VS- 31DQ03 ， VS- 31DQ03 -M3 ， VS- 31DQ04 ， VS- 31DQ04 -M3
www.vishay.com
威世半导体
肖特基整流器， 3.3
特点
薄型，轴向引线外形
??高频工作
阴极
阳极
极低的正向电压降
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
保护环，增强耐用性和
长期可靠性
C-16
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
DO - 201AD （ C- 16 ）
3.3 A
30 V, 40 V
请参阅电气表
20毫安在125°C
150 °C
单芯片
6.0兆焦耳
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和合格的商用水平
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -M3只）
描述
在VS- 31DQ ...轴向引线肖特基整流器已
对于非常低的正向压降进行了优化，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3 APK ，T
J
= 25 °C
特征
方波
值
3.3
30/40
450
0.57
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-31DQ03
30
VS-31DQ03-M3
30
VS-31DQ04
40
VS-31DQ04-M3
40
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
L
= 117 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.0 ， L = 12毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
3.3
450
90
6.0
1.0
mJ
A
A
单位
修订： 20 09月11
文档编号： 93319
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- 31DQ03 ， VS- 31DQ03 -M3 ， VS- 31DQ04 ， VS- 31DQ04 -M3
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威世半导体
电气规格
参数
符号
3A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
6A
3A
6A
最大反向漏电流
见图。 4
典型结电容
典型的串联电感
充电最高电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
值
0.57
0.71
0.51
0.62
1
20
190
9.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到环境
典型热阻，
交界处领导
大约重量
符号
T
J
(1)
,
测试条件
值
- 40150
单位
°C
T
英镑
直流操作
无散热片
与鳍片20毫米×20毫米（ 0.79" X 0.79" ）
1.0毫米（ 0.04" ）厚度
R
thJA
R
thJL
80
° C / W
15
1.2
0.042
g
盎司
31DQ03
31DQ04
打标设备
记
(1)
案例式的C- 16
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
修订： 20 09月11
文档编号： 93319
2
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威世半导体
允许外壳温度（ ℃）
150
I
F
- 正向电流（A ）
100
DC
130
10
110
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
90
方
波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
SEE
注（1）
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
93319_04
70
0
1
2
3
4
5
93319_01
V
FM
- 正向压降（ V）
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 1 - 最大正向压降特性
100
图。 4 - 最大允许焊接温度与
平均正向电流
2.5
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
1
DC
I
R
- 反向电流（mA ）
10
平均功耗（ W）
T
J
= 150 °C
2
1
T
J
= 125 °C
1.5
0.1
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
10
20
30
40
0.5
0
0
93319_05
1
2
3
4
5
93319_02
V
R
- 反向电压（ V）
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 正向功率损耗特性
图。 2 - - 反向电流与典型值
反向电压
1000
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下
浪涌
10
10
100
1000
10 000
10
0
93319_03
40
80
120
160
200
V
R
- 反向电压（ V）
93319_06
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 3 - - 典型结电容与反向电压
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
(2)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
修订： 20 09月11
文档编号： 93319
3
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VS- 31DQ03 ， VS- 31DQ03 -M3 ， VS- 31DQ04 ， VS- 31DQ04 -M3
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订购信息表
器件代码
威世半导体
VS-
1
1
2
3
4
5
6
7
-
-
-
-
-
-
-
31
2
D
3
Q
4
04
5
TR
6
-M3
7
威世半导体产品
31 =额定电流3.3
D = DO- 201封装
Q =肖特基Q系列..
04 =电压额定值
TR =磁带和卷轴包装
无=散包
环境位数
无=铅（ Pb），并且符合RoHS标准
-M3 =无卤素，符合RoHS标准，并终止铅（Pb ） - 免费
03 = 30 V
04 = 40 V
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-31DQ03
VS-31DQ03TR
VS-31DQ03-M3
VS-31DQ03TR-M3
VS-31DQ04
VS-31DQ04TR
VS-31DQ04-M3
VS-31DQ04TR-M3
QUANTITY PER T / R
500
1200
500
1200
500
1200
500
1200
最小起订量
500
1200
500
1200
500
1200
500
1200
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尺寸
最热资讯
包装信息
www.vishay.com/doc?95242
www.vishay.com/doc?95304
www.vishay.com/doc?95338
包装说明
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
修订： 20 09月11
文档编号： 93319
4
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外形尺寸
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威世半导体
轴向DO - 201AD （ C- 16 ）
尺寸
毫米（英寸）
5.8 (0.23)
马克斯。
阴极带
21.0 （ 0.83 ）最低。
（ 2处）
21.0 （ 0.83 ）最低。
（ 2处）
10.0 (0.39)
马克斯。
10.0 (0.39)
马克斯。
2.54（ 0.100 ）最大。
闪存（ 2处）
1.40 (0.055)
1.20 (0.047)
（ 2处）
1.40 (0.055)
1.20 (0.047)
（ 2处）
5.8 (0.23)
马克斯。
修订： 8月29日11
文档编号： 95242
1
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31DQ03 ， 31DQ04
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.3
特点
薄型，轴向引线外形
??高频工作
极低的正向电压降
阴极
阳极
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
铅（Pb ） - 免费的电镀
设计和工业级合格
C-16
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
3.3 A
30/40 V
描述
该31DQ ..轴向引线肖特基整流器已
对于非常低的正向压降进行了优化，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3 APK ，T
J
= 25 °C
特征
方波
