2SK4023
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOS V）
2SK4023
开关稳压器， DC / DC转换器
６．５±０．２
单位：mm
５．２±０．２
１．５±０．２
0.6 MAX 。
４．１±０．２
５．７
4 V栅极驱动
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 4.0
Ω
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 0.8 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 450 V)
增强型： V
th
=
2.0~4.0
V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
１．６
５．５±０．２
０．９
１．１±０．２
0.6最大
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
450
450
±30
1
2
20
122
1
2
150
55~150
单位
0.8最大。
１
２
３
０．６±０．１５
０．６±０．１５
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.1最大。
２．３±０．２
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
２．３
２．３
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
JEDEC
JEITA
东芝
2-7J2B
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
重量：0.58克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25℃ ，L-
=
203 mH的，我
AR
=
1 A，R
G
=
25Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
2006-11-06
2SK4023
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOS V）
2SK4023
开关稳压器， DC / DC转换器
6.5
±
0.2
单位：mm
5.2
±
0.2
1.5
±
0.2
1.6
4 V栅极驱动
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 4.0
Ω
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 0.8 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 450 V)
增强型： V
th
= 2.0 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
0.9
0.6 MAX 。
5.5
±
0.2
1.1
±
0.2
0.6 MAX 。
4.1
±
0.2
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
450
450
±30
1
2
20
122
1
2
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.
2.
0.8最大。
1
2.3
2.3
2.3
±
0.2
0.6
±
0.15
0.6
±
0.15
2
3
1.1最大。
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
5.7
2
1
3
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
门
漏
（HEAT
汇）
3. SOURSE
JEDEC
JEITA
东芝
2-7J2B
重量：0.58克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25℃ ，L-
=
203 mH的，我
AR
=
1 A，R
G
=
25Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
2009-07-11
2SK4023
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
V
DD
≒200
V
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≒360
V, V
GS
=
10 V，I
D
=
1 A
税
≤
1%, t
w
=
10
μs
70
5
3
2
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
10
Ω
I
D
=
0.5 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
I
G
= ±10 μA,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
450 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
0.5 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
0.5 A
民
±30
450
2.0
0.3
典型值。
4.0
0.8
180
2
20
7
15
30
最大
±10
100
4.0
4.6
pF
单位
μA
V
μA
V
V
Ω
S
ns
R
L
=
400
Ω
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
1 ，V
GS
=
0 V
I
DR
=
1 ，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
350
1.3
最大
1
2
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 ：根据批号的行标识产品标签的指示
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
K4023
产品型号
（或缩写代码）
LOT号
注4
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和
对2003年1月27日，安理会就使用某些的限制
在电子电气设备中有害物质
2
2009-07-11
QQ：2880707522 复制
