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8
3932
高级数据表 - 99年3月2日
(如有更改,恕不另行通知)
三相电源
MOSFET控制器
该A3932SEQ是一个三相无刷直流电机控制装置。该
A3932的高电流栅极驱动能力允许驾驶的多种
功率MOSFET ,可支持电机电源电压为12 50V 。
该A3932集成了自举高侧驱动器,以尽量减少
需要驱动N沟道MOSFET驱动器的外部元件数量。
内部固定关断时间的PWM电流控制电路可用于
调节到所需的值的最大负载电流。峰值负载电流
限制是由一个输入参考电压和外部的用户的选择设置
传感电阻器。的固定关断时间脉冲持续时间是由用户选择的设定
外部RC计时网络。为了增加灵活性, PWM输入即可
用于提供速度/转矩控制,使内部电流控制
电路设定的最大电流限制。
该A3932包括可选的同步整流。此功能
将短路穿过功率MOSFET的固有体的电流路径
在PWM开关周期电流衰减二极管。这可以最大限度地减少权力
耗散在MOSFET时,消除了对外部电源钳
二极管,并允许对MOSFET的一个更为经济的选择
驱动程序。
该A3932提供换向逻辑配置霍尔传感器
对于120度的间隔。霍尔输入引脚上拉至一个内部
产生的5V参考。功率MOSFET的保护功能,包括网关
电源电压监控器,自举电容充电电流监控器,
欠压监控,电机引线短路电源或接地,并且热
关机。
2
RESET
1
保护地
32
AGND
31
DEAD
3
GLC
30
REF
29
SENSE
28
RC
27 PWM
26 TACH
25
SR
24
刹车
23
DIR
22
H2
21
H3
20 H1
GHC
5
CC
6
GLB
7
SB
8
4
SC
GHB 9
CB
10
GLA
11
SA
12
GHA
13
A3932SEQ
绝对最大额定值
在TA = + 25°C
负载电源电压,V
BB
............................
50 V
VREG (瞬态) .........................................
15 V
逻辑输入电压范围,
V
IN
...................-0.3
V到V
LCAP
+ 0.3 V
检测电压,V
SENSE
........................
-5至1.5伏
销SA / SB / SC , ...................................
-5到50伏
销GHA / GHB / GHC ................- 5
到V
BB
+ 17 V
销CA / CB / CC ......................... SA / SB / SC + 17
V
封装功耗( TA = + 25 ° C)
R
θJA
.....................................
52.4
°
C / W
R
θJC
.....................................
22.7
°
C / W
P
D
................................................2.4
W
工作温度范围,
T
A
................................-20°
C至+ 85°C
°
°
结温,T
J
.........................
+150°C
°
存储温度范围,
T
S
...............................-55°
C至+ 150°C
°
°
14 CA
15 VREG
16 LCAP
17 FAULT
18 MODE
19
V
BB
特点
n
驱动N沟道的宽范围
MOSFET的
n
来源1.25A的栅极导通
n
汇为2.5A门极可关
n
同步整流
n
功率MOSFET保护
n
可调节死区时间跨
传导保护
n
快/慢电流衰减模式
n
内部PWM电流控制
n
PWM转矩控制输入
n
电动机引线短路供应
和接地保护
n
内部5V稳压器
n
方向控制
n
车制动输入
n
故障诊断输出
n
转速输出
n
热关断
n
欠压保护
n
32L PLCC封装
通过完整的部件号总是命令:
A3932SEQ
第2页
3932
三相功率MOSFET控制器
功能框图(如图1 3的输出)
VREG
VBB
LCAP
调节器
H1
欠压
检测
Bootcap
MONITOR
CA
H2
C
BOOT
H3
C相
GHA
PWM
高压侧保护
逻辑
控制
逻辑
栅极 - 源
MONITOR
开启
延迟
SIDE
司机
DIR
RESET
SA
VREG
SR
刹车
模式
塔克
低压侧保护
逻辑
开启
延迟
SIDE
司机
GLA
B相
RC
C
T
R
T
RC消隐
固定 - 关
时间
-
+
引导低
VGS低
电动机引线短
无效大厅
欠压
保护地
SENSE
R
S
故障
到LCAP
REF
DEAD
死区时间
调整
AGND
第3页
3932
三相功率MOSFET控制器
在TA = + 25 ° C,V电气特性
BB
= 50 V ,C
BOOT
= .1μf ,C
负载
=1000pf
(除非另有说明)
特征
静态电流
符号
I
VBB
I
VBB
测试条件
复位低
RESET高
分钟。
典型值。
6.5
马克斯。
8.5
6.5
单位
mA
mA
V
V
V
V
mV
LCAP稳压器
电动机电源电压范围
V
LCAP
4.75
18
VREG短路到V
BB
10.8
12.4
V
BB
18 50V
5
13
40
5.250
50
13.2
13.6
VREG输出电压
VREG行规
V
REG
V
REGLIN
控制逻辑
逻辑输入电压
V
IN(1)
V
IN(0)
逻辑输入电流
I
IN(1)
I
IN(0)
V
IN
= 2.0 V
V
IN
= 0.8 V
2.0
-70
<1.0
.8
10
-130
V
V
A
