【数据表MOS场效应2SK4081开关N沟道功率MOS FET描述的2SK4081是N沟道MOS FE】,IC型号2SK4081-S27-AY,2SK4081-S27-AY PDF资料,2SK4081-S27-AY经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应

2SK4081

开关

N沟道功率MOS FET

描述

的2SK4081是N沟道MOS FET器件，具有一个低的栅极电荷和开关特性优良，并

专为高电压应用，如开关电源， AC适配器。

特点

低通态电阻

R

DS （ ON）

= 5

Ω

MAX 。（V

GS

= 10 V，I

D

= 1.0 A)

低栅电荷

Q

G

= 7.2 NC TYP 。（V

DD

= 450 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 2.0 A)

栅极电压等级：

±30

V

雪崩能力评级

<R>

订购信息

产品型号

2SK4081-S15-AY

记

铅电镀

填料

管70的P /管

包

的TO- 251 （ MP-3 -a）的典型值。 0.39克

的TO- 251 （ MP-3 -b）的典型值。 0.34克

TO- 252 （ MP - 3ZK ）（典型值）。 0.27克

2SK4081(1)-S27-AY

2SK4081-ZK-E1-AY

2SK4081-ZK-E2-AY

纯Sn （锡）

管75的P /管

带2500 P /卷

记

无铅（此产品不含Pb在外部电极）。

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

(TO-251)

600

±30

±2.0

±8.0

30

1.0

150

55

to

+150

1.4

117

V

A

W

°C

A

mJ

(TO-252)

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T1

Note2

总功率耗散（T

C

= 25°C)

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note3

P

T2

T

ch

T

英镑

I

AS

E

AS

注意事项1 。

PW

≤

10

μ

S，占空比

≤

1%

2.

装在40毫米×40毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板

3.

起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

= 150 V ，R

G

= 25

Ω,

V

GS

= 20

→

0 V

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签

销售代表查询产品供应及其他信息。

一号文件D18785EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2007年NS月

日本印刷

2007

标记<R>表示主要修改点。

"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。

2SK4081

电气特性（T

A

= 25°C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

栅极到源截止电压

正向转移导纳

记

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

测试条件

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

±30

V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 1.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 1.0 A

V

DS

= 10 V,

V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

V

DD

= 150 V，I

D

= 1.0 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 10

Ω

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±100

单位

μ

A

nA

V

S

2.5

0.35

3.0

3.5

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

记

4.2

230

95

11

7

13

13.5

5

Ω

pF

ns

nC

V

DD

= 450 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 2.0 A

I

F

= 2.0 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 2.0 A，V

GS

= 0 V,

的di / dt = 100 A /

μ

s

7.2

2.9

3.0

0.87

175

550

1.5

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

ns

nC

记

脉冲

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

Ω

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

BV

DSS

V

DS

V

GS

0

τ

起始物为

ch

τ

= 1

μ

s

占空比

≤

1%

V

DS

电波表

测试电路2开关时间

L

V

DD

PG 。

D.U.T.

R

L

V

GS

V

GS

R

G

电波表

50

Ω

0

10%

V

GS

90%

V

DD

V

DS

90%

10%

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

0

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

50

Ω

R

L

V

DD

PG 。

2

数据表D18785EJ2V0DS

2SK4081

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

120

总功耗对比

外壳温度

35

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

P

T

- 总功耗 - W

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

30

25

20

15

10

5

0

25

50

75

100

125

150

T

ch

- 通道温度 -

°C

T

C

- 外壳温度 -

°C

漏电流与外壳温度

2.5

正向偏置安全工作区

100

10

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D（脉冲）

I

D（ DC）的

1

i

PW

=1

i

1

0.1

0.01

R

GS

(V

o

S(

n)

I

D

- 漏电流 - 一个

00

2

μ

s

d

IT ê

林V）

i

0

=1

1.5

1

0.5

0

m

i

s

1

i

0

w

Po

D

er

is

p

si

io

at

n

m

i

s

d

IT ê

m

Li

T

C

= 25°C

单脉冲

0.001

0.1

1

10

100

1000

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

0

25

50

75

100

125

150

T

C

- 外壳温度 -

°C

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

R

第（章-a）的

= 125°C /无线网络

100

10

R

TH（ CH-C ）

= 4.167 ° C /无线网络

1

0.1

单脉冲

0.01

100

μ

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表D18785EJ2V0DS

3

2SK4081

漏电流与

漏源极电压

正向传递特性

6

5

I

D

- 漏电流 - 一个

10

V

DS

= 10 V

脉冲

V

GS

= 20 V

10 V

I

D

- 漏电流 - 一个

4

3

2

1

T

ch

=

55°C

40°C

25°C

75°C

125°C

150°C

0

4

8

12

16

20

0.1

脉冲

0

5

10

15

20

25

30

35

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

0.01

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

门源截止电压主场迎战

通道温度

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

6

5

4

3

2

1

0

-75

-25

25

75

125

175

V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

10

正向转移导纳主场迎战

漏电流

V

DS

= 10 V

脉冲

1

25°C

75°C

125°C

150°C

T

ch

=

55°C

40°C

25°C

0.1

0.01

0.1

1

10

T

ch

- 通道温度 -

°C

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

Ω

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

Ω

12

10

8

6

4

2

脉冲

0

5

10

15

20

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

12

10

8

6

V

GS

= 10 V

4

20 V

2

脉冲

0

0.01

0.1

1

10

I

D

= 2.0 A

1.0 A

I

D

- 漏电流 - 一个

4

数据表D18785EJ2V0DS

2SK4081

漏极至源极导通电阻与

通道温度

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

Ω

电容与

漏源极电压

12

10

8

6

1.0 A

4

2

0

-75

-25

25

75

125

175

T

ch

- 通道温度 -

°C

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

10000

V

GS

= 10 V

脉冲

I

D

= 2.0 A

1000

C

国际空间站

100

10

1

0.1

1

10

100

1000

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

C

OSS

C

RSS

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

开关特性

动态输入/输出特性

600

12

V

DD

= 450 V

300 V

150 V

V

GS

300

200

100

0

V

DS

I

D

= 2.0 A

0

1

2

3

4

5

6

7

8

6

4

2

10

8

1000

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

500

400

100

t

f

t

D（关闭）

t

D（上）

10

t

r

1

0.1

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

源极到漏极二极管

正向电压

反向恢复时间对比

二极管的正向电流

100

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

1000

10

V

GS

= 10 V

1

100

0.1

0V

脉冲

0.01

0

0.5

1

1.5

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 V

10

0.1

1

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

10

数据表D18785EJ2V0DS

5

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

V

DD

= 150 V

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

Ω