3932
RESET
保护地
AGND
GLC
DEAD
REF
SC
三相电源
MOSFET控制器
该A3932SEQ是三相MOSFET控制器，用于与双用途
极无刷直流电动机。其高栅极电流驱动能力允许
找到了广泛的n沟道功率MOSFET ，并且可以支持
电机电源电压为50 V.自举高端驱动模块
提供浮动正面用品的栅极驱动，并尽量减少
该元件数量通常要求。高侧电路也
采用了独特的FET监控电路，确保栅极电压
是在适当的电平导通之前和期间的接通周期。
内部网络连接XED关断时间的PWM电流控制电路可用于
调节到所需的值的最大负载电流。峰值负载
电流限制通过输入参考电压的用户的选择设置
和外部感应电阻。在网络连接固定的停机时间脉冲持续时间由设置
用户选择的外部RC计时网络。为了增加灵活性，对
继续...
32
31
30
3
4
2
1
数据表
26301.101d
GHC
CC
GLB
SB
GHB
CB
GLA
SA
GHA
5
6
7
8
9
10
29
28
27
26
25
24
SENSE
RC
PWM
塔克
SR
刹车
DIR
H2
H3
控制逻辑
11
12
13
23
19
22
21
故障
特点
和
好处
14
17
18
VBB
19
VREG
15
LCAP
16
H1
20
DWG 。 PP- 068-1
绝对最大额定值
在T
A
= 25°C
电源电压，V
BB
..............................
50 V
山顶稳压电压，V
REG
...............
15 V
逻辑输入电压范围，
V
IN
...................
0.3 V到V
LCAP
+ 0.3 V
检测电压范围，
V
SENSE
............................
-5 V至+1.5 V
输出电压范围，
V
SA
, V
SB
, V
SC
..................
-5 V至+50 V
V
GHA
, V
GHB
, V
GHC
..
-5 V到V
BB
+ 17 V
V
CA
, V
CB
, V
CC
.....................
V
SX
+ 17 V
工作温度范围，
T
A
.................................. -20 ° C至+ 85°C
结温，T
J
..................
+150°C
存储温度范围，
T
S
...............................
-55 ° C至+ 150°C
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
驱动宽范围的N沟道MOSFET
同步整流，阳离子
功率MOSFET保护
可调节死区时间进行交叉传导保护
100 ％占空比工作
可选择快或慢电流衰减模式
内部PWM峰值电流控制
高电流栅极驱动器
电动机引线短路到接地保护
内部5 V稳压器
车制动输入
PWM转矩控制输入
故障诊断输出
转速输出
热关断
欠压保护
故障
模式
CA
3932
三相电源
MOSFET控制器
选购指南
产品型号
A3932SEQ-T
A3932SEQTR-T
*
Pb系
无铅*
是的
是的
32片/管
填料
13英寸卷轴， 800件/卷
变种被淘汰的产品线。引用该脚注的变种正在生产中，但
已被确定为不用于新设计。此分类科幻阳离子表示出售该设备是目前
受限于现有的客户应用程序。该变种不应该用于新设计应用程序，因为购买
废弃在不久的将来很可能。样品将不再可用。状态变化： 5月1日， 2006年这些
变种有： A3932SEQ ADN A3932SEQTR 。
www.allegromicro.com
2
3932
三相电源
MOSFET控制器
功能框图
注 - 对于12 V应用， VBB短路到VREG 。
在V
REG
绝对最大额定值（ 15V）不得
超标。
PWM输入可以用来提供速度/转矩控制，
允许内部电流控制电路，设置马克西
妈妈电流限制。
可选的同步整流器阳离子包括在内。这
特征将短路通过电源的电流路径
MOSFET的PWM关闭周期中反向二极管
电流衰减。这可以最大限度地减少了功率耗散
功率MOSFET ，无需外部电源
钳位二极管，并允许更经济的
选择的MOSFET驱动器。
该A3932包括霍尔森换向逻辑
感器CON连接gured 120度的间距。功率MOSFET
保护功能包括自举电容充电
电流监控器，欠压显示器，电动机引线短
对地和热关断。
在' -S- '部分号码SUF科幻x表示一个操作
温度范围为-20 ° C至+ 85°C 。在“ -EQ- ”苏夫科幻X
表示32引脚方形塑料芯片载体（ PLCC ） 。
最初的“ -TR- ”变种SUF科幻x表示磁带和卷轴
包装。在' -T'网络最终变SUF科幻x表示铅（Pb ）
自由组合，采用100％雾锡电镀引脚框。
2
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有 2002年， 2003 Allegro MicroSystems公司
3932
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：除非另有说明，在T
A
= 25°C ; V
BB
= 18 V至50 V ;
LCAP
,
C
BOOT
= 0.1 μF ;
REG
= 10 μF ;
负载
