2SK3990-01L,S,SJ
超级FAP -G系列
特点
高速开关
无二次breadown
雪崩型
低导通电阻
低驱动功率
FUJI功率MOSFET
200511
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
UPS （不间断电源）
看到P4
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
不重复
最大雪崩能量
重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR
E
AS
E
AR
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
评级
600
600
3.0
±12.0
±30
3.0
237.3
6.0
20
5
60
2.02
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
W
°C
°C
备注
VGS=-30V
注* 1
注* 2
注* 3
VDS < 600V
=
注* 4
Tc=25°C
Ta=25°C
栅极（G ）
源极（S ）
等效电路示意
漏极（D ）
注* 1 Tch< 150℃
=
注* 2起总胆固醇= 25 ° C，I
AS
= 1.2A ， L = 302mH ，V
CC
= 60V ，R
G
=50Ω
E
AS
受到最大通道temperrature和雪崩电流。
看到“雪崩能量”图。
注* 3 Repetitve评价：脉冲宽度有限的最大通道温度。
看到“瞬态热阻抗”图。
注* 4 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
=
=
=
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
SD
TRR
Q
rr
测试条件
V
GS
=0V
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 250
μ
A
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=600V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=480V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 1.5A V
GS
=10V
I
D
= 1.5A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=1.5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Ω
V
CC
=250V
I
D
=3.0A
V
GS
=10V
I
F
= 3.0A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 3.0A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
600
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
3.3
500
75
5.0
18
7.5
35
15
20
8.5
4.2
1.50
单位
V
V
μA
nA
Ω
S
pF
1.5
2.64
3.0
330
50
2.5
11
5.0
23
10
13
5.5
2.8
1.00
0.5
2.3
ns
nC
V
μs
μC
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
2.083
62.0
单位
° C / W
° C / W
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
1
2SK3990-01L,S,SJ
(600V/3.0A/3.3Ω)
FUJI功率MOSFET
外形图[MM ]
T-包（ L）
T-包（ S）
T-包（ SJ ） D2-包]
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
4
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