
3D7701-xx
3D7701K-xx
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VDD
NC
NC
NC
O2
NC
EN
3D7701Z -XX SOIC- 8
DIP-14
NC引脚去掉
对于机械尺寸,单击
这里
.
对于包装标识的详细信息,请单击
这里
.
功能说明
引脚说明
该3D7701延迟线振荡器产品系列包括固定的
EN
振荡器使能
高频CMOS集成电路振荡器。每个包中包含
O1
振荡器输出1
单个振荡器,它被选通,因此可以被同步到一个
O2
振荡器输出2
外部信号。通过设备的频率范围可以从0.3MHz
VDD +5伏
为100MHz 。该3D7701具有两个输出是同相时的
GND接地
振荡器正在运行,并且可以被用作一个简易替换为
DLO31F混合振荡器。该3D7701是TTL和CMOS兼容,能够驱动10 74LS型
负载。它提供了一个标准的14引脚自动插入DIP和节省空间的表面贴装8引脚SOIC
封装。
表1 : PART号的说明
短跑
-0.3
-0.4
-0.5
-0.75
-1
-2
-2.5
-3
-4
-5
-7.5
-10
-20
-25
-30
-40
-50
-75
-100
注意:
输出频率( MHz)的
25C
-40℃至85℃
Vdd=5.00V
4.75<Vdd<5.25
0.3
±
0.002
0.3
±
0.008
0.4
±
0.002
0.4
±
0.010
0.5
±
0.003
0.5
±
0.013
0.75
±
0.004
0.75
±
0.019
1.0
±
0.005
1.0
±
0.025
2.0
±
0.010
2.0
±
0.050
2.5
±
0.013
2.5
±
0.063
3.0
±
0.015
3.0
±
0.075
4.0
±
0.020
4.0
±
0.100
5.0
±
0.025
5.0
±
0.125
7.5
±
0.038
7.5
±
0.188
10.0
±
0.05
10.0
±
0.25
20.0
±
0.10
20.0
±
0.50
25.0
±
0.13
25.0
±
0.63
30.0
±
0.15
30.0
±
0.75
40.0
±
0.20
40.0
±
1.00
50.0
±
0.25
50.0
±
1.25
75.0
±
0.38
75.0
±
3.75
100.0
±
0.50
100.0
±
7.00
2006
数据延时器
0.3 100未显示之间的任何短线数字也可作为标准。
文档# 06023
12/5/2006
数据延迟设备, INC 。
3山。展望大道。克利夫顿,新泽西州07013
1
3D7701
应用笔记
操作说明
该3D7701延迟线振荡器架构是
如图1所示,内部延迟线是
一些延迟单元连接构成的
串联并且被用于热补偿和
电源电压变化。一个低边沿上
EN输入启动振荡器,与氧气
输出立即响应。该O1输出
delayed by ½ cycle. The response of the output
当被禁用振荡器取决于
O 2的状态时,将EN信号为高电平时,作为
在图2,如果氧气不足时,它会保持低所示
and the final pulse on O1 will be ½ of the period.
如果O 2为高电平时,它会变为低电平,一旦EN变为
高,并在两个输出端的最后的脉冲将具有
a width smaller than ½ the period.
VDD
GND
温度& VDD
赔偿金
O1
延迟线
O2
EN
图1 : 3D7701功能框图
EN
为5ns (典型值)
O2
O1
EN
为5ns (典型值)
为5ns (典型值)
O2
O1
图2 : 3D7701时序图
文档# 06023
12/5/2006
数据延迟设备, INC 。
联系电话: 973-773-2299
传真: 973-773-9672
http://www.datadelay.com
2
3D7701
应用注释(续)
电源和
考虑温度因素
CMOS集成电路中的延迟是强烈
依赖于电源和温度。
单片3D7701振荡器采用新颖
创新补偿电路
最小化引起的频率变化
波动的电源和/或温度。
的热膨胀系数减小到250 PPM /℃,
这相当于一个变型中,在-40℃下
到85℃的操作范围,对
±1.5%
从间 -
温度设定频率。电源
系数降低,在4.75V至5.25V的
操作范围内,以
±0.5%
频率的
在标称5.0VDC电源设置。
这些规范保持为低
频率而已。对于更高的破折号编号,则
变化将是稍大,如指出的
表1中。
至关重要的是,所述电源
销被充分旁路和过滤。在
另外,电源总线应尽可能低的
阻抗建设成为可能。
电源层是首选。
设备的特定连接的阳离子
表2 :绝对最大额定值
参数
直流电源电压
输入引脚电压
输入引脚电流
储存温度
焊接温度
符号
V
DD
V
IN
I
IN
T
STRG
T
领导
-0.3
-0.3
-1.0
-55
最大
7.0
V
DD
+0.3
1.0
150
300
单位
V
V
mA
C
C
笔记
25C
10秒
表3 : DC电气特性
( -40℃至85℃ , 4.75V至5.25V )
参数
静态电源电流*
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
低电平输入电流
高电平输出
当前
低电平输出电流
输出上升&下降时间
符号
I
DD
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
OH
I
OL
T
R
&放大器;牛逼
F
2.0
0.8
1.0
1.0
-4.0
典型值
3.5
最大
5.5
单位
mA
V
V
A
A
mA
mA
2.5
ns
笔记
-35.0
4.0
15.0
2.0
V
IH
= V
DD
V
IL
= 0V
V
DD
= 4.75V
V
OH
= 2.4V
V
DD
= 4.75V
V
OL
= 0.4V
C
LD
= 5 pF的
*I
DD
(动态) = 2 * C
LD
* V
DD
* F
其中:C
LD
=平均电容负载/输出(粉煤)
F =设备频率(GHz )
输入电容= 10pF的典型
输出负载电容(C
LD
) = 25 PF最大
文档# 06023
12/5/2006
数据延迟设备, INC 。
3山。展望大道。克利夫顿,新泽西州07013
3
3D7701
硅延迟线自动化测试
测试条件
输入:
环境温度:
25
o
C
±
3
o
C
电源电压(VCC ) :
5.0V
±
0.1V
输入脉冲:
高= 3.0V
±
0.1V
低= 0.0V
±
0.1V
源阻抗:
50Ω最大。
上升/下降时间:
3.0 ns(最大值) 。 (测
0.6V和2.4V之间)
输出:
R
负载
:
C
负载
:
门槛:
10K
±
10%
5pf
±
10%
1.5V (瑞星&下降)
设备
TEST
10K
5pf
数字
范围
470
注意:
上述条件是仅用于测试,并且不以任何方式限制该装置的操作。
电脑
系统
打印机
O1
脉冲
发电机
OUT
TRIG
EN
设备下
被测件(DUT )
O2
REF
IN
TRIG
频率/
时间间隔计数器
图3 :测试设置
t
秋天
EN
2.4V
1.5V
0.6V
t
上升
V
IL
1/f
OSC
1.5V
2.4V
V
IH
1.5V
0.6V
t
ENB
O2
1.5V
t
DIS
1.5V
图4 :时序图
文档# 06023
12/5/2006
数据延迟设备, INC 。
联系电话: 973-773-2299
传真: 973-773-9672
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