30WQ04FNPbF
公告PD- 21053转。 B 08/06
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
30WQ04FNPbF
40
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
*请参阅图。五
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流*请参阅图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
500
80
8.0
1.0
A
mJ
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲额定V
RRM
应用的
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
30WQ...
3.5
单位
A
条件
占空比为50％ @ T
C
= 135℃ ，矩形波形式的
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1安培， L = 16毫亨
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
*请参阅图。 1
(1)
30WQ...
0.53
0.67
0.49
0.62
单位
V
V
V
V
mA
mA
V
m
Ω
pF
nH
@ 3A
@ 6A
@ 3A
@ 6A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
马克斯。
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
I
RM
马克斯。反向漏电流
*请参阅图。 2
(1)
2
24
0.34
37.33
189
5.0
10000
V
F（ TO）
阈值电压
r
t
C
T
L
S
正向斜率电阻
典型结电容
典型的串联电感
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
dv / dt的最大值。变化的电压率
V / μs的（额定V
R
)
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比＆ LT ; 2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围（ * ）
马克斯。储存温度范围
30WQ...
-40至150
-40至150
4.7
0.3 (0.01)
- PAK
单位
°C
°C
° C / W DC操作
克（盎司）。
条件
R
thJC
马克斯。热阻结
到案
wt
大约重量
机箱样式
打标设备
（ * ） dPtot
DTJ
＆ LT ;
1
Rth的第（j-一）
*请参阅图。 4
类似TO- 252AA
30WQ04FN
热失控条件对自己的散热器二极管
2
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30WQ04FNPbF
公告PD- 21053转。 B 08/06
155
允许牛逼案例
emperature - （ ° C）
150
145
140
135
130
125
120
115
110
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
见说明（ 2 ）
3
平均功耗 - （瓦特）
2.5
2
1.5
1
0.5
0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
R LIMIT
MS
DC
DC
S
单方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定V
R
应用的
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 最大允许外壳温度
与平均正向电流
1000
图。 6 - 正向功率损耗特性
非-R
epetitive S
督促电流 - 我
FS
(A)
M
100
在任何特德· L
a
OAD电导率银行足球比赛
和有R
ated V
RRM
应用的
按S
URGE
10
10
100
1000
10000
S
单方波脉冲持续时间 - T的P（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
= 80 ％额定V
R
4
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30WQ03FNPbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.5 A
特点
??流行的D- PAK大纲
BASE
阴极
4, 2
可用的
??小脚印，表面贴装
低正向压降
??高频工作
RoHS指令*
柔顺
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
D- PAK
1
阳极
3
阳极
铅（Pb ） -free （ “的PbF ”后缀）
设计和合格的AEC Q101等级
描述
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
3.5 A
30 V
该30WQ03FNPbF表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用
小脚印在PC板。典型的应用是在
磁盘驱动器，开关电源，转换器，
续流二极管，电池充电和电池反接
保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
3.5
30
535
0.35
- 40150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
30WQ03FNPbF
30
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
参见图。五
最大峰值一个周期的非重复性
浪涌电流
参见图。 7
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 134 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2 A，L = 4 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
3.5
535
90
8
1.0
mJ
A
A
单位
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 94197
修订： 18 -APR- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
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1
30WQ03FNPbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.5 A
电气规格
参数
符号
3A
最大正向电压降
参见图。 1
V
调频（1）
6A
3A
6A
最大反向漏电流
SEE图。 2
阈值电压
正向斜率电阻
典型结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
V
F（ TO）
r
t
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= T
J
最大
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
测试条件
T
J
= 25 °C
值
0.45
0.52
0.35
0.46
2
50
0.22
32.86
290
5.0
10 000
mA
V
mΩ
pF
nH
V / μs的
V
单位
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到外壳
大约重量
打标设备
记
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJC
直流操作
见图。 4
测试条件
值
- 40150
4.7
0.3
0.01
单位
°C
° C / W
g
盎司
机箱样式D- PAK （类似TO- 252AA ）
30WQ03FN
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
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2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94197
修订： 18 -APR- 08
30WQ03FNPbF
肖特基整流器， 3.5 A
日前，Vishay高功率产品
100
I
F
- 正向电流（A ）
100
T
J
= 150 °C
I
R
- 反向电流（mA ）
10
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 100 °C
10
0.1
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
5
10
15
20
25
30
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
0
5
10
15
20
25
30
35
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
P
DM
1
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
t
1
t
2
单脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
0.01
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
文档编号： 94197
修订： 18 -APR- 08
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3
30WQ03FNPbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器， 3.5 A
150
允许外壳温度（ ℃）
2.2
2.0
DC
平均功耗（ W）
145
140
135
130
125
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
方
WAVE
(D = 0.50)
80 %
评级
V
R
应用的
DC
见注（ 1 ）
120
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
1
2
3
4
5
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
100
在任何额定负载条件
和
同
评级
V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94197
修订： 18 -APR- 08
30WQ03FNPbF
肖特基整流器， 3.5 A
日前，Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
30
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
W
2
Q
3
03
4
FN
5
TRL的PbF
6
7
额定电流（ 3.5 A）
包装Identi科幻器
W = D- PAK
肖特基“Q”系列
电压额定值（ 03 = 30 V）
FN = TO- 252AA （ D- PAK ）
无=管（ 50件）
TR =磁带和卷轴
TRL =带和卷轴（左为导向）
TRR =带和卷轴（右导向）
7
-
无=标准生产
PBF =铅（Pb ） - 免费
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