【数据表MOS场效应2SK4178开关N沟道功率MOS FET描述的2SK4178是N沟道MOS FE】,IC型号2SK4178-ZK-E2-AY,2SK4178-ZK-E2-AY PDF资料,2SK4178-ZK-E2-AY经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应

2SK4178

开关

N沟道功率MOS FET

描述

的2SK4178是N沟道MOS FET器件，具有一个低通态电阻和开关特性优良，

并设计用于低电压高电流的应用，如直流/直流转换器与同步整流器。

特点

低通态电阻

R

DS(on)1

= 9.0 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 30 A)

低栅极到漏极电荷

Q

GD

= 3.7 NC TYP 。（V

DD

= 15 V，I

D

= 30 A)

4.5 V驱动器可用

订购信息

产品型号

2SK4178(1)-S27-AY

2SK4178-ZK-E1-AY

2SK4178-ZK-E2-AY

记

铅电镀

填料

管75的P /管

包

的TO- 251 （ MP-3 -b）的典型值。 0.34克

TO- 252 （ MP - 3ZK ）（典型值）。 0.27克

纯Sn （锡）

带2500 P /卷

记

无铅（此产品不含Pb在外部电极）。

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

(TO-251)

30

±20

±48

±144

33

1.0

150

55

to

+150

23

52.9

V

A

W

°C

A

mJ

(TO-252)

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T1

P

T2

T

ch

T

英镑

总功率耗散（T

C

= 25°C)

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note2

I

AS

E

AS

注意事项1 。

PW

≤

10

μ

S，占空比

≤

1%

2.

起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

= 15 V ，R

G

= 25

Ω,

V

GS

= 20

→

0 V，L = 0.1 mH的

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

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一号文件D19080EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2007年NS月

日本印刷

2007

2SK4178

电气特性（T

A

= 25°C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门源阈值电压

正向转移导纳

记

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

测试条件

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

±20

V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μ

A

V

DS

= 10 V，I

D

= 12 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 30 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 12 A

V

DS

= 10 V,

V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

V

DD

= 15 V，I

D

= 30 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 3

Ω

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±100

单位

μ

A

nA

V

S

1.5

7

2.0

15

6.8

9.8

1500

360

126

9

9.7

32

7.7

2.5

漏极至源极导通电阻

9.0

15

mΩ

pF

ns

nC

Ω

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G1

Q

G2

V

DD

= 15 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 30 A

V

DD

= 15 V, V

GS

= 4.5 V，I

D

= 30 A

V

DD

= 15 V，I

D

= 30 A

24

11.5

3.7

1.2

门源费

栅漏电荷

栅极电阻

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

记

Q

GS

Q

GD

R

G

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

I

F

= 30 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 30 A，V

GS

= 0 V,

的di / dt = 100 A /

μ

s

0.87

29

23

1.5

V

ns

nC

记

脉冲

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

Ω

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

BV

DSS

V

DS

V

GS

0

τ

起始物为

ch

τ

= 1

μ

s

占空比

≤

1%

V

DS

电波表

测试电路2开关时间

L

V

DD

PG 。

D.U.T.

R

L

V

GS

V

GS

R

G

电波表

50

Ω

0

10%

V

GS

90%

V

DD

V

DS

90%

10%

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

0

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

50

Ω

R

L

V

DD

PG 。

2

数据表D19080EJ1V0DS

2SK4178

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

120

40

总功耗对比

外壳温度

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

P

T

- 总功耗 - W

35

30

25

20

15

10

5

0

25

50

75

100

125

150

T

C

- 外壳温度 -

°C

正向偏置安全工作区

1000

I

D（脉冲）

T

C

- 外壳温度 -

°C

漏电流与外壳温度

80

70

I

D

- 漏电流 - 一个

1

i

0

10

d

IT ê

林V）

)

on

S(

1

i

0

R

GS

=

(V

μ

s

I

D

- 漏电流 - 一个

100

I

D（ DC）的

PW

=

60

50

40

30

20

10

0

Po

w

er

D

is

si

p

at

io

n

1

T

C

= 25°C

单脉冲

Li

m

IT ê

d

1

i

M传

i

1

i

0 M传

i

0.1

1

10

100

0

25

50

75

100

125

150

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

T

C

- 外壳温度 -

°C

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

R

第（章-a）的

= 125°C / W

100

10

R

TH（ CH-C ）

= 3.8 ° C / W

1

单脉冲

0.1

100

μ

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表D19080EJ1V0DS

3

2SK4178

漏电流与

漏源极电压

200

V

GS

= 10 V

100

10

正向传递特性

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

150

1

0.1

0.01

0.001

100

4.5 V

T

ch

=

55°C

25°C

75°C

125°C

150°C

V

DS

= 10 V

脉冲

0

1

2

3

4

5

50

脉冲

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

门源阈值电压 -

通道温度

V

GS （ TH）

- 门源阈值电压 - V

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

3

2.5

2

1.5

1

0.5

0

-75

-25

25

75

125

175

V

DS

= V

GS

I

D

= 250

μA

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

V

DS

= 10 V

脉冲

T

ch

=

55°C

25°C

10

1

25°C

75°C

125°C

150°C

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

T

ch

- 通道温度 -

°C

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

15

I

D

= 30 A

9.6 A

10

脉冲

20

15

V

GS

= 4.5 V

10

5

10 V

脉冲

5

0

1

10

100

1000

I

D

- 漏电流 - 一个

0

5

10

15

20

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

4

数据表D19080EJ1V0DS

2SK4178

漏极至源极导通电阻与

通道温度

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

20

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 12 A

10000

电容与漏极TO

源极电压

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

15

C

国际空间站

1000

C

OSS

10

10 V ， 30 A

5

脉冲

0

-75

-25

25

75

125

175

100

C

RSS

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

10

0.1

1

10

100

T

ch

- 通道温度 -

°C

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

100

动态输入/输出特性

30

10

V

DD

= 24 V

15 V

8

6

15

10

5

0

V

GS

4

2

V

DS

0

10

20

I

D

= 30 A

0

30

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

t

D（关闭）

t

f

10

t

D（上）

t

r

V

DD

= 15 V

V

GS

= 10 V

R

G

= 3

Ω

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

25

20

1

I

D

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

源极到漏极二极管

正向电压

1000

反向恢复时间对比

二极管的正向电流

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

100

10

1

0.1

10 V

V

GS

= 4.5 V

0V

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

100

10

V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A / μs的

1

0.1

1

10

100

脉冲

0.01

0

0.5

1

1.5

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

数据表D19080EJ1V0DS

5

V

GS

- 栅极至源极电压 - V