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数据表
3端子1A可调稳压
概述
的AZ317是一个可调节的三端阳性
与1.2V的非常低压差稳压器
1A的输出电流。使用2个外部电阻,
AZ317可以提供一个可调节的输出电压下降
至1.25V 。
的AZ317包括修整带隙REF-的电路
erence ,以保证输出电压精度为内
1%。它也提供限流和热关
下来。电流限校,以确保规定
输出电流和控制短路电流。该
片上热限制提供保护,防止
过载和环境温度下的任意组合
这会造成过度的结温。
该AZ317是标准的SOT- 223 , TO-可用
220-3 ,TO- 252-2 (1)和TO- 263-3功率封装。
AZ317
特点
·
·
·
·
·
·
·
典型1 %的输出电压容差
典型的0.01 % / V线路调整
典型的0.2 %,负载调整率
非常低压差电压: 1.2V ,在1A输出
当前
修剪限流
芯片上的热保护
工作结点温度: 0 125
o
C
应用
·
·
·
·
·
·
·
电脑主板
液晶显示器
显卡
DVD播放器
网络接口卡/开关
电信设备
打印机和其他外围设备
SOT-223
TO-220-3
TO- 252-2 (1)
TO-263-3
AZ317图1.包装类型
2007年3月修订版1.3
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
3端子1A可调稳压
引脚配置
H封装
(SOT-223)
3
V
OUT
2
1
输入
产量
ADJ
V
OUT
AZ317
牛逼套餐
(TO-220-3)
3
2
1
输入
产量
ADJ
(TO-252-2(1))
3
V
OUT
2
1
输入
产量
ADJ
的一揽子
(TO-263-3)
3
2
1
输入
产量
ADJ
图2. AZ317的引脚配置(顶视图)
功能框图
3
输入
关闭
当前
_
+
+
2
产量
1
ADJ
图3. AZ317的功能框图
2007年3月修订版1.3
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
3端子1A可调稳压
订购信息
AZ317
AZ317
电路类型
-
E1 :无铅
空白:铅锡
TR :磁带和卷轴
H: SOT - 223
T: TO- 220-3
D: TO- 252-2 ( 1 )
S: TO- 263-3
空白:管
SOT-223
TO-220-3
TO- 252-2 (1)
温度
TURE系列
0-125
o
C
0-125
o
C
0-125
o
C
0-125
o
C
产品型号
铅锡
AZ317HTR
AZ317T
AZ317D
AZ317DTR
AZ317S
AZ317STR
无铅
AZ317HTR-E1
AZ317T-E1
AZ317D-E1
AZ317DTR-E1
AZ317S-E1
AZ317STR-E1
铅锡
317H
AZ317T
AZ317D
AZ317D
AZ317S
AZ317S
标记ID
无铅
EH31A
AZ317T-E1
AZ317D-E1
AZ317D-E1
AZ317S-E1
AZ317S-E1
填料
TYPE
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
TO-263-3
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
2007年3月修订版1.3
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
3端子1A可调稳压
绝对最大额定值(注1 )
参数
输入电压
最高结温
储存温度
焊接温度(焊接, 10秒)
ESD(人体模型)
符号
V
IN
T
J
T
S
T
领导
ESD
-65
最大
20
150
150
300
4000
单位
V
o
AZ317
C
C
C
o
o
V
注1 :强调大于下"Absolute最大Ratings"上市可能会造成永久性损坏
装置。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
那些在"Recommended工作Conditions"表示是不是暗示。置身于"Absolute最大
Ratings"长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
输入电压
工作结温范围
符号
V
IN
T
J
V
OUT
+2
0
最大
15
125
单位
V
o
C
2007年3月修订版1.3
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
3端子1A可调稳压
电气特性
(标准结构和限制适用对于T
J
=25
o
C,
P≤最大功率耗散
除非另有说明。 ) (注2)
参数
参考电压
线路调整
负载调整率
热调节
输入输出电压差
电流限制
调节引脚电流
调节引脚电流变化
最小负载电流
纹波抑制
温度稳定性
长-term稳定性
RMS输出噪声( %的V
OUT
)
热阻,
结到外壳
T
A
=125
o
C, 1000小时
T
A
=25
o
C, 10Hz的
f
10kHz
SOT-223
TO-252
TO-220
TO-263
结温
1.4V≤(V
IN
-V
OUT
)
10V,
10mA
≤I
OUT
≤1A
3V≤ (V
IN
-V
OUT
)
15V
F = 120Hz的,C
OUT
= 1μF钽,
(V
IN
-V
OUT
) = 3V ,我
OUT
=1A
60
V
I
极限
符号
V
REF
S
V
Si
条件
10mA≤I
OUT
≤1A,
3V≤ (V
IN
-V
OUT
)
≤10V
I
OUT
20mA时, 3V≤V
IN
-V
OUT
≤10V
V
IN
-V
OUT
= 2V , 10mA≤I
OUT
≤1A
20ms的脉冲
I
OUT
=
1A
(V
IN
-V
OUT
) = 2V
1.2
1.20
典型值
1.25
0.01
0.2
0.04
1.2
1.5
50
0.2
3.5
75
1
0.3
0.003
15
10
4.5
4
150
25
o
AZ317
最大
1.30
0.04
0.4
0.07
1.3
1.8
100
5
10
单位
V
%/V
%
%/W
V
A
A
A
mA
dB
%
%
%
C / W
热关断
热关断迟滞
o
C
o
C
注2 :最大功率耗散是封装类型和外壳温度依赖性。请参见图12 。
2007年3月修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司
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