2N7002L ， 2V7002L
小信号MOSFET
60 V 115 mA时， N沟道SOT- 23
特点
2V前缀为汽车和其他需要现场和
变更控制
AEC合格
2V7002L
PPAP有能力
2V7002L
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
漏电流
连续T
C
= 25 ° C（注1 ）
连续
T
C
= 100 ° C（注1 ）
脉冲（注2）
栅源电压
连续
不重复（T
p
≤
50
女士）
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
D
价值
60
60
±
115
±
75
±
800
单位
VDC
VDC
MADC
1
V
（ BR ） DSS
60 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
7.5
W
@ 10 V,
500毫安
N沟道
3
I
D
最大
115毫安
I
DM
2
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
VDC
VPK
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注3 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
（注4 ）氧化铝基板，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
qJA
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
55
to
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
2
记号
图
SOT23
CASE 318
21风格
702 MG
G
1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
3， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 ％的氧化铝。
702
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
2N7002LT1G
2N7002LT3G
2V7002LT1G
2V7002LT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
， 2012年5月
启示录6
1
出版订单号：
2N7002L/D
2N7002L ， 2V7002L
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
ISSUE AP
D
SEE视图C
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线FINISH
厚度。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模FLASH ，
突起，或毛刺。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
q
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0
°
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
10
°
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
0
°
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
10
°
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
安森美半导体
和
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4
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