2SK3904
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSVI )
2SK3904
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 0.2
Ω
(典型值)。
高正向转移导纳:
Y
fs
= 9.5 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 450 V)
增强模型: V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
450
450
±30
19
76
150
820
19
15
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.门
2.漏极(散热器)
3.源
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-65
216C1B
重4.6克(典型值)
注意:
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
2
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
0.833
50
单位
° C / W
° C / W
注1 :确保通道温度不超过150℃时
使用该设备的。
注2 : V
DD
=
90 V,T
ch
=
25℃ ,L-
=
3.79 mH的,R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
19 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
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2006-11-06