31DQ05 ， 31DQ06
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.3
特点
薄型，轴向引线外形
??高频工作
极低的正向电压降
阴极
阳极
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
铅（Pb ） - 免费的电镀
设计和工业级合格
C-16
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
3.3 A
50/60 V
描述
该31DQ ..轴向引线肖特基整流器已
对于非常低的正向压降进行了优化，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3 APK ，T
J
= 25 °C
特征
方波
值
3.3
50/60
340
0.62
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
31DQ05
50
31DQ06
60
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
L
= 105℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
3.3
340
55
5.0
1.0
mJ
A
A
单位
文档编号： 93320
修订日期：06- NOV- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
31DQ05 ， 31DQ06
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.3
电气规格
参数
符号
3A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
6A
3A
6A
最大反向漏电流
见图。 4
典型结电容
典型的串联电感
充电最高电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
值
0.62
0.78
0.54
0.65
2
15
160
9.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到环境
典型热阻，
交界处领导
大约重量
符号
T
J
(1)
,
测试条件
值
- 40150
单位
°C
T
英镑
直流操作
无散热片
直流操作
R
thJA
R
thJL
80
° C / W
15
1.2
0.042
g
盎司
31DQ05
31DQ06
打标设备
记
(1)
案例式的C- 16
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
www.vishay.com
2
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文档编号： 93320
修订日期：06- NOV- 08
31DQ05 ， 31DQ06
肖特基整流器， 3.3
日前，Vishay高功率产品
10
结电容 - C
T
（PF ）
1000
中T = 25℃
J
100
瞬时正向电流 - I
F
(A)
T
J
= 150C
T
J
= 125C
10
0
40
80
120
160
反向电压 - V
R
(V)
1
T
J
= 25C
图。 3 - 典型结电容与反向电压
150
含铅允许温度（ ℃）
130
DC
110
90
80 ％额定Vr的应用
见注（ 1 ）
方波（ D = 0.50 ）
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
70
0
1
2
3
4
5
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
正向电压下降 - V
FM
(V)
图。 1 - 最大正向压降特性
图。 4 - 最大允许焊接温度与
平均正向电流
3
100
T J = 150℃
平均功耗（瓦）
10
反向电流 - I
R
（MA ）
2.5
2
1.5
1
0.5
0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
DC
1
125C
0.1
0.01
25C
0.001
0
20
40
60
反向电压 - V
R
(V)
0
1
2
3
4
5
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
图。 5 - 正向功率损耗特性
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
文档编号： 93320
修订日期：06- NOV- 08
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3
31DQ05 ， 31DQ06
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.3
1000
不重复浪涌电流 - 我
FSM
(A)
100
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
10
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
（微秒）
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
订购信息表
器件代码
31
1
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
D
2
Q
3
06
4
TR
5
31 = 3.1 A（轴向和小包装 - 电流×10 ）
D = DO- 201封装
Q =肖特基Q系列..
06 =电压额定值
TR =磁带和卷轴包装（1200个）
无=包装盒（ 500片装）
05 = 50 V
06 = 60 V
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文档编号： 93320
修订日期：06- NOV- 08
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
VS- 31DQ05 ， VS- 31DQ05 -M3 ， VS- 31DQ06 ， VS- 31DQ06 -M3
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威世半导体
肖特基整流器， 3.3
特点
薄型，轴向引线外形
??高频工作
阴极
阳极
极低的正向电压降
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
保护环，增强耐用性和
长期可靠性
C-16
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
DO - 201AD （ C- 16 ）
3.3 A
50 V, 60 V
请参阅电气表
为15 mA 125°C
150 °C
单芯片
5.0兆焦耳
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和合格的商用水平
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -M3只）
描述
在VS- 31DQ ...轴向引线肖特基整流器已
对于非常低的正向压降进行了优化，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3 APK ，T
J
= 25 °C
特征
方波
值
3.3
50/60
340
0.62
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值
反向电压
符号
V
R
50
V
RWM
50
60
60
V
VS-31DQ05
VS-31DQ05-M3
VS-31DQ06
VS-31DQ06-M3
单位
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
L
= 105℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
3.3
340
55
5.0
1.0
mJ
A
A
单位
修订： 19 09月11
文档编号： 93320
1
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- 31DQ05 ， VS- 31DQ05 -M3 ， VS- 31DQ06 ， VS- 31DQ06 -M3
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威世半导体
电气规格
参数
符号
3A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
6A
3A
6A
最大反向漏电流
见图。 4
典型结电容
典型的串联电感
充电最高电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
值
0.62
0.78
0.54
0.65
2
15
160
9.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到环境
典型热阻，
交界处领导
大约重量
符号
T
J
(1)
,
测试条件
值
- 40150
单位
°C
T
英镑
直流操作
无散热片
直流操作
R
thJA
R
thJL
80
° C / W
15
1.2
0.042
g
盎司
31DQ05
31DQ06
打标设备
记
(1)
案例式的C- 16
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
修订： 19 09月11
文档编号： 93320
2
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威世半导体
150
I
F
- 正向电流（A ）
10
含铅允许温度（ ℃）
130
DC
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
110
90
方
波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
SEE
注（1）
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
93320_04
70
0
1
2
3
4
5
93320_01
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
100
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 4 - 最大允许焊接温度与
平均正向电流
3
I
R
- 反向电流（mA ）
10
平均功耗（ W）
T
J
= 150 °C
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1
T
J
= 125 °C
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
DC
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
93320_02
20
40
60
93320_05
0
1
2
3
4
5
V
R
- 反向电压（ V）
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 正向功率损耗特性
图。 2 - - 反向电流与典型值
反向电压
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
1000
C
T
- 结电容（pF ）
吨= 25°C
J
100
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下
浪涌
10
0
93320_03
10
10
100
1000
10 000
40
80
120
160
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - - 典型结电容与反向电压
93320_06
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
修订： 19 09月11
文档编号： 93320
3
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VS- 31DQ05 ， VS- 31DQ05 -M3 ， VS- 31DQ06 ， VS- 31DQ06 -M3
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订购信息表
威世半导体
器件代码
VS-
1
31
2
D
3
Q
4
06
5
TR
6
-M3
7
1
2
3
4
5
6
7
-
-
-
-
-
-
-
威世半导体产品
31 =额定电流， 3.3
D = DO- 201封装
Q =肖特基Q系列..
06 =电压额定值
TR =磁带和卷轴包装
无=散包
环境位数
无=铅（ Pb），并且符合RoHS标准
-M3 =无卤素，符合RoHS标准，并终止铅（Pb ） - 免费
05 = 50 V
06 = 60 V
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-31DQ05
VS-31DQ05TR
VS-31DQ05-M3
VS-31DQ05TR-M3
VS-31DQ06
VS-31DQ06TR
VS-31DQ06-M3
VS-31DQ06TR-M3
QUANTITY PER T / R
500
1200
500
1200
500
1200
500
1200
最小起订量
500
1200
500
1200
500
1200
500
1200
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体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
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外形尺寸
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威世半导体
轴向DO - 201AD （ C- 16 ）
尺寸
毫米（英寸）
5.8 (0.23)
马克斯。
阴极带
21.0 （ 0.83 ）最低。
（ 2处）
21.0 （ 0.83 ）最低。
（ 2处）
10.0 (0.39)
马克斯。
10.0 (0.39)
马克斯。
2.54（ 0.100 ）最大。
闪存（ 2处）
1.40 (0.055)
1.20 (0.047)
（ 2处）
1.40 (0.055)
1.20 (0.047)
（ 2处）
5.8 (0.23)
马克斯。
修订： 8月29日11
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1
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