2SK974
L
， 2SK974
S
硅N沟道MOS FET
应用
DPAK-1
4
4
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器
- 可从5 V电源驱动
适用于电机驱动器， DC-DC变换器，
电源开关和电磁阀驱动器
2, 4
12
3
12
3
S型
L型
1
1.门
2.漏
3.源
4.漏
3
表1绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
*
**
PW
≤
10微秒，占空比
≤
1 %
在T值
C
= 25 °C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（峰）
*
I
DR
PCH **
总胆固醇
TSTG
评级
60
±20
3
12
3
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
2SK974 L， 2SK974 S
表2电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
民
60
典型值
—
最大
—
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
= -100 μA ，V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V *
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
±20
—
—
V
———————————————————————————————————————————
—
—
1.0
—
—
—
—
0.15
0.20
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
2.4
—
—
—
—
—
—
4.0
400
230
60
5
25
180
±10
100
2.0
0.18
0.25
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 15
A
A
V
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————
——————————–
I
D
= 2 A，V
GS
= 4 V *
I
D
= 2 A，V
DS
= 10 V *
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
————————————————————————————————
————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
————————————————————————————————
————————————————————————————————
————————————————————————————————
下降时间
t
f
—
75
—
ns
———————————————————————————————————————————
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
*脉冲测试
V
DF
t
rr
—
0.9
—
V
I
F
= 3 A，V
GS
= 0
I
F
= 3 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 50 A / μs的
———————————————————————————————————————————
—
85
—
ns
———————————————————————————————————————————
2SK974 L， 2SK974 S
体漏二极管反向
恢复时间
500
反向恢复时间吨
rr
（纳秒）
的di / dt = 50A / μs的，TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
10000
3000
电容C （PF ）
1000
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
200
100
50
西塞
300
100
CRSS
30
10
科斯
20
10
5
0.2
2
1.0
5
10
反向漏电流I
DR
(A)
0.5
20
0
10
20
30
40
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
80
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
16
500
开关特性
t
D（关闭）
200
开关时间t（ NS ）
100
t
f
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
60
V
DS
40
20
25 V
10 V
0
4
8
V
DD
= 50 V
12
V
GS
I
D
= 3 A
8
4
50 V
GS
= 10 V
PW = 2
s,
值班< 1 ％
20
10
5
0.1
t
r
16
栅极电荷Qg （ NC ）
12
0
20
t
D（上）
0.2
1.0
2
漏电流I
D
(A)
0.5
5
10
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