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3195
PROTECTED ,高温,
带主动下拉霍尔效应锁存
这些霍尔效应锁存器能够感应磁场
当使用未保护的电源。该A3195-可以提供
通过提供一种用于mag-数字输出的位置和速度信息
NETIC字段超过其预定义的开关点。这些设备
向下运行至零速和有设计开关点
是在很宽的工作温度和电压极为稳定
范围内。锁定特性使它们非常适用于脉冲应用
计数的应用程序与一个多极环磁铁一起使用时。
一个25 mA的高边驱动器结合了积极的下拉是埃斯佩
cially可用于驱动容性负载。输出短路保护
允许增加的线束容错。该温度
TURE补偿开关分,工作电压范围宽,并
集成保护使这些器件非常适用于汽车使用
略去应用,例如传输速度传感器和集成
轮毂轴承转速传感器。
每个单片器件包含一个集成的霍尔效应变压器
能器,一个温度补偿的比较器,电压调节器,
并用活性下拉缓冲高边驱动器。供应
保护是可能通过的过压关断集成
电路,可以监测电源故障情况。输出保护
电路包括源和吸收电流限流短
电路电源或接地。
该A3195E-的额定工作温度范围
-40 ° C至+ 85°C ;在A3195L-额定工作在扩展
温度范围为-40 ° C至+ 150°C 。他们在一个三供给
导致SIP (后缀-U )或表面安装SOT89 (后缀-LT ) 。
数据表
27609.15
X
LATCH
V
CC
1
2
3
DWG 。 PH- 013
钉扎示出从烙侧观察。
绝对最大额定值
电源电压,V
CC
( 100毫秒) ..........
115 V*
(连续) ...................................
26 V
反向电池电压,
V
RCC
( 100毫秒) ............................
-100 V
(续) .................................
-30 V
磁通密度B ...........
无限
反向输出电压,V
OUT
.........
-0.5 V
连续输出电流,
I
OUT
...........................................
-25毫安
封装功耗,
P
D
........................................
请参阅图表
结温,T
J
.................
170
°
C
工作温度范围,T
A
后缀“ E - ” ....................
-40
°
C至+ 85
°
C
后缀为“ L- ” ..................
-40
°
C至+150
°
C
贮藏温度,T
S
.................
170
°
C
*故障状态,内部过压关断
上述28 V.
内部电流限制是为了保护
从设备输出短路。
产量
供应
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
内部保护对于汽车( ISO / DIN )瞬态
操作不受监管的供应
反向电池保护
欠压锁定
电源噪声抑制电路
输出短路保护
输出的齐纳二极管钳位
热保护
对称的闭锁开关点
操作与多极环形磁铁
通过完整的部件号总是订货,例如,
A3195LU 。
3195
保护高温。 ,
有源下拉
霍尔效应锁存
功能框图
1
V
CC
OVERVOLT 。
封锁
注册。
LATCH
X
3
产量
当前
极限
DWG 。 FH- 013
15k
2
传输特性
800
在毫瓦ALLOWABLE封装功耗
700
后缀" , LT"
R
θJA
= 180℃ / W的
600
26 V
最大
V
OUT (H)的
500
400
300
输出电压伏
后缀" - U"
R
θJA
= 183 ° C / W
B
RP
B
OP
200
后缀"E - "
100
后缀"L - "
V
OUT(L )
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-B
0
通量密度
+B
DWG 。 GH- 034-3
环境温度
°
C
DWG 。 GH- 054B
2
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有 1995年, 2002年Allegro MicroSystems公司
3195
保护高温。 ,
有源下拉
霍尔效应锁存
电气特性
在工作电压和温度范围(除非另有规定) 。
范围
特征
电源电压
过压关断*
输出电压,高
(源极电压)
输出电压,低
(漏电压)
输出钳位电压
输出电流限制
电源电流
符号
V
CC
V
CC ( OV )
V
OUT (H)的
V
OUT(L )
V
OUT ( CLMP )
I
OUTMAX
I
CC
测试条件
工作(但V
CC
X我
CC VS
T
A
有限)
B > B
OP
B < B
RP ,
I
OUT
= -20毫安
B > B
OP ,
I
OUT
<100
A
B > B
OP ,
I
OUT
= 5毫安
B < B
RP
, V
CC
> 26 V,I
OUT
= 0
B < B
RP
, V
CC
= 12 V
B > B
OP
, V
OUT
< 14 V
B < B
RP
, V
CC
= 18 V,I
OUT
= 0
B > B
OP
, V
CC
= 18 V,I
OUT
= 0
V
CC
= +115 V*
V
RCC