= 3300 pF的
;
f
PWM
= 22.5 kHz方波;两个阶段活动。
范围
参数
电源电流
静态电流
参考电压
输出电压
I
BB
V
LCAP
V
REG
RESET高，滑行模式，停止
I
LCAP
= -3毫安
V
BB
= V
REG
≤15
V，I
REG
= -10毫安
18 V
≤
V
BB
≤
50 V，I
REG
= -10毫安
V
BB
= 13.2 V至18 V，I
REG
= -10毫安
输出电压调节
数字逻辑电平
逻辑输入电压
V
IH
V
IL
逻辑输入电流
栅极驱动器
低边输出电压
高侧输出电压
下拉开关电阻
上拉电阻开关
低边输出
开关时间
高侧输出
开关时间
传播延迟时间
（ PWM栅极输出）
最大死区时间
最小死区时间
V
GLxH
V
GHxH
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
t
rGLx
t
fGLx
t
rGHx
t
fGHx
t
pr
t
pf
t
DEAD
t
DEAD
I
GLX
= 0
I
GHX
= 0
I
GLX
= 50毫安
I
GHX
= -50毫安
10 ％至90％ ，以C
负载
90 ％至10％ ，以C
负载
10 ％至90％ ，以C
负载
90 ％至10％ ，以C
负载
GHX ，在GLx上升，C
负载
= 0
GHX ，在GLx下降，C
负载
= 0
GHX要在GLx ，V
DEAD
= 0 V ，C
负载
= 0
在GLx到GHX ，我
DEAD
= 780 μA ，C
负载
= 0
V
REG
- 0.8 V
REG
- 0.5
10.4
–
–
–
–
–
–
–
–
3.5
50
11.6
4.0
14
120
60
120
60
220
110
5.6
100
–
12.8
–
–
–
–
–
–
–
–
7.6
150
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
I
IH
I
IL
除了SR所有输入
只有SR输入
除了SR所有输入
只有SR输入
V
IH
= 2 V
V
IL
= 0.8 V
2.0
3.0
–
–
-30
-50
–
–
–
–
–
–
–
–
0.8
1.8
-90
-130
V
V
V
V
A
A
V
REG （ IREG ）
I
REG
= -1至-30毫安，海岸
VREG （ VBB ）
I
REG
= -10毫安，海岸
–
4.75
10.8
12.4
–
–
–
–
5.0
–
13
V
BB
- 2.5
25
40
8.0
5.25
13.2
13.6
–
–
–
mA
V
V
V
V
mV
mV
符号
条件
民
典型值
最大
单位
注： 1。典型数据仅供设计信息。
2，负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
继续 -
www.allegromicro.com
3
3932
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：除非另有说明，在T
A
= 25
°
℃; V
BB
= 18 V至50 V ;
LCAP
,
C
BOOT
= 0.1
F;
REG
= 10
F;
负载
= 3300 pF的
;
f
PWM
= 22.5 kHz方波;两个阶段活动。
范围
TYP MAX
–
11.6
9.0
–
-25
0
0.91
-1.0
1.1
3.0
-9.0
2.0
9.7
9.1
–
–
0.75
165
10
37
–
12.8
12
±5.0
–
–
–
-1.1
1.2
3.3
–
2.7
10.2
9.6
0.5
0.5
–
–
–
–
参数
自举电容
自举充电电流
引导输出电压
自举电阻
符号
I
Cx
V
Cx
r
Cx
V
io
I
SENSE
I
REF
t
空白
I
RC
V
RCL
V
RCH
条件
民
100
单位
mA
V
mV
A
A
s
mA
V
V
mA
V
V
V
V
V
s
°C
°C
° C / W
V
Sx
= 0, I
Cx
= 0, V
REG
= 13 V
I
Cx
= -50毫安
0 V
≤
V
IC
≤
1.5 V
V
IC
≥
0 V, V
ID
≤
1.5 V
V
IC
≥
0 V, V
ID
≤
1.5 V
R
T
= 56 kΩ的，C
T
= 470 pF的
10.4
–
–
–
–
–
-0.9
1.0
2.7
–
电流限制电路
输入失调电压
检测输入电流
参考输入电流
空白时间
RC充电电流
RC电压阈值
保护电路
自举充电门限
电机短路到接地监视器
欠压阈值
FAULT输出电压
TACH输出电压
TACH输出脉冲宽度
热关断温度。
热关断迟滞
热阻
I
Cx
V
DSH
UVLO
V
故障
V
塔克
t
塔克
T
J
T
J
R
θJA
根据JEDEC JESD51-7高钾板
V
BB
- V
SX
高侧
增V
REG
- 降低V
REG
I
O
= 1毫安
I
O
= 1毫安
I
O
= 1毫安，C
塔克
= 50 pF的
1.3
9.2
8.6
–
–
–
–
–
–
注： 1.Typical数据仅供设计信息。
2.Negative电流定义为流出（采购）指定的设备终端。
4
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
QQ：2881677436 复制
