HMC326MS8G
/
326MS8GE
v08.0808
砷化镓的InGaP HBT MMIC驱动程序
放大器， 3.0 - 4.5 GHz的
典型应用
特点
PSAT输出功率： +26 dBm的
> 40 ％的PAE
输出IP3 ： +36 dBm的
高增益： 21分贝
VS ： + 5V
超小型封装： MSOP8G
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
该HMC326MS8G / HMC326MS8GE是理想的：
微波无线电
宽带无线电系统
无线本地环路驱动放大器
工作原理图
概述
该HMC326MS8G & HMC326MS8GE高
效率砷化镓的InGaP异质结双极
晶体管（ HBT ） MMIC驱动放大器，
3.0和4.5 GHz的运行。该放大器
封装在一个低成本，表面安装的8引线
封装，带有裸基地，以提高RF和
散热性能。该放大器提供21分贝
增益和+26 dBm的饱和功率在+ 5V的
电源电压。省电功能是提供给
节省电流消耗时，该放大器是
未在使用。内部电路的匹配进行了优化，
提供大于40 ％的PAE 。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VS = 5V ， VPD = 5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ ICC）
控制电流（ IPD ）
开关速度
吨/吨OFF
VPD = 0V / 5V
32
21
18
分钟。
典型值。
3.0 - 4.5
21
0.025
12
7
23.5
26
36
5
0.001 / 130
7
10
0.035
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/
°C
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
mA
ns
9 - 32
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC326MS8G
/
326MS8GE
v08.0808
砷化镓的InGaP HBT MMIC驱动程序
放大器， 3.0 - 4.5 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
频率（GHz ）
S21
S11
S22
增益与温度
25
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
9 - 33
23
增益（dB ）
21
19
+25C
+85C
-40C
17
15
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
30
PSAT与温度的关系
30
28
输出P1dB为（ DBM）
PSAT （ DBM）
+25C
+85C
-40C
28
26
26
24
24
+25C
+85C
-40C
22
22
20
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
20
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
输出IP3与温度的关系
40
功率压缩@ 3.5 GHz的
45
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
输出功率（dBm ）
增益（dB ）
PAE （％）
38
OIP3 （ dBm的）
36
34
+25C
+85C
-40C
32
30
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
输入功率（dBm ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC326MS8G
/
326MS8GE
v08.0808
砷化镓的InGaP HBT MMIC驱动程序
放大器， 3.0 - 4.5 GHz的
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-40C
-3
-6
-10
-9
+25C
+85C
-40C
-15
-12
-20
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
-15
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
噪声系数与温度
10
8
噪声系数（dB ）
6
4
+25C
+85C
-40C
2
0
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
增益，功率&静态电源
电流与VPD @ 3.5 GHz的
27
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
150
PSAT
P1dB
24
120
21
90
ICC （MA ）
18
收益
60
15
ICC
30
12
1.5
2
2.5
3
3.5
VPD （VDC ）
4
4.5
5
0
9 - 34
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC326MS8G
/
326MS8GE
v08.0808
砷化镓的InGaP HBT MMIC驱动程序
放大器， 3.0 - 4.5 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
控制电压范围（ VPD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = VPD = + 5V直流）
结温
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免14毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（结点到地面桨）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+5.5伏
+5.5伏
+15 dBm的
150 °C
0.916 W
71 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
静电敏感器件
观察处理注意事项
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
9 - 35
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到
PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC326MS8G
HMC326MS8GE
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H326
XXXX
H326
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC326MS8G
/
326MS8GE
v08.0808
砷化镓的InGaP HBT MMIC驱动程序
放大器， 3.0 - 4.5 GHz的
PCB评价
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
材料的评价PCB 104356一览
[1]
项
J1 - J2
J3
C1 - C2
C3
C4
C5
L1
U1
PCB
[2]
描述
印刷电路板安装SMA射频连接器
2毫米DC头
330 pF的电容， 0603 PKG 。
0.7 pF电容， 0603 PKG 。
3.0 pF电容， 0402 PKG 。
2.2 μF电容，钽电容
3.3 nH的电感， 0805 PKG 。
HMC326MS8G / HMC326MS8GE
扩音器
104106评估板
在网络连接最终应用中的电路板应
使用RF电路设计技术。信号线
应具有50欧姆的阻抗，而包
接地导线和裸露焊盘应CON
直接连类似地平面
如图所示。通孔足够数量应为
用于连接的顶部和底部的接地层。
该评估板应安装一个
合适的散热器。评估电路板
显示可从赫梯要求。
[1]订购完整的评估电路板时参考此号码
[ 2 ]电路板材质：罗杰斯4350 ， 10密耳厚， TR = 3.48
9 - 36
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC326MS8G
/
326MS8GE
v07.0607
砷化镓的InGaP HBT MMIC驱动程序
放大器， 3.0 - 4.5 GHz的
5
放大器 - SMT
