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2SK435
硅n沟道FET的结
应用
低频/高频放大器
概要
TO-92 (2)
1.漏
2.源
3.门
3
2
1
2SK435
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
G
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
22
–22
100
10
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
栅源击穿
电压
门切断电流
门源截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
噪声系数
注意:
GRADE
I
DSS
符号
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
*
1
y
fs
西塞
CRSS
NF
–22
6
20
典型值
9.0
2.8
0.5
最大
–10
–2.5
40
11.0
4.0
3.0
单位
V
nA
V
mA
mS
pF
pF
dB
测试条件
I
G
= –10
A,
V
DS
= 0
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0
V
DS
= 5 V,I
D
= 10
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0 ,脉冲测试
V
DS
= 5 V,I
D
= 10毫安,
F = 1kHz时
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
= 5 V,I
D
= 1毫安,
F = 1kHz时, RG = 1kΩ的
1. 2SK435由I分组
DSS
如下。
B
6至14个
C
12至22
D
1830
E
26 40
2
2SK435
最大通道损耗曲线
400
信道功率耗散P
ch
( mW)的
20
V
GS
= 0V
典型的输出特性
漏电流I
D
(MA )
16
300
–0.1
–0.2
–0.3
12
200
8
–0.4
–0.5
100
4
–0.6
0
50
100
150
200
环境温度Ta (C )
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的传输特性
20
V
DS
= 5 V
正向转移导纳
y
fs
(女士)
100
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
10
漏电流I
D
(MA )
16
12
8
1.0
4
0
–1.25
–1.0 –0.75 –0.5 –0.25
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
0.1
0.1
1.0
10
漏电流I
D
(MA )
100
3
2SK435
Forwaed转移导纳
与门源电压
50
栅极切断电流I
GSS
( PA )
正向转移导纳
y
fs
(女士)
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
1,000
V
DS
= 0
100
门切断电流
与门源电压
40
30
10
20
10
1.0
0
–1.25
0.1
–1.0 –0.75 –0.5 –0.25
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
0
–10
–20
–30
–40
–50
栅极至源极电压V
GS
(V)
输入电容与
漏源极电压
F = 1 MHz的
V
GS
= 0
反向传输电容C
RSS
(PF )
100
输入电容C
国际空间站
(PF )
50
100
50
反向传输电容
与漏极至源极电压
F = 1 MHz的
V
GS
= 0
20
10
5
20
10
5
2
1
0.1
2
1
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
10
0.2
0.5 1.0
2
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
10
4
2SK435
噪声系数与
信号源电阻
12
10
8
6
4
2
0
10
V
DS
= 5 V
I
D
= 1毫安
F = 1千赫
噪声系数NF ( dB)的
100
1k
10 k
信号源电阻R
g
()
100 k
噪声系数与频率的关系
12
10
8
6
4
2
0
10
V
DS
= 5 V
I
D
= 1毫安
RG = 1千欧
噪声系数NF ( dB)的
100
1k
10 k
频率f(赫兹)
100 k
5
2SK435
硅n沟道FET的结
REJ03G0812-0200
(上ADE- 208-1171 )
Rev.2.00
Aug.10.2005
应用
低频/高频放大器
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003DB -C
(包名称: TO- 92 ( 2)条)
1.漏
2.源
3.门
3
2
1
Rev.2.00 2005年8月10日第1页5
2SK435
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
G
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
22
–22
100
10
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
栅源击穿电压
门切断电流
门源截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
噪声系数
注意:
符号
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
*
1
|y
fs
|
西塞
CRSS
NF
–22
12
20
典型值
9.0
2.8
0.5
最大
–10
–2.5
30
11.0
4.0
3.0
单位
V
nA
V
mA
mS
pF
pF
dB
测试条件
I
G
= –10
A,
V
DS
= 0
V
GS
= –15 V, V
DS
= 0
V
DS
= 5 V,I
D
= 10
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0 ,脉冲测试
V
DS
= 5 V,I
D
= 10毫安,
F = 1kHz时
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
= 5 V,I
D
= 1毫安,
F = 1kHz时, RG = 1kΩ的
1. 2SK435由I分组
DSS
如下。
GRADE
C
12至22
1830
D
I
DSS
Rev.2.00 2005年8月10日第2页5
2SK435
最大通道损耗曲线
400
信道功率耗散P
ch
( mW)的
典型的输出特性
20
V
GS
= 0V
300
漏电流I
D
(MA )
16
0.1
0.2
12
200
0.3
8
0.4
0.5
0.6
100
4
0
50
100
150
200
0
2
4
6
8
10
周围温度Ta (
°
C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的传输特性
20
V
DS
= 5 V
正向转移导纳
y
fs
(女士)
正向转移导纳
与漏电流
100
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
10
漏电流I
D
(MA )
16
12
8
1.0
4
1.25
0
1.0
0.75
0.5
0.25
0
0.1
0.1
1.0
10
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(MA )
Forwaed转移导纳
与门源电压
50
栅极切断电流I
GSS
( PA )
正向转移导纳
y
fs
(女士)
门切断电流
与门源电压
1,000
40
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
V
DS
= 0
100
30
10
20
10
1.0
1.25
0
1.0
0.75
0.5
0.25
0.1
0
0
10
20
30
40
50
栅极至源极电压V
GS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
Rev.2.00 2005年8月10日第3页5
2SK435
输入电容与
漏源极电压
F = 1 MHz的
V
GS
= 0
反向传输电容C
RSS
(PF )
反向传输电容
与漏极至源极电压
100
50
F = 1 MHz的
V
GS
= 0
100
输入电容C
国际空间站
(PF )
50
20
10
5
20
10
5
2
1
0.1
2
1
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
10
0.2
0.5
1.0
2
5
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
噪声系数与
信号源电阻
噪声系数与频率的关系
12
10
8
6
4
2
0
10
V
DS
= 5 V
I
D
= 1毫安
F = 1千赫
12
10
8
6
4
2
0
10
V
DS
= 5 V
I
D
= 1毫安
RG = 1千欧
噪声系数NF ( dB)的
100
1k
10 k
100 k
噪声系数NF ( dB)的
100
1k
频率f(赫兹)
10 k
100 k
信号源电阻R
g
()
Rev.2.00 2005年8月10日第4
2SK435
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-43A
瑞萨代码
PRSS0003DA-C
包名称
TO-92 (2)/ TO-92 (2 )V
质量[典型值]
0.25g
单位:mm
4.8 ± 0.3
3.8 ± 0.3
2.3最大
0.5最大
0.7
0.60 MAX
12.7分
5.0 ± 0.2
0.5最大
1.27
2.54
订购信息
部件名称
2SK435CTZ
2SK435DTZ
QUANTITY
2500
2500
中海集装箱
径向编带包装,保持箱
径向编带包装,保持箱
注:对于某些牌号,产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处,检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 2005年8月10日第5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK435
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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RENESAS
15+
99000
SOT143
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电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
2SK435
HITACHI/日立
22+
33000
TO-92
百分百进口正品原装现货 支持实单!
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SK435
2024
32661
to-92
原装现货上海库存!专营进口元件
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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Hitachi
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电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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联系人:陈小姐
地址:深圳市福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
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