30BQ100PbF
公告PD- 20409转。 01/07
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
30BQ100PbF
100
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
30BQ
3.0
4.0
单位条件
A
占空比为50％ @ T
L
= 148 ° C，矩形波的形式
占空比为50％ @ T
L
= 138 ° C，矩形波的形式
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲
mJ
A
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.0A， L = 6mH
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 VA = 1.5× Vr的典型
以下任何额定
负载条件，
额定V
RRM
应用的
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
800
70
3.0
0.5
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
(1)
30BQ
0.79
0.90
0.62
0.70
单位条件
V
V
V
V
mA
mA
pF
nH
V / μs的
@ 3A
@ 6A
@ 3A
@ 6A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
（额定V
R
)
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
RM
C
T
L
S
马克斯。反向漏电流（ 1）
0.5
5.0
马克斯。结电容
典型的串联电感
115
3.0
10000
dv / dt的最大值。变化的电压率
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比＆ LT ; 2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。储存温度范围
(**)
46
° C / W DC操作
30BQ
- 55 175
12
单位
°C
°C
° C / W DC操作
条件
马克斯。结温范围（ * ） - 55 175
R
thJL
马克斯。热阻
交界处领导
R
thJA
马克斯。热阻
结到环境
wt
大约重量
机箱样式
器件标识
（ * ） dPtot
＆ LT ;
1
0.24 （ 0.008 ）， G（盎司）。
SMC
IR3J
为DO- 214AB相似
热失控条件对自己的散热器二极管
DTJ
Rth的第（j-一）
（**）安装1平方英寸的印刷电路板
2
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30BQ100PbF
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180
含铅允许温度（ ℃）
平均功耗（瓦）
2.5
DC
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
160
2
1.5
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
RMS限制
140
方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定Vr的应用
见说明（ 2 ）
1
0.5
0
DC
120
100
0
1
2
3
4
5
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 最大正向平均损耗
与平均正向电流
图。 4 - 最大平均正向电流
与允许焊接温度
不重复浪涌电流 - 我
FSM
(A)
1000
100
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
10
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
（微秒）
图。 6 - 最大峰值浪涌正向电流比。脉冲持续时间
(2)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
= 80 ％额定V
R
4
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30BQ100PbF
公告PD- 20409转。 01/07
概要表
器件标识： IR3J
2.75 (.108)
3.15 (.124)
5.59 (.220)
6.22 (.245)
阴极
阳极
6.60 (.260)
7.11 (.280)
.152 (.006)
.305 (.012)
2.00 (.079)
2.62 (.103)
.102 (.004)
0.76 (.030)
1.52 (.060)
7.75 (.305)
8.13 (.320)
.203 (.008)
1
2
1极性
2 PART NUMBER
SMC大纲
尺寸以毫米（英寸）
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
标记&鉴定
每个器件都具有2行鉴定。第一行表示该设备所制造的国际
整流器，由字母"IR"以及零件编号（表示指示当前，额定电压和
肖特基代） 。第二行表示年份，制造和站点ID的一周。
IR3J
电压
当前
IR徽标
PYWWX
站点ID
周
今年第2位
该年"standard product"的"Y" =第1位
"P" = "Lead ， Free"
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5
30BQ100PbF
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器，3A
特点
??小脚印，表面贴装
极低的正向电压降
??高频工作
阴极
阳极
可用的
RoHS指令*
柔顺
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
铅（Pb ） -free （ “的PbF ”后缀）
设计和工业级合格
SMC
描述
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
3.0 A
100 V
该30BQ100PbF表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用
小脚印在PC板。典型的应用是
在磁盘驱动器，开关电源，转换器，
续流二极管，电池充电和电池反接
保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3.0 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
3.0
100
800
0.62
- 55 175
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
30BQ100PbF
100
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
L
= 148 ℃，矩形波形
50％的占空比在T
L
= 138℃ ，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.0 ， L = 6 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
值
3.0
4.0
800
70
3.0
0.5
mJ
A
A
单位
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 94181
修订： 16 -APR- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
30BQ100PbF
日前，Vishay高功率产品
电气规格
参数
符号
3A
最大正向电压降
V
调频（1）
6A
3A
6A
最大反向漏电流
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
值
0.79
0.90
0.62
0.70
0.5
5.0
115
3.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
肖特基整流器，3A
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
最大热电阻，
交界处领导
最大热电阻，
结到环境
大约重量
打标设备
笔记
(1)
符号
T
J (1)
, T
英镑
R
thJL （2）
直流操作
R
thJA
测试条件
值
- 55 175
12
单位
°C
° C / W
46
0.24
0.008
g
盎司
V3J
机箱样式SMC （类似DO- 214AB ）
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB
(2)
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2
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94181
修订： 16 -APR- 08
30BQ100PbF
肖特基整流器，3A
日前，Vishay高功率产品
10
I
F
- 正向电流（A ）
10
I
R
- 反向电流（mA ）
T
J
= 175 °C
1
0.1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25°C
1
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
0.0001
0
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
20
40
60
80
100
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
（每站）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压（每腿）
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
10
0
20
40
60
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压（每腿）
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
100
10
P
DM
t
1
1
单脉冲
（热电阻）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
100
0.1
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
文档编号： 94181
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3
30BQ100PbF
日前，Vishay高功率产品
180
肖特基整流器，3A
含铅允许温度（ ℃）
2.5
平均功耗（ W）
2.0
160
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
RMS限制
1.5
140
1.0
DC
120
方
WAVE
(D = 0.50)
80%
评级
V
r
应用的
见注（ 1 ）
0.5
100
0
1
2
3
4
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0 3.5
4.0
4.5
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大平均正向电流与
允许焊接温度
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 最大正向平均功耗对比
平均正向电流
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
100
在任何额定负载条件
和
同
评级
V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
T
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大峰值浪涌正向电流与
脉冲持续时间
(1)
记
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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4
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
文档编号： 94181
修订： 16 -APR- 08
30BQ100PbF
肖特基整流器，3A
日前，Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
30
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
B
2
Q
3
100
4
TR
5
PBF
6
额定电流
B =单引线二极管
Q =肖特基“ Q”系列
额定电压（ 100 = 100 V）
无=盒（ 1000件）
TR =磁带和卷轴（ 3000件）
无=标准生产
PBF =铅（Pb ） - 免费
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5
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