33C408
4兆位（ 512K的×8位）的
CMOS SRAM
内存
逻辑图
F
EATURES
:
R
AD
-P
AK
技术抗辐射
对自然空间辐射
524,288 ×8位的组织
总剂量硬度：
- > 100拉德（Si）的，这取决于空间误
锡永
卓越的单粒子效应
·
- SEL
TH
： > 68兆电子伏/毫克/平方厘米
2
· - SEU
TH
：= 3兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU饱和截面： 6E - 9厘米
2
/位
包装：
- 32引脚
AD
-P
AK
扁平封装
- 32引脚无-R
AD
-P
AK
扁平封装
快速存取时间：
- 20 ，最高25 ， 30 ns的可用时间
单5V ±10％电源
全静态操作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗：
- 待机： 60毫安（ TTL ） ; 10毫安（ CMOS ）
- 运行：180 MA（ 20纳秒） ; 170毫安（ 25纳秒） ;
160毫安（ 30纳秒）
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 33C408的高密度4
兆位的SRAM微电路有大于
100拉德（ Si）的总剂量耐受性，这取决于
太空任务。利用麦克斯韦辐射硬
ened
AD
-P
AK
封装技术， 33C408
实现了高密度，高性能和低
功耗。它的全静态设计消除
止数据需要外部时钟，而
CMOS电路降低功耗，
提供了更高的可靠性。该33C408配
与八个通用输入/输出线，芯片选择
和输出使能，从而实现更大的系统flex-
ibility和消除总线争用。在33C408
拥有同样先进的512K ×8位的SRAM ，
高速和低功耗的需求的COM
商用对口。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
packag-
荷兰国际集团技术结合在辐射屏蔽
微电路封装。它省去了
框，同时提供所需的辐射屏蔽
屏蔽在轨道或太空任务的一生。在
地球同步轨道，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品是
可与筛选来上课S.
02年4月16日8 REV
所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
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2002麦克斯韦技术
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4兆位（ 512K ×8位） CMOS SRAM
T
ABLE
4. 33C408
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
(V
CC
= 5.0 + 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
电源电压
地
输入高电压
1
输入低电压
2
热阻抗
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V AC（脉冲宽度< 10纳秒）为我< 20毫安
2.
V
IL
（分钟） = -2.0V交流（脉冲宽度< 10纳秒）为我< 20毫安
S
YMBOL
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
M
IN
4.5
0
2.2
-0.5
--
M
AX
5.5
0
33C408
U
NIT
V
V
V
V
° C / W
V
CC
+0.5
0.8
1.21
Θ
JC
T
ABLE
5. 33C408 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 5V， + 10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电流
-20
-25
-30
待机功耗
电源电流
CMOS备用电源
电源电流
输入电容
1
输出电容
1
1.设计保证。
S
YMBOL
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
C
ONDITION
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
,
V
OUT
=V
SS
到V
CC
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4mA
闵周期， 100 ％占空比， CS = V
IL
, I
OUT
=0mA,
V
IN
= V
IH
或V
IL
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
--
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
180
170
160
60
10
mA
mA
M
IN
-2
-2
--
2.4
M
AX
2
2
0.4
--
U
NIT
A
A
V
V
mA
I
SB
I
SB1
CS = V
IH
，最小周期
CS > V
CC
- 0.2V ， F = 0兆赫，V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
or
V
IN <
0.2V
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的，T
A
= 25 °C
V
I / O
= 0V
C
IN
C
I / O
1, 2, 3
4, 5, 6
--
--
7
8
pF
pF
T
ABLE
6. 33C408 AC牛逼
美东时间
C
ONDITIONS和
C
极特
(V
CC
= 5.0 + 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入脉冲电平
输出定时测量参考电平
02年4月16日8 REV
M
IN
0.0
--
T
YP
--
--
M
AX
3.0
1.5
U
尼特
V
V
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