典型应用
该HMC326MS8G / HMC326MS8GE是理想的：
微波无线电
宽带无线电系统
无线本地环路驱动放大器
特点
PSAT输出功率： +26 dBm的
> 40 ％的PAE
输出IP3 ： +36 dBm的
高增益： 21分贝
VS ： + 5.0V
超小型封装： MSOP8G
工作原理图
概述
该HMC326MS8G & HMC326MS8GE高
效率砷化镓的InGaP异质结双极转录
体管（ HBT） MMIC驱动器，其操作放大器
介于3.0和4.5千兆赫。放大器被包装
在一种低成本，表面安装8引线封装用
露出的基体，以提高射频和热perfor-
曼斯。该放大器提供增益和+26的21分贝
dBm的从+ 5.0V电源电压饱和功率。
断电功能可节省电流
消费当放大器不使用。国内
电路的匹配进行了优化，以提供大于
40 ％的PAE 。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VS = 5V ， VPD = 5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ ICC）
控制电流（ IPD ）
开关速度
吨/吨OFF
VPD = 0V / 5V
32
21
18
分钟。
典型值。
3.0 - 4.5
21
0.025
12
7
23.5
26
36
5
0.001 / 130
7
10
0.035
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/
°C
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
mA
ns
5 - 66
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC326MS8G
/
326MS8GE
v07.0607
砷化镓的InGaP HBT MMIC驱动程序
放大器， 3.0 - 4.5 GHz的
宽带增益&回波损耗
25
20
15
响应（ dB）的
增益与温度
24
5
放大器 - SMT
5 - 67
5
0
-5
-10
-15
-20
2
2.5
3
3.5
4
增益（dB ）
10
22
S21
S11
S22
20
+25C
+85C
-40C
18
16
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
4.5
5
5.5
6
频率（GHz ）
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
30
PSAT与温度的关系
30
28
输出P1dB为（ DBM）
PSAT （ DBM）
+25C
+85C
-40C
28
26
26
24
24
+25C
+85C
-40C
22
22
20
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
20
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
输出IP3与温度的关系
40
功率压缩@ 3.5 GHz的
45
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
输出功率（dBm ）
增益（dB ）
PAE （％）
38
OIP3 （ dBm的）
36
34
+25C
+85C
-40C
32
30
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
输入功率（dBm ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC326MS8G
/
326MS8GE
v07.0607
砷化镓的InGaP HBT MMIC驱动程序
放大器， 3.0 - 4.5 GHz的
5
放大器 - SMT
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗（dB ）
输入回波损耗（dB ）
-5
+25C
+85C
-40C
-3
-6
-10
-9
+25C
+85C
-40C
-15
-12
-20
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
-15
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
-10
噪声系数与温度
10
9
8
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
+25C
+85C
-40C
-20
-30
-40
-50
-60
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
0
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
频率（GHz ）
增益，功率&静态电源
电流与VPD @ 3.5 GHz的
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
1.5
2
2.5
3
3.5
VPD （VDC ）
4
150
130
110
90
70
P1dB
PSAT
收益
ICC
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
ICC （MA ）
50
30
10
5
4.5
5 - 68
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC326MS8G
/
326MS8GE
v07.0607
砷化镓的InGaP HBT MMIC驱动程序
放大器， 3.0 - 4.5 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
控制电压范围（ VPD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VS = VPD = + 5.0VDC ）
结温
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免14毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（结点到地面桨）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+5.5伏
+5.5伏
+15 dBm的
150 °C
0.916 W
71 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
5
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到
PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC326MS8G
HMC326MS8GE
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H326
XXXX
H326
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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5 - 69
放大器 - SMT
HMC326MS8G
/
326MS8GE
v07.0607
砷化镓的InGaP HBT MMIC驱动程序
放大器， 3.0 - 4.5 GHz的
5
放大器 - SMT
PCB评价
材料的评价PCB 104356一览
项
J1 - J2
J3
C1 - C2
C3
C4
C5
L1
U1
PCB
[2]
描述
印刷电路板安装SMA射频连接器
2毫米DC头
330 pF的电容， 0603 PKG 。
0.7 pF电容， 0603 PKG 。
3.0 pF电容， 0402 PKG 。
2.2 μF电容，钽电容
3.3 nH的电感， 0805 PKG 。
HMC326MS8G / HMC326MS8GE
扩音器
104106评估板
[1]
在网络连接最终应用中的电路板应
使用RF电路设计技术。信号线
应具有50欧姆的阻抗，而包
接地导线和裸露焊盘应CON
直接连类似地平面
如图所示。通孔足够数量应为
用于连接的顶部和底部的接地层。
该评估板应安装一个
合适的散热器。评估电路板
显示可从赫梯要求。
[1]订购完整的评估电路板时参考此号码
[ 2 ]电路板材质：罗杰斯4350
5 - 70
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
QQ：2881677436 复制