值
3.3
30/40
450
0.57
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
31DQ03
30
31DQ04
40
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
L
= 117 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.0 ， L = 12毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
3.3
450
90
6.0
1.0
mJ
A
A
单位
文档编号： 93319
修订日期：06- NOV- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
31DQ03 ， 31DQ04
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.3
电气规格
参数
符号
3A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
6A
3A
6A
最大反向漏电流
见图。 4
典型结电容
典型的串联电感
充电最高电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
值
0.57
0.71
0.51
0.62
1
20
190
9.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到环境
典型热阻，
交界处领导
大约重量
符号
T
J
(1)
,
测试条件
值
- 40150
单位
°C
T
英镑
直流操作
无散热片
与鳍片20毫米×20毫米（ 0.79" X 0.79" ）
1.0毫米（ 0.04" ）厚度
R
thJA
R
thJL
80
° C / W
15
1.2
0.042
g
盎司
31DQ03
31DQ04
打标设备
记
(1)
案例式的C- 16
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93319
修订日期：06- NOV- 08
31DQ03 ， 31DQ04
肖特基整流器， 3.3
日前，Vishay高功率产品
100
结电容 - C
T
（PF ）
1000
中T = 25℃
J
100
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
10
0
40
80
120
160
200
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
T
J
= 150C
T
J
= 125C
150
含铅允许温度（ ℃）
DC
1
T
J
= 25C
130
110
90
80 ％额定Vr的应用
见注（ 1 ）
方波（ D = 0.50 ）
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
70
0
1
2
3
4
5
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
正向电压下降 - V
FM
(V)
图。 1 - 最大正向压降特性
图。 4 - 最大允许焊接温度与
平均正向电流
2.5
100
T J = 150℃
平均功耗（瓦）
10
反向电流 - I
R
（MA ）
2
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
DC
1
125C
1.5
0.1
1
0.01
25C
0.5
0.001
0
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
0
0
1
2
3
4
5
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
图。 5 - 正向功率损耗特性
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
文档编号： 93319
修订日期：06- NOV- 08
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3
31DQ03 ， 31DQ04
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.3
1000
不重复浪涌电流 - 我
FSM
(A)
100
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
10
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
（微秒）
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
订购信息表
器件代码
31
1
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
D
2
Q
3
04
4
TR
5
31 = 3.1 A（轴向和小包装 - 电流×10 ）
D = DO- 201封装
Q =肖特基Q系列..
04 =电压额定值
TR =磁带和卷轴包装（1200个）
无=包装盒（ 500片装）
03 = 30 V
04 = 40 V
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如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 93319
修订日期：06- NOV- 08
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
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日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
31DQ03 ， 31DQ04
公告PD- 2.304转。 ê 03/03
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
31DQ03
30
31DQ04
40
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
*请参阅图。 4
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流*请参阅图。 6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
450
90
6.0
1.0
A
mJ
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲额定V
RRM
应用的
31DQ..
3.3
单位
A
条件
占空比为50％ @ T
C
= 73 ° C，矩形波的形式
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.0安培， L = 12毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
*请参阅图。 1
(1)
31DQ单位..
0.57
0.71
0.51
0.62
1
20
190
9.0
10000
V
V
V
V
mA
mA
pF
nH
V / μs的
@ 3A
@ 6A
@ 3A
@ 6A
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
RM
C
T
L
S
马克斯。反向漏电流
*请参阅图。 2
(1)
典型结电容
典型的串联电感
T
J
= 25 °C
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
（额定V
R
)
dv / dt的最大值。变化的电压率
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。储存温度范围
31DQ单位..
°C
°C
-40至150
80
34
条件
马克斯。结温范围（ * ） -40至150
R
thJA
马克斯。热阻结
到环境
R
thJL
典型热阻结
铅
wt
大约重量
机箱样式
（ * ） dPtot
DTJ
＆ LT ;
1
Rth的第（j-一）
° C / W DC操作
无散热片
° C / W带散热片20 ×20 （ 0.79 X 0.79 ） 1.0 （ 0.04 ）厚。
单位为毫米（英寸）
1.2 （ 0.042 ）， G（盎司）。
C - 16
热失控条件对自己的散热器二极管
2
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31DQ03 ， 31DQ04
公告PD- 2.304转。 ê 03/03
订购信息表
器件代码
31
1
D
2
Q
3
04
4
TR
5
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
31 = 3.1A （轴向和小包装 - 当前是X10 ）
D = DO- 41封装
Q =肖特基Q系列..
04 =电压额定值
TR =带&卷轴包（1200个）
-
=包装盒（ 500片装）
04 = 40V
03 = 30V
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
该产品的设计和工业级合格。
资质标准可在IR的网站上找到。
IR全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ， USA电话： （ 310 ） 252-7105
TAC传真： （ 310 ） 252-7309
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5
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