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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符3型号页 > 首字符3的型号第60页 > 30BQ060TRPBF
30BQ015PbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 3.0一个
特点
125 ° (C T)
J
操作(V
R
< 5 V )
优化的OR- ing应用
超低正向压降
??高频工作
阴极
阳极
可用的
RoHS指令*
柔顺
??保护环,增强耐用性和长期
可靠性
高纯度,耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
铅(Pb ) -free ( “的PbF ”后缀)
设计和工业级合格
SMC
产品概述
I
F( AV )
V
R
I
RM
3.0 A
15 V
在100℃下50毫安
描述
该30BQ015PbF表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用
和非常小的脚印在PC板。该专利
屏障技术允许可靠运行高达125 ℃的
结温。典型的应用是在磁盘驱动器,
开关电源,转换器,续流二极管,
电池充电和电池反向保护。
主要额定值及特点
符号
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
1.0 APK ,T
J
= 75 °C
范围
特征
方波
3.0
15
650
0.30
- 55 125
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
30BQ015PbF
15
25
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F( AV )
测试条件
50%的占空比在T
L
= 83 ℃,矩形波形
50%的占空比在T
L
= 78 ℃,矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 0.5 A , L = 12毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
3.0
4.0
650
75
1.5
0.5
mJ
A
A
单位
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 94178
修订: 14 - 8 - 08
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
30BQ015PbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 3.0一个
电气规格
参数
符号
3A
最大正向电压降
V
调频(1)
6A
3A
6A
最大反向漏电流
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
(1)
脉冲宽度< 300微秒,占空比< 2 %
I
RM ( 1 )
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 75 °C
0.35
0.40
0.30
0.35
4
50
1120
3.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
(测试信号范围100 kHz至1 MHz)的25℃
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻,
交界处领导
最大热电阻,
结到环境
大约重量
打标设备
笔记
(1)
符号
T
J (1)
T
英镑
R
thJL (2)
直流操作
R
thJA
测试条件
- 55 125
- 55 150
12
单位
°C
° C / W
46
0.24
0.008
g
盎司
V3C
机箱样式SMC (类似DO- 214AB )
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB
(2)
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
文档编号: 94178
修订: 14 - 8 - 08
30BQ015PbF
肖特基整流器, 3.0一个
日前,Vishay高功率产品
100
I
F
- 正向电流(A )
10
I
R
- 反向电流(mA )
T
J
= 100 °C
10
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
1
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 25 °C
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
3
6
9
12
15
V
FM
- 正向压降( V)
图。 1 - 最大正向压降特性
(每站)
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压(每腿)
1000
C
T
- Juction电容(pF )
T
J
= 25 °C
100
0
4
8
12
16
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压(每腿)
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
100
10
P
DM
t
1
t
2
1
单脉冲
(热电阻)
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.1
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
100
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性(每腿)
文档编号: 94178
修订: 14 - 8 - 08
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
3
30BQ015PbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 3.0一个
110
100
90
80
70
60
50
1.5
含铅允许温度( ℃)
平均功耗( W)
DC
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
1.0
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
RMS限制
0.5
DC
方波( D = 0.50 )
80 %为V
R
应用的
见注( 1 )
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大平均正向电流与
允许焊接温度
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 6 - 最大正向平均功耗对比
平均正向电流
I
FSM
- 不重复浪涌电流(A )
1000
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间(微秒)
图。 7 - 最大峰值浪涌正向电流与
脉冲持续时间
(1)
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
= 80 %额定V
R
www.vishay.com
4
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
文档编号: 94178
修订: 14 - 8 - 08
30BQ015PbF
肖特基整流器, 3.0一个
日前,Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
30
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
B
2
Q
3
015
4
TR
5
PBF
6
额定电流
B =单引线二极管
Q =肖特基“ Q”系列
额定电压( 015 = 15 V )
无=盒( 1000件)
TR =磁带和卷轴( 3000件)
无=标准生产
PBF =铅(Pb ) - 免费
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最热资讯
包装信息
http://www.vishay.com/doc?95023
http://www.vishay.com/doc?95029
http://www.vishay.com/doc?95034