= -35 V*
V
RCC
= -100 V*
C
L
= 20 pF的,R
L
= 330
C
L
= 20 pF的,R
L
= 330
“ LT ”包
“U”套餐
分钟。
3.8
28
V
CC
-2
15
-26
8.0
典型值。
12
0.1
0.25
18
6.0
8.0
8.0
-0.1
-0.1
0.12
0.30
258
183
马克斯。
26
55
V
CC
-0.3
0.2
0.5
21
-70
25
9.0
12
17
-5.0
-10
2.0
5.0
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
s
s
° C / W
° C / W
电池反向电流*
输出上升时间
输出下降时间
封装的热抵抗。
I
RCC
t
r
t
f
R
θJA
磁特性
以上的工作电压范围(除非另有规定) 。
范围
特征
操作点
符号
B
OP
测试条件
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
=最大
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
=最大
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
=最大
分钟。
60
50
40
-200
-160
-150
150
130
110
典型值。
125
110
100
-125
-110
-100
250
220
200
马克斯。
200
160
150
-60
-50
-40
单位
G
G
G
G
G
G
G
G
G
放点
B
RP
迟滞
(B
OP
- B
RP
)
B
HYS
注:负电流定义为走出(源)的输出。
B
OP
=磁工作点(输出导通) ; B
RP
=磁释放点(输出关闭) 。
如这里使用的,负的磁通密度被定义为小于零(代数约定) 。
典型值是在T
A
= + 25 ° C和V
CC
= 12 V.
1高斯( G)正好等于0.1毫特斯拉( mT)表示。
*故障状态。设备关闭和运行是不可能的。
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3
3195
保护高温。 ,
有源下拉
霍尔效应锁存
典型工作特性
200
VCC
操作点
VCC - 1
输出电压伏
100
在高斯切换点
输出高电平,B
B
RP
(源电流)
I
OUT
= -20毫安
VCC - 2
V
CC
= 16 V
0.4
I
OUT
= 5毫安
0
V
CC
= 3.8 V–26 V
-100
放点
0.2
输出低电平,B
B
OP
(吸收电流)
I
OUT
100
A
-200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度
°
C
DWG 。 GH- 052-1
环境温度
°
C
DWG 。 GH- 040-2
典型工作特性
输出电流限制
20
9.0
输出低电平,B
B
OP
(吸收电流)
0
8.0
-20
V
CC
= 16 V
在mA电源电流
电流限制毫安
V
CC
= 26 V
7.0
V
CC
= 12 V
-40
输出高电平,B
B
RP
(源电流)
-60
-50
6.0
V
CC
= 3.8 V
输出高电平,B
B
OP
输出低电平,B
B
RP
-25
0
25
50
75
100
125
150
5.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度
°
C
DWG 。 GH- 004-1
环境温度
°
C
DWG 。 GH- 028-2
4
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
3195
保护高温。 ,
有源下拉
霍尔效应锁存
3.8 V至26 V
与暂态
V
CC
1
C
绕行
X
3
TO
P
C
L
R
L
2
DWG 。 EH- 007
手术
在操作中,输出晶体管截止
直到磁场的强度
垂直于芯片的表面
超过阈值或操作点(B
OP
).
当磁场强度超过乙
OP
中,
输出晶体管开关ON (逻辑低电平)
并且可以吸收电流为35mA 。
输出晶体管开关OFF(一
逻辑高电平)时,磁场逆转
结果在下面的磁通密度
关闭阈值(B
RP
) 。这示于
传递特性曲线图(第2页) 。记
该设备锁存;即, S极
具有足够的强度将开启关闭装置。
去除南极将离开
设备。对北极的存在
足够的强度,需要打开
设备关闭。
在灵敏度切换点增加
随着温度的升高来补偿
为典型的铁素体磁体温度
的特点。磁铁的最简单的形式
其工作方式将这些装置是一个环
磁铁。操作的其他方法
可能。
测试电路和
典型用途
外部0.1
F
0.47
F
电容,具有良好的高频
特征,应连接端子1和2之间,以
绕过高电压噪声和降低EMI敏感性。
内部下拉电阻。
内部下拉电阻
(标称15千欧),以允许该装置的检测,而不
需要一个外部负载。
20
18
下拉电阻为kΩ
16
14
12
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度
°
C
DWG 。 GH- 060
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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