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订购数量: ENA1413
2SK4192LS
三洋半导体
数据表
2SK4192LS
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻,低输入电容,超高速开关。
采用高可靠性HVP过程。
附件操作性是由云母少包好。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量(单脉冲) * 4
雪崩电流* 5
符号
VDSS
VGSS
IDc*1
IDpack*2
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
只有最高温度总胆固醇= 150℃限制
TC = 25°C (SANYO的理想的散热条件* 3 )
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
TC = 25°C (SANYO的理想的散热条件* 3 )
条件
评级
400
±30
7
6.1
23
2.0
30
150
--55到150
161
7
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
注意:
*1
显示芯片性能
*2
包装有限公司
*3
三洋的条件是从背面照射。
该方法是将硅脂到设备的背面和安装该装置的水冷散热器由铝制成。
*4
VDD = 99V , L = 5mH , IAV = 7A
*5
L
5mH ,单脉冲
标记: K4192
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有,关于产品
"standard application" ,意为用作一般电子设备(家电,影音设备,
通信设备,办公自动化设备,工业设备等)。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" (医疗设备,其目的是维持生命,
航空航天仪器,核控制设备,燃烧设备,交通运输设备,交通信号
系统,安全设备等)应要求可靠性非常高的水平,可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体,也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围,例如使用的应用程序
应用程序,请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的,我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能,特点和所描述的产品在独立的国家职能,并
不是性能,特点,以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个被评估
独立的设备,客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
20409QB MS IM TC- 00001838号A1413-1 / 5
2SK4192LS
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
ID = 10毫安, VGS = 0V
VDS = 320V , VGS = 0V
VGS = ± 30V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V , ID = 3.5A
ID = 3.5A , VGS = 10V
VDS = 30V , F = 1MHz的
VDS = 30V , F = 1MHz的
VDS = 30V , F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 200V ,V GS = 10V ,ID = 7A
VDS = 200V ,V GS = 10V ,ID = 7A
VDS = 200V ,V GS = 10V ,ID = 7A
IS = 7A , VGS = 0V
评级
400
100
±100
3
1.6
3.1
0.8
360
90
19
13
35
39
17
15
3.5
8.9
0.9
1.2
1.04
5
典型值
最大
单位
V
μA
nA
V
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7509-002
10.0
3.2
3.5
7.2
4.5
2.8
16.1
16.0
0.9
1.2
0.75
14.0
3.6
1.2
0.7
1 2 3
2.4
1 :门
2 :排水
3 :源
三洋: TO- 220FI ( LS )
2.55
2.55
开关时间测试电路
PW=10μs
D.C.≤0.5%
VGS=10V
D
VDD=200V
0.6
雪崩电阻测试电路
L
ID=3.5A
RL=57Ω
VOUT
10V
0V
2SK4192LS
50Ω
VDD
≥50Ω
RG
G
2SK4192LS
P.G
RGS=50Ω
S
第A1413-2 / 5
2SK4192LS
18
16
14
ID - VDS
Tc=25
°
C
15V
18
16
ID - VGS
VDS=20V
10V
TC = --25
°
C
25
°
C
75
°
C
14
漏极电流ID -
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
漏极电流ID -
12
10
8
6
4
8V
VGS=5V
20
25
6V
30
IT14402
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
漏极至源极电压VDS - V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
RDS ( ON) - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
3.0
RDS ( ON) - 锝
IT14403
ID=3.5A
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) -
Ω
2.5
2.0
1.5
Tc=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
1.0
=10
V GS
5A
=3.
V, I D
0.5
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
栅极 - 源极电压VGS - V
7
|
y
fs
|
- ID
25
IT14404
3
2
10
7
5
外壳温度,TC -
°
C
IS - VSD
IT14405
正向转移导纳,
|
y
fs
|
-- S
5
3
2
VDS=10V
VGS=0V
°
C
源出电流,是 - 个
Tc
1.0
7
5
3
2
5
°
C
--2
=
3
2
1.0
7
5
C
75
°
0.1
7
5
3
2
0.1
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
0.01
0.2
0.4
Tc=7
5
°
C
0.6
3
2
--25
°
C
0.8
25
°
C
1.0
1.2
1.4
IT14407
漏极电流ID -
5
3
SW时间 - ID
IT14406
2
西塞,科斯,的Crss - VDS
二极管的正向电压, VSD - V
VDD=200V
VGS=10V
西塞,科斯,的Crss - pF的
f=1MHz
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
切换时间, SW时间 - NS
2
西塞
100
7
5
3
2
tf
TD (关闭)
科斯
tr
TD (上)
10
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
IT14408
CRSS
0
10
20
30
40
50
IT14409
漏极电流ID -
漏极至源极电压VDS - V
第A1413-3 / 5
2SK4192LS
10
9
VGS - 的Qg
VDS=200V
ID=7A
漏极电流ID -
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
IDP=23A
IDc(*1)=7A
IDpack(*2)=6.1A
DC
PW<10μs
栅极 - 源极电压VGS - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
op
e
1
10
0
μ
s
0
1
μ
s
10
ms
10
ms
0m
s
ra
TIO
n
操作
这个区域是
受限于RDS ( ON) 。
Tc=25°C
单脉冲
2 3
5 7 1.0
0.01
0.1
*1.
显示芯片性能
*2.
三洋理想的散热条件
2 3
5 7 10
2 3
5 7 100
2 3
5 7
总栅极电荷QG - 数控
2.5
PD - TA
IT14410
35
漏极至源极电压VDS - V
PD - 锝
IT14411
允许功耗, PD - 含
允许功耗, PD - 含
30
25
20
15
10
5
0
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
120
EAS - TA
IT14412
外壳温度,TC -
°C
IT14413
雪崩能量降额因子 - %
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
IT10478
环境温度,钽 -
°C
第A1413-4 / 5
2SK4192LS
注意使用情况:由于2SK4192LS是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数)
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品,然而,任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的,这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件,危及人的生命,麻烦,可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备,
采取安全措施,这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计,冗余设计误差防止电路,以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制,这些产品可能需要
从有关根据上述法律,当局出口许可证。
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党的它,是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
该目录规定的2月, 2009年说明和信息,在此受
更改,恕不另行通知。
PS第A1413-5 / 5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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