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2SK4034
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( U- MOSⅡ )
2SK4034
开关稳压器, DC- DC转换器应用
电机驱动应用
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 4.2毫欧(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 110 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 60 V)
增强型: V
th
= 1.52.5 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
DC
漏电流
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
60
60
±20
75
300
125
322
75
12.5
150
55
150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
脉冲(T
1毫秒)
(注1 )
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
SC-97
2-9F1B
重量0.74克(典型值)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
符号
R
TH( CH-C )
最大
1.0
单位
° C / W
注意:使用S1管脚返回门
信号源。板上的走线应
被设计成使得所述主电流流
在S2引脚。
4
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
25 V ,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
78
μH,
R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
75 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
注4 :在重负载下连续使用(例如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化,
等)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)
在绝对最大额定值。
请在审查东芝设计相应的可靠性
半导体可靠性手册( “注意事项” / “减额
概念及方法“ )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
2
3
1
2009-09-29
2SK4034
电气特性
(注5 ) (大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSX
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
10 V
0V
4.7
Ω
I
D
=
38 A
R
L
=
0.79Ω
V
OUT
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
60 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
-20 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
38 A
V
GS
=
4.5 V,I
D
=
38 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
38 A
60
35
1.5
55
V
DD
48 V, V
GS
=
10 V,
I
D
=
75 A
典型值。
4.2
5.5
110
12400
410
1100
15
35
45
250
196
148
48
最大
±10
100
2.5
5.8
10
ns
nC
pF
单位
μA
μA
V
V
V
S
V
DD
30V
1%, t
w
=
10
μs
注5: S1和S2引脚应接地在一起,测量开关时间时除外。
源极 - 漏极额定值和特性
(注6 ) (大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 ,注6 )
(注1 ,注6 )
(注1 ,注6 )
(注1 ,注6 )
符号
I
DR
1
I
DRP
1
I
DR
2
I
DRP
2
V
DS2F
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR1
=
75 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
75 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
50 A / μs的
典型值。
70
77
最大
75
300
1
4
1.5
单位
A
A
A
A
V
ns
nC
注6 :我
DR
1, I
DRP
1 :目前的排水和S2引脚之间流动。确保S1引脚悬空。
I
DR
2, I
DRP
2 :目前的排水和S1引脚之间流动。确保S2引脚悬空。
S1和S2引脚应接地在一起,除非另有说明。
记号
产品型号
(或缩写代码)
注7 :下一个批号的行标识产品标签的指示。
没有下划线: [铅] /包括> MCV
下划线: [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表了解详细信息,以环境
事项,如产品的RoHS指令的兼容性。 RoHS指令的指令
2002/95 /欧洲议会和2003年1月27日的理事会上EC
电气使用某些有害物质的限制,
电子设备。
K4034
LOT号
注7:
2
2009-09-29
2SK4034
I
D
– V
DS
100
8
10
6
5
4.75
4.5
4.25
4
常见的来源
Tc=25℃
脉冲测试
200
10
8
5
4.75
I
D
– V
DS
4.5
常见的来源
Tc=25℃
脉冲测试
4.25
120
4
80
3.75
40
(A)
I
D
60
3.75
漏电流
40
3.5
20
VGS
=
3.25 V
漏电流
I
D
(A)
80
160
6
3.5
VGS
=
3.25 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
1
2
3
4
5
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
160
常见的来源
VDS=10V
脉冲测试
1
V
DS
– V
GS
(V)
常见的来源
Tc=25℃
脉冲测试
(A)
0.8
I
D
V
DS
漏源电压
0.6
0.4
ID
=
75 A
0.2
38
Ta
=55°C
100
25
120
漏电流
80
40
0
0
2
4
6
8
10
0
19
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
Y
fs
(S)
1000
常见的来源
VDS=10V
脉冲测试
100
常见的来源
Tc=25℃
脉冲测试
R
DS ( ON)
– I
D
正向转移导纳
100
Ta
= 55°C
100
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
10
4.5
VGS
=
10 V
10
25
1
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
3
2009-09-29
2SK4034
R
DS ( ON)
TC =
12
I
DR
– V
DS
1000
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
10
8
ID
=
75 A
I
DR
38
19
(A)
常见的来源
Tc=25℃
脉冲测试
常见的来源
Tc=25℃
脉冲测试
100
10
5
3
10
6
VGS
=
4.5 V
ID
=
19,38,75A
4
反向漏电流
1
VGS
=
0,1 V
2
VGS
=
10 V
0
80
40
0
40
80
120
160
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
100000
5
V
th
TC =
V
th
(V)
栅极阈值电压
4
(PF )
西塞
10000
3
电容
C
2
1000
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
1
10
科斯
1
CRSS
100
0.1
0
100
常见的来源
VDS=10V
ID=1mA
脉冲测试
40
0
40
80
120
160
80
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
T
C
(°C)
P
D
Tc
150
50
动态输入/输出特性
常见的来源
ID=75A
Tc=25℃
脉冲测试
12
30
24
VDS
=
48 V
12
20
P
D
(W)
(V)
VDS
40
120
16
V
DS
漏极功耗
漏源电压
60
20
VGS
10
8
30
4
0
0
40
80
120
160
0
0
100
200
300
400
0
500
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
( NC )
4
2009-09-29
栅源电压
90
V
GS
(V)
2SK4034
r
th
t
w
10
归瞬态热阻抗
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
1
=
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
PDM
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
1.0°C/W
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
t
w
(S)
安全工作区
1000
100
μs
*
400
500
300
E
AS
– T
ch
ID MAX(脉冲)
*
E
AS
(兆焦耳)
雪崩能量
300
I
D
(A)
我最大(连续)
100 D
1毫秒
*
200
30
漏电流
10
5
3
直流操作
Tc
=
25°C
100
0
25
1
0.5
*:
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
50
75
100
125
150
通道温度(初始)
总胆固醇
(°C)
0.3曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.1
0.1
1
10
VDSS最大
100
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
0
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
25 V,L
=
78
μH
电波表
E上
=
Ε
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2009-09-29
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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