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2SK973

L

， 2SK973

S

硅N沟道MOS FET

应用

DPAK-1

4

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

4 V栅极驱动器

- 可从5 V电源驱动

适用于电机驱动器， DC-DC变换器，

电源开关和电磁阀驱动器

2, 4

12

3

12

3

S型

1.门

2.漏

3.源

4.漏

3

L型

1

表1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

*

**

PW

≤

10微秒，占空比

≤

1 %

在T值

C

= 25 °C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（峰）

*

I

DR

PCH **

总胆固醇

TSTG

评级

60

±20

2

8

2

10

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

———————————————————————————————————————————

2SK973 L， 2SK973 S

表2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

民

60

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

= -100 μA ，V

DS

= 0

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0

V

DS

= 50 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 1 A，V

GS

= 10 V *

———————————————————————————————————————————

±20

—

V

———————————————————————————————————————————

—

1.0

—

0.25

0.40

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

*脉冲测试

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

1.2

—

2.0

240

115

35

4

15

80

40

1.0

±10

100

2.0

0.35

0.50

—

S

pF

ns

V

I

F

= 2 A，V

GS

= 0

I

F

= 2 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 50 A / μs的

I

D

= 1 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 30

A

V

———————————————————————————————————————————

———————

——————————–

I

D

= 1 A，V

GS

= 4 V *

I

D

= 1 A，V

DS

= 10 V *

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

———————————————————————————————————————————

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

—

70

—

ns

———————————————————————————————————————————

2SK973 L， 2SK973 S

功率与温度降额

15

通道耗散P沟（W）的

50

30

漏电流I

D

(A)

10

最高安全工作区

10

5

is

n)

th

n

S（O

i

3

n个R

D

蒂奥

RA B

PE资讯科技教育

1.0

O

LIM

a

re

is

10

s

10

PW

0

s

DC

=

1

m

s(

1

Op

10

s

m

Sh

ot

)

er

ATI

o

0.3

0.1

TA = 25°C

n(

T

C

=

25

°C

)

0

50

100

150

0.05

0.1

案例温度T

C

(°C)

0.3

1.0

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

5

10 V

5V

4V

3.5 V

脉冲测试

5

典型的传输特性

–25°C

4

漏电流I

D

(A)

V

DS

= 10 V

脉冲测试

75°C

T

C

= 25°C

4

漏电流I

D

(A)

3

3V

3

2

1

2.5 V

V

GS

= 2 V

1

0

6

2

4

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

0

3

1

2

4

栅极至源极电压V

GS

(V)

5

2SK973 L， 2SK973 S

漏极至源极饱和电压

与门源电压

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

2.0

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

1.6

5A

1.2

脉冲测试

5

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

脉冲测试

2

1.0

0.5

10 V

0.2

0.1

0.05

0.2

V

GS

= 4 V

0.8

2A

0.4

I

D

= 1 A

0

6

2

4

8

10

栅极至源极电压V

GS

(V)

0.5 1.0

5

2

10

漏电流I

D

(A)

20

静态漏源导通状态

电阻与温度

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

脉冲测试

正向转移导纳

yfs

(S)

1.0

10

5

正向转移导纳

与漏电流

V

DS

= 10 V

–25°C

脉冲测试

T

C

= 25°C

0.8

I

D

= 2 A

0.6

V

GS

= 4 V

0.4

5A

0.2

V

GS

= 10 V

1 A, 2 A

1A

2

1.0

0.5

75°C

0.2

0.1

0.05

0

–40

0

40

120

80

案例温度T

C

(°C)

160

0.1

0.2

2

0.5 1.0

漏电流I

D

(A)

5

2SK973 L， 2SK973 S

体漏二极管反向

恢复时间

500

反向恢复时间吨

rr

（纳秒）

的di / dt = 50A / μs的，TA = 25℃

V

GS

= 0

脉冲测试

1000

300

电容C （PF ）

100

30

10

3

1

0.5 1.0

2

5

10

反向漏电流I

DR

(A)

20

0

典型的电容比。

漏源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

西塞

科斯

200

100

50

CRSS

20

10

5

0.2

10

20

50

30

40

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

80

V

DD

= 50 V

25 V

60

V

DS

40

20

V

DD

= 50 V

25 V

10 V

2

V

GS

I

D

= 2 A

8

4

10 V

12

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

16

100

开关特性

t

D（关闭）

50

开关时间t（ NS ）

t

f

20

t

r

10

5

t

D（上）

2

1

0.05

V

GS

= 10 V

PW = 2μs内，值班< 1 ％

0.1

0.5 1.0

0.2

2

漏电流I

D

(A)

5

0

4

6

8

栅极电荷Qg （ NC ）

0

10