FDMC3300NZA单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
2005年12月
FDMC3300NZA
单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
8A,20V,26m
概述
这双N沟道MOSFET的设计使用
飞兆半导体先进的Power沟道工艺
to
优化第r
DS
（上） @V
GS
= 2.5V特殊的MicroFET
引线框架用在包装的一侧的所有下水道。
特点
R
DS （ ON）
= 26mΩ @ V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8A
R
DS （ ON）
= 34mΩ @ V
GS
= 2.5 V，I
D
= 7A
>2000V ESD保护
低调- 1毫米最大信号 - 在新的封装的MicroFET
3.3x3.3毫米
无铅并符合RoHS标准
应用
的锂离子电池组
LE
A
稀土
I
DF
D1
D1
D2
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
功率耗散（稳态）
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1A ）
参数
评级
20
±12
8
40
2.4
-55到+150
单位
V
V
A
W
o
C
M
E
N
TA
TIO
L
E
N
MP
D2
D2
1
2
3
G1
S2
G2
8
7
6
5
4
S1
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1B ）
（注1 ）
52
108
5
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
3300A
设备
FDMC3300NZA
带尺寸
7”
1
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
www.fairchildsemi.com
2005仙童半导体公司
FDMC3300NZA版本B
FDMC3300NZA单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
B
VDSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V,
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
20
-
-
-
-
12.0
-
-
-
-
1
±10
V
毫伏/°C的
A
A
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8A,
T
J
=150°C
V
DS
= 5V,
I
D
=8 A
-
-
0.6
-
-
-
-3.1
20
25
29
29
1.5
-
26
34
38
-
S
m
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 10V, V
GS
=0V,
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的
-
-
-
-
610
165
115
1.7
-
-
-
-
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 8A,
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
-
-
-
-
-
-
-
8
8
19
9
8
1
2
16
16
34
18
-
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.
R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
oz.copper焊盘上的FR-4材料基板的1.5x1.5 .R
θJC
设计是保证
而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一。 52 ° C / W
当安装在
在A 1
2
的2盎司垫
B 。 108 ° C / W
当安装在
2盎司纯铜最低垫
漏源二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2A
I
F
= 8A,
dI
F
/dt=100A/s
（注2 ）
-
-
-
0.7
-
-
1.2
21
6
V
ns
nC
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
2
FDMC3300NZA RevB
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FDMC3300NZA单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
归一漏极至源极
导通电阻
40
2.0
V
GS
= 2.0V
I
D
，漏电流（ A）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
4
8
12
30
脉冲宽度= 300
S
占空比= 2.0 ％ MAX
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
20
任意波形
降序排列：
V
GS
= 4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
10
0
0
V
DS
，漏源电压（V ）
1
2
3
4
5
16 20 24 28 32
I
D
，漏电流（ A）
36
40
图1.地区特点
图2.导通电阻变化与漏
电流和栅极电压
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
T
J
= 25
°
C
脉冲宽度= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
I
D
=4A
归一漏极至源极
导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
脉冲宽度= 300
S
占空比= 2.0 ％ MAX
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
T
J
= 125
°
C
I
D
= 8A
V
GS
= 4.5V
120
T
J
，结温（
°
C)
-40
0
40
80
160
0.01
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度
40
脉冲宽度= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源Votlage
100
I
S
，反向电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
1
V
GS
=0V
30
V
DS
= 5V
20
°
0.1 T
J
=125 C
0.01
T
J
=25
°
C
T
J
=-55
°
C
10
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= - 55
°
C
1E-3
1E-4
0.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
3
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
8
I
D
=8A
V
DD
=5V
V
DD
=10V
1000
C
国际空间站
电容（pF）
6
C
OSS
4
V
DD
=15V
C
RSS
2
100
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
14
16
50
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
20
图7.栅极电荷特性
100
RDSON有限公司
100
S
图8.电容特性
10
I
D
，漏电流（ A）
8
6
4
2
0
25
I
D
，漏电流（ A）
10
1mS
10mS
V
GS
=4.5V
1
100mS
V
GS
=4.5V
单脉冲
R
θ
JA
=108
°
C / W
T
A
=25
°
C
V
GS
=2.5V
0.1
1S
10S
DC
R
θ
JA
=108
°
C / W
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
50
75
100
125
T
A
，环境温度
(
°
C
)
150
图9.安全工作区
1000
图10.最大连续漏极电流与
环境温度
P
（ PK）
，瞬态峰值功率（ W）
100
10
单脉冲
R
θ
JA
=108
°
C / W
T
A
=25
°
C
1
-4
10
10
-3
10
-2
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-1
0
10
1
10
2
10
3
图11.单个最大功率耗散
4
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比 - 降序排列
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.01
单脉冲
1E-3
-4
10
10
-3
10
-2
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-1
0
10
1
10
2
10
3
图12.瞬态热响应曲线
5
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MOSFET
2005年12月
FDMC3300NZA