文档编号: 94178
修订: 14 - 8 - 08
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
5
VS-30BQ060PbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 3.0一个
特点
??小脚印,表面贴装
极低的正向电压降
??高频工作
??保护环,增强耐用性和长期
可靠性
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和工业级合格
阴极
阳极
SMC
产品概述
I
F( AV )
V
R
3.0 A
60 V
描述
在VS- 30BQ060PbF表面贴装肖特基整流器
被设计用于要求低正向压降的应用
小脚印在PC板。典型的应用是
在磁盘驱动器,开关电源,转换器,
续流二极管,电池充电和电池反接
保护。
主要额定值及特点
符号
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
3.0 APK ,T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
3.0
60
1200
0.52
- 55 150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-30BQ060PbF
60
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
在T
C
= 25 °C
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F( AV )
测试条件
50%的占空比在T
L
= 123 ℃,矩形波形
50%的占空比在T
L
= 113 ℃,矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 1.0 , L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
3.0
4.0
1200
130
5.0
1.0
mJ
A
A
单位
文档编号: 94180
修订: 04 -MAR- 10
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
1
VS-30BQ060PbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 3.0一个
电气规格
参数
符号
3A
最大正向电压降
V
调频(1)
6A
3A
6A
最大反向漏电流
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
(1)
脉冲宽度< 300微秒,占空比< 2 %
I
RM ( 1 )
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
0.58
0.76
0.52
0.66
0.5
20
180
3.0
10 000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
(测试信号范围100千赫TO1兆赫) ,25°C
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻,
交界处领导
最大热电阻,
结到环境
大约重量
打标设备
笔记
(1)
符号
T
J (1)
T
英镑
R
thJL (2)
直流操作
R
thJA
测试条件
- 55 150
12
单位
°C
° C / W
46
0.24
0.008
g
盎司
V3H
机箱样式SMC (类似DO- 214AB )
dP
合计
1
------------ ------------- <
热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
安装1"方形PCB
(2)
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
文档编号: 94180
修订: 04 -MAR- 10
VS-30BQ060PbF
肖特基整流器, 3.0一个
日前,Vishay高功率产品
I
F
- 正向电流(A )
10
100
I
R
- 反向电流(mA )
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
0.01
T
J
= 25 °C
0.1
0.1
0.001
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
10
20
30
40
50
60
V
FM
- 正向压降( V)
图。 1 - 最大正向压降特性(每腿)
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压(每腿)
1000
C
T
- 结电容(pF )
T
J
= 25 °C
100
10
0
10
20
30
40
50
60
70
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压(每腿)
Z
thJC
- 热阻( ° C / W)
100
10
1
单脉冲
热电阻)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
0.01
0.1
P
DM
t
1
t
2
0.1
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性(每腿)
文档编号: 94180
修订: 04 -MAR- 10
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
3
VS-30BQ060PbF
日前,Vishay高功率产品
肖特基整流器, 3.0一个
160
150
2.5
含铅允许温度( ℃)
平均功耗( W)
140
130
120
110
100
90
80
70
DC
2.0
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
RMS限制
1.5
80%的方波
(D = 0.50)
1.0
DC
0.5
见注( 1 )
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
I
F( AV )
- 平均正向电流( A)
图。 5 - 最大平均正向电流与
允许焊接温度
I
F( AV )
- 平均功耗电流(A )
图。 6 - 最大正向平均功耗对比
平均正向电流
I
FSM
- 不重复浪涌电流(A )
1000
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
T
p
- 方波脉冲持续时间(微秒)
图。 7 - 最大峰值浪涌正向电流比。脉冲持续时间
(1)
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
在(我
F( AV )
/ D ) (参见图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
在V
R1
= 80 %额定V
R
www.vishay.com
4
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
文档编号: 94180
修订: 04 -MAR- 10
VS-30BQ060PbF
肖特基整流器, 3.0一个
日前,Vishay高功率产品
订购信息表
器件代码
VS-
1
1
2
3
4
5
6
7
30
2
-
-
-
-
-
-
-
B
3
Q
4
060
5
TR
6
PBF
7
HPP产品后缀
额定电流
B =单引线二极管
Q =肖特基“ Q”系列
额定电压( 060 = 60 V)
无=盒( 1000件)
TR =磁带和卷轴( 3000件)
PBF =铅(Pb ) - 免费
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磁带和卷轴
体积
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www.vishay.com/doc?95029
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www.vishay.com/doc?95397
文档编号: 94180
修订: 04 -MAR- 10
如有技术问题,请联系:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
5
公告PD- 20408 07/04
30BQ060PbF
肖特基整流器器
3 AMP
I
F( AV )
= 3.0Amp
