订购数量： ENA0748
2SK4126
三洋半导体
数据表
N沟道MOSFET硅
2SK4126
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻，低输入电容，超高速开关。
采用高可靠性HVP过程。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
TC = 25°C （SANYO的理想的散热条件）
条件
评级
650
±30
15
48
2.5
170
150
--55到150
132
15
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
*1
VDD = 99V ， L = 1MH ， IAV = 15A
*2
L≤1mH ，单脉冲
标记： K4126
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
61307QB TI IM TC- 00000730号A0748-1 / 5
2SK4126
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
ID = 10毫安， VGS = 0V
VDS = 520V ， VGS = 0V
VGS = ± 30V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 7.5A
ID = 6A ， VGS = 10V
VDS = 30V ， F = 1MHz的
VDS = 30V ， F = 1MHz的
VDS = 30V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 15A
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 15A
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 15A
IS = 15A ， VGS = 0V
3
4.1
8.2
0.55
1200
208
44
27
80
45
50
45.4
8.3
25.8
0.95
1.3
0.72
评级
民
650
100
±100
5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7503-004
15.6
14.0
4.8
3.2
2.0
2.6
3.5
2.0
1.6
1.3
20.0
15.0
20.0
1.2
1.0
0.6
1
2 3
0.6
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 3PB
5.45
5.45
开关时间测试电路
VIN
10V
0V
VIN
ID=7.5A
RL=26.7
VDD=200V
1.4
雪崩电阻测试电路
L
≥50
RG
D
PW=10s
D.C.≤0.5%
VOUT
2SK4126
10V
0V
G
50
VDD
2SK4126
P.G
RGS=50
S
第A0748-2 / 5
2SK4126
注意使用情况：由于2SK4126是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品提intellctual产权
以上。
该目录规定的6月， 2007年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS第A0748-5 / 5
订购数量： ENA0748A
2SK4126
三洋半导体
数据表
N沟道MOSFET硅
2SK4126
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻，低输入电容，超高速开关。
采用高可靠性HVP过程。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 2
雪崩电流* 3
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
TC = 25°C （SANYO的理想的散热条件） * 1
条件
评级
650
±30
15
48
2.5
170
150
--55到150
132
15
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
*1
三洋的条件是从背面照射。
该方法是将硅脂到设备的背面和安装该装置的水冷散热器由铝制成。
*2
VDD = 99V ， L = 1MH ， IAV = 15A
*3
L≤1mH ，单脉冲
标记： K4126
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
D0507 TI IM TC- 00001054 / 61307QB TI IM TC- 00000730号A0748-1 / 5
2SK4126
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
ID = 10毫安， VGS = 0V
VDS = 520V ， VGS = 0V
VGS = ± 30V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 7.5A
ID = 6A ， VGS = 10V
VDS = 30V ， F = 1MHz的
VDS = 30V ， F = 1MHz的
VDS = 30V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 15A
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 15A
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 15A
IS = 15A ， VGS = 0V
评级
民
650
100
±100
3
4.1
8.2
0.55
1200
208
44
27
80
45
50
45.4
8.3
25.8
0.95
1.3
0.72
5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7503-004
15.6
14.0
4.8
3.2
2.0
2.6
3.5
2.0
1.6
1.3
20.0
15.0
20.0
1.2
1.0
0.6
1
2 3
0.6
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 3PB
5.45
5.45
开关时间测试电路
VIN
10V
0V
VIN
ID=7.5A
RL=26.7
VDD=200V
1.4
雪崩电阻测试电路
L
≥50
RG
D
PW=10s
D.C.≤0.5%
VOUT
2SK4126
10V
0V
G
50
VDD
2SK4126
P.G
RGS=50
S
第A0748-2 / 5
2SK4126
注意使用情况：由于2SK4126是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品中提到的知识产权
以上。
该目录规定的12月， 2007年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS第A0748-5 / 5
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