A
栅极驱动器
低侧驱动器,输出高电平
高侧驱动器,输出高电平
上拉电阻开关
拉下开关电阻
低侧开关,上升时间
低侧开关,下降时间
高侧开关,上升时间
高侧开关,下降时间
死区时间最大
死区时间最短
V
HGL
V
HGH
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
tr
GL
tf
GL
tr
GH
tf
GH
t
DEAD
t
DEAD
I
DEAD
= 9A
I
DEAD
= 780A
-1A瞬间
2.5A瞬间
10 %至90%
12.3
10.5
6
2
13
11.6
9
3
25
10
40
10
5500
100
13.7
12.8
12
4
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1.典型的数据仅用于设计信息。
2,负电流定义为从(源)指定的设备引脚。
第4页
3932
三相功率MOSFET控制器
在TA = + 25 ° C,V电气特性
BB
= 50 V ,C
BOOT
= .1μf ,C
负载
=1000pf
(除非另有说明)
特征
自举电容
自举电容电压
自举充电门限
自举电容
OUT
充电电流
CAP漏电流
V
I
BOOTCHG
R
I
CX
I
高边开关ON
100
15
25
10.4
9
11.6
13
5
12.8
18
8
V
mA
mA
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电流限制电路
失调电压
输入偏置电流
比较器的共模范围
RC充电电流
RC电压阈值
V
IO
I
B
V
CMR
I
RC
V
RCL
V
RCH
-5
-5
0
.9
1.0
2.7
1
1.1
3.0
0
5
0
1.5
1.1
1.2
3.3
mV
A
V
A
V
V
保护电路
门源监视器
接地短路,漏源
MONITOR
欠压阈值
UVLO
GS
UVLO
DS
V
-V
GHX
高边开关ON
V
BB
- V
SX
高侧
2.7
1.6
3.3
2.0
3.9
2.4
V
V
UVLO
UVLO
V
REG
从低到高
V
REG
前高后低
I
OL
= 1毫安
I
OL
= 500 A
9.4
8.8
9.9
9.3
10.4
9.8
.5
.5
V
V
V
V
°C
°C
故障输出
转速输出
热关断温度。
热关断迟滞
V
故障
V
塔克
T
J
T
J
165
10
注意事项:
1.典型的数据仅用于设计信息。
2,负电流定义为从(源)指定的设备引脚。
第5页
3932
三相功率MOSFET控制器
引脚说明
复位。
一个逻辑输入,使设备,内部
拉至LCAP 。逻辑高电平将禁用该设备,
关闭MOSFET时,滑行电机。逻辑低电平将
使栅极驱动跟着换逻辑。该输入
将覆盖制动器。
错。
开漏输出指示故障情况。将
去活性高为以下任何一种故障条件:
1)
2)
3)
4)
5)
6)
无效的霍尔输入代码。
高侧栅极 - 源极欠压。
自举电容充电不足。
欠压状态检测到VREG 。
热关断。
电动机引线(SA / SB / SC)连接到地。
GLC / GLB / GLA 。
外部低侧栅极驱动输出
MOSFET驱动器。外部串联栅极电阻可用于
控制见过的功率驱动栅极压摆率,从而
控制的di / dt和dv / dt为S输出。输出将
来源1.25A的导通和沉2.5A的栅极放电。
SC / SB / SA 。
直接连接到电机端子,
这些管脚感测上的电压在负载切换。该
引脚还连接到所述自举的负侧
为浮动电容器与负电源连接
高侧驱动器。
任何故障将迫使海岸条件,果然所有
功率MOSFET关闭。为栅源故障状态,
引导监视器被清除,每个换向。如果
电机已经停止,故障必须通过切换清除
RESET引脚或重复上电顺序。
制动。
对于制动功能的逻辑输入。逻辑低电平将
打开水槽边MOSFET ,关闭电源侧
的MOSFET。这将有效地短接反电势在
绕组和制动电机。内部上拉至逻辑
LCAP 。
GHC / GHB / GHA 。
对于正高侧栅极驱动输出
沟道MOSFET驱动器。外部串联栅极电阻可以
被用于控制看出在动力驱动门摆率,
由此控制的di / dt和dv / dt为S输出。该
输出时将输出1.25A的导通和沉2.5A的门
放电。
SR 。
同步整流的输入。逻辑低电平可以禁用
该功能通过反激式二极管迫使电流衰减。
逻辑高电平会导致相反的一对驱动器到
切换响应于PWM “断”命令。国内
拉至LCAP 。
CC / CB / CA 。
为自举电容的高侧连接,
正电源高侧栅极驱动器。引导
电容器被充电到大约VREG当
输出Sx的终端是低的。当输出摆幅高,
电压在这个引脚的上升沿与该输出以提供
技术增强栅极电压所需要的N沟道功率
的MOSFET。
塔克
。数字输出来指示旋转速度。一个为3μs
脉冲出现在每一个厅的过渡。
PWM
。速度控制输入端。逻辑高电平将开启
MOSFET的霍尔输入逻辑选择。逻辑低电平将
关闭所选的MOSFET 。高举的PWM输入
利用内部电流控制电路。内部上拉
逻辑LCAP 。
模式。
逻辑输入设置电流衰减法。慢
衰减模式(逻辑高电平),关闭高侧FET的
响应PWM关闭命令。快速衰减模式(逻辑
LOW )关闭的源和汇MOSFET的。模式
引脚内部上拉至LCAP 。
RC 。
模拟输入。连接的R
T
和C
T
以设置固定
关闭时间。了C
T
还将设置空白时间。 (见
应用信息) 。因此建议在固定
断时间不应小于10微秒。该电阻应为
取值范围为1万至50万。
H1/H2/H3.
霍尔传感器输入,内部上拉至
LCAP 。配置了120度电的间距。
感。
模拟输入电流限制比较。
代表电压负载电流出现在此引脚。
电压瞬变,在这个引脚看出,当司机打开
被忽略的时间T
空白
.
迪尔。
逻辑输入反向旋转,看到整流逻辑
表。内部上拉至LCAP 。
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