V
R
= 60V
主要额定值及特点
特征
I
F( AV )
矩形
波形
V
RRM
I
FSM
@ t
p
= 5 μs的正弦
V
F
T
J
@ 3.0 APK ,T
J
= 125°C
范围
描述/功能
单位
A
V
A
V
°C
该30BQ060PbF表面贴装肖特基整流器已
设计用于要求低正向压降和小应用程序
脚印在PC板。典型的应用是在磁盘驱动器,
开关电源,转换器,续流二极管,
电池充电和电池反向保护。
小脚印,表面贴装
极低的正向电压降
高频率运行
保护环,增强耐用性和长期
可靠性
无铅( "PbF"后缀)
价值
3.0
60
1200
0.52
- 55 150
表壳款式
30BQ060PbF
SMC
www.irf.com
1
30BQ060PbF
公告PD- 20408 07/04
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压( V)
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压( V)
30BQ060PbF
60
绝对最大额定值
参数
I
F( AV )
马克斯。平均正向电流
30BQ
3.0
4.0
单位条件
A
占空比为50% @ T
L
= 123 ° C,矩形波的形式
占空比为50% @ T
L
= 113 ° C,矩形波的形式
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲
mJ
A
T
J
= 25 ° C,I
AS
= 1.0A, L = 10MH
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大。 VA = 1.5× Vr的典型
以下任何额定
负载条件,
额定V
RRM
应用的
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流@ T
C
= 25°C
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
1200
130
5.0
1.0
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
(1)
30BQ
0.58
0.76
0.52
0.66
单位条件
V
V
V
V
mA
mA
pF
nH
V / μs的
@ 3A
@ 6A
@ 3A
@ 6A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5V
DC
(测试信号范围100kHz至1MHz ) 25℃
测铅铅从封装体5毫米
(额定V
R
)
V
R
=额定V
R
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
RM
C
T
L
S
马克斯。反向漏电流( 1)
0.5
20
马克斯。结电容
典型的串联电感
180
3.0
10000
dv / dt的最大值。变化的电压率
(1 )脉冲宽度: LT ; 300μS ,占空比& LT ; 2 %
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。储存温度范围
(**)
46
° C / W DC操作
30BQ
- 55 150
12
单位
°C
°C
° C / W DC操作
条件
马克斯。结温范围( * ) - 55 150
R
thJL
马克斯。热阻
交界处领导
R
thJA
马克斯。热阻
结到环境
wt
大约重量
机箱样式
器件标识
( * ) dPtot
DTJ
& LT ;
1
Rth的第(j-一)
0.24 ( 0.008 ), G(盎司)。
SMC
IR3H
为DO- 214AB相似
热失控条件对自己的散热器二极管
(**)安装1平方英寸的印刷电路板
2
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30BQ060PbF
公告PD- 20408 07/04
10
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
T = 150℃
J
125C
100C
75C
50C
25C
瞬时正向电流 - I
F
反向电流 - I
R
(MA )
(A)
1
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
60
T
J
= 150C
T
J
= 125C
结电容 - C
T
(P F)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压(每腿)
1000
中T = 25℃
J
中T = 25℃
J
100
0.1
0.1
10
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
正向电压下降 - V
FM
(V)
0.9
0
10
20
30
40
50
60
70
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压(每腿)
图。 1 - 最大。正向电压降
特性(每腿)
100
( ° C / W)
热阻抗Z
thJC
10
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
1
单脉冲
(热电阻)
t1
t2
0.1
注意事项:
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特性(每腿)
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3
30BQ060PbF
公告PD- 20408 07/04
160
含铅允许温度( ℃)
平均功耗(瓦)
2.5
2
1.5
150
140
130
120
110
100
90
80
70
0
1
2
3
4
5
平均正向电流 - I
F( AV )
(A)
见说明( 2 )
80%的方波
(D = 0.50)
DC
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
RMS限制
1
0.5
0
DC
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
平均正向电流 - I
F( AV )
(A)
图。 5 - 最大正向平均损耗
与平均正向电流
图。 4 - 最大平均正向电流
与允许焊接温度
(A)
1000
在任何额定负载条件
并与额定VRRM应用
以下浪涌
不重复浪涌电流 - 我
FSM
100
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
(微秒)
图。 6 - 最大峰值浪涌正向电流比。脉冲持续时间
(2)
公式中使用:T已
C
= T
J
- ( PD +钯
)个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F( AV )
X V
FM
@ (I
F( AV )
/
D) (参照图6) 。
Pd
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
( 1 - D) ;我
R
@ V
R1
= 80 %额定V
R
4
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30BQ060PbF
公告PD- 20408 07/04
概要表
器件标识: IR3H
2.75 (.108)
3.15 (.124)
5.59 (.220)
6.22 (.245)
阴极
阳极
6.60 (.260)
7.11 (.280)
.152 (.006)
.305 (.012)
2.00 (.079)
2.62 (.103)
0.76 (.030)
1.52 (.060)
7.75 (.305)
8.13 (.320)
.102 (.004)
.203 (.008)
1
2
1极性
2 PART NUMBER
SMC大纲
尺寸以毫米(英寸)
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994
标记&鉴定
每个器件都具有2行鉴定。第一行表示该设备所制造的国际
整流器,由字母"IR"以及零件编号(表示指示当前,额定电压和
肖特基代) 。第二行表示年份,制造和站点ID的一周。
IR3H
电压
当前
IR徽标
PYWWX
站点ID
今年第2位
该年"standard product"的"Y" =第1位
"P" = "Lead , Free"
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5
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