单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
8A,20V,26m
概述
这双N沟道MOSFET的设计使用
飞兆半导体先进的Power沟道工艺
to
优化第r
DS
（上） @V
GS
= 2.5V特殊的MicroFET
引线框架用在包装的一侧的所有下水道。
特点
R
DS （ ON）
= 26mΩ @ V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8A
R
DS （ ON）
= 34mΩ @ V
GS
= 2.5 V，I
D
= 7A
>2000V ESD保护
低调- 1毫米最大信号 - 在新的封装的MicroFET
3.3x3.3毫米
无铅并符合RoHS标准
应用
的锂离子电池组
LE
A
稀土
I
DF
D1
D1
D2
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
功率耗散（稳态）
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1A ）
参数
评级
20
±12
8
40
2.4
-55到+150
单位
V
V
A
W
o
C
M
E
N
TA
TIO
L
E
N
MP
D2
D2
1
2
3
G1
S2
G2
8
7
6
5
4
S1
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1B ）
（注1 ）
52
108
5
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
3300A
设备
FDMC3300NZA
带尺寸
7”
1
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
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2005仙童半导体公司
FDMC3300NZA版本B
FDMC3300NZA单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
B
VDSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V,
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
20
-
-
-
-
12.0
-
-
-
-
1
±10
V
毫伏/°C的
A
A
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8A,
T
J
=150°C
V
DS
= 5V,
I
D
=8 A
-
-
0.6
-
-
-
-3.1
20
25
29
29
1.5
-
26
34
38
-
S
m
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 10V, V
GS
=0V,
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的
-
-
-
-
610
165
115
1.7
-
-
-
-
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 8A,
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
-
-
-
-
-
-
-
8
8
19
9
8
1
2
16
16
34
18
-
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.
R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
oz.copper焊盘上的FR-4材料基板的1.5x1.5 .R
θJC
设计是保证
而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一。 52 ° C / W
当安装在
在A 1
2
的2盎司垫
B 。 108 ° C / W
当安装在
2盎司纯铜最低垫
漏源二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2A
I
F
= 8A,
dI
F
/dt=100A/s
（注2 ）
-
-
-
0.7
-
-
1.2
21
6
V
ns
nC
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
2
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FDMC3300NZA单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
归一漏极至源极
导通电阻
40
2.0
V
GS
= 2.0V
I
D
，漏电流（ A）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
4
8
12
30
脉冲宽度= 300
S
占空比= 2.0 ％ MAX
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
20
任意波形
降序排列：
V
GS
= 4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
10
0
0
V
DS
，漏源电压（V ）
1
2
3
4
5
16 20 24 28 32
I
D
，漏电流（ A）
36
40
图1.地区特点
图2.导通电阻变化与漏
电流和栅极电压
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
T
J
= 25
°
C
脉冲宽度= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
I
D
=4A
归一漏极至源极
导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
脉冲宽度= 300
S
占空比= 2.0 ％ MAX
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
T
J
= 125
°
C
I
D
= 8A
V
GS
= 4.5V
120
T
J
，结温（
°
C)
-40
0
40
80
160
0.01
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度
40
脉冲宽度= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源Votlage
100
I
S
，反向电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
1
V
GS
=0V
30
V
DS
= 5V
20
°
0.1 T
J
=125 C
0.01
T
J
=25
°
C
T
J
=-55
°
C
10
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= - 55
°
C
1E-3
1E-4
0.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
3
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FDMC3300NZA单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
8
I
D
=8A
V
DD
=5V
V
DD
=10V
1000
C
国际空间站
电容（pF）
6
C
OSS
4
V
DD
=15V
C
RSS
2
100
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
14
16
50
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
20
图7.栅极电荷特性
100
RDSON有限公司
100
S
图8.电容特性
10
I
D
，漏电流（ A）
8
6
4
2
0
25
I
D
，漏电流（ A）
10
1mS
10mS
V
GS
=4.5V
1
100mS
V
GS
=4.5V
单脉冲
R
θ
JA
=108
°
C / W
T
A
=25
°
C
V
GS
=2.5V
0.1
1S
10S
DC
R
θ
JA
=108
°
C / W
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
50
75
100
125
T
A
，环境温度
(
°
C
)
150
图9.安全工作区
1000
图10.最大连续漏极电流与
环境温度
P
（ PK）
，瞬态峰值功率（ W）
100
10
单脉冲
R
θ
JA
=108
°
C / W
T
A
=25
°
C
1
-4
10
10
-3
10
-2
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-1
0
10
1
10
2
10
3
图11.单个最大功率耗散
4
FDMC3300NZA RevB
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FDMC3300NZA单片共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比 - 降序排列
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.01
单脉冲
1E-3
-4
10
10
-3
10
-2
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-1
0
10
1
10
2
10
3
图12.瞬态热响应曲线
5
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