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数据表
MOS场效应
2SK3899
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3899是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SK3899-ZK
TO- 263 ( MP- 25ZK )
特点
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 5.3 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 42 A)
R
DS(on)2
= 6.5 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 42 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 5500 pF的典型。
内置栅极保护二极管
(TO-263)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
60
±20
±84
±336
146
1.5
150
55
+150
245
49.5
245
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
mJ
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩能量
Note2
Note3
Note3
E
AS
I
AR
E
AR
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 30 V ,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
0 V,L = 100
H
3.
R
G
= 25
,
T
通道(峰值)
150°C
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证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D17174EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2004年5月NS CP ( K)
日本印刷
2004
2SK3899
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
测试条件
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 42 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 42 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 42 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V,I
D
= 42 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
单位
A
A
V
S
1.5
35
2.0
70
4.2
4.9
5500
1050
350
19
13
91
10
2.5
漏极至源极导通电阻
5.3
6.5
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 48 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 84 A
I
F
= 84 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 84 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
96
18
23.5
0.92
49
70
1.5
V
ns
nC
脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
R
L
V
DD
V
GS
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
V
DS
90%
90%
10%
10%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表D17174EJ1V0DS
2SK3899
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - %
P
T
- 总功耗 - W
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
总功耗对比
外壳温度
200
160
120
80
40
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
1000
R
DS ( ON)
有限
(在V
GS
= 10 V)
I
D(脉冲)
= 336 A
100
s
1毫秒
10毫秒
功耗有限公司
I
D
- 漏电流 - 一个
100
I
D( DC)的
= 84 A
10
1
T
C
= 25°C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
日(T )
- 瞬态热阻 -
1000
单脉冲
100
R
第(章-a)的
= 83.3C / W
10
R
TH( CH-C )
= 0.86 ° C / W
1
0.1
0.01
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D17174EJ1V0DS
3
2SK3899
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
1000
400
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
300
V
GS
= 10 V
100
10
1
0.1
0.01
V
DS
= 10 V
脉冲
0
1
2
3
4
5
6
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
150°C
4.5 V
200
100
脉冲
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
0.001
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
3
1000
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-75
-25
25
75
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
100
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
150°C
10
1
V
DS
= 10 V
脉冲
0.1
0.1
1
10
100
125
175
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
12
脉冲
10
8
6
4
10 V
2
0
1
10
100
1000
V
GS
= 4.5 V
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
20
16
12
8
4
0
0
4
8
12
16
20
I
D
= 42 A
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表D17174EJ1V0DS
2SK3899
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
电容与漏源极电压
100000
12
10
8
6
4
2
0
-75
-25
25
75
125
175
T
ch
- 通道温度 - C
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
国际空间站
C
OSS
10000
V
GS
= 4.5 V
1000
10 V
100
C
RSS
I
D
= 42 A
脉冲
10
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
1000
动态输入/输出特性
V
DD
= 48V
30V
12V
I
D
= 84 A
10
8
V
GS
6
4
V
DS
2
0
0
20
40
60
80
100
50
40
30
20
10
0
100
t
D(关闭)
t
D(上)
t
r
10
V
DD
= 30 V
V
GS ( ON)
= 10 V
R
G
= 0
1
0.1
1
10
100
t
f
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管
正向电压
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
1000
1000
100
V
GS
= 10 V
10
1
0.1
脉冲
0.01
0.0
0V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
100
10
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
1
0.1
1
10
100
0.5
1.0
1.5
V
F( S- D)的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
数据表D17174EJ1V0DS
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
60
12
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3899-ZK
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SK3899-ZK
NEC
2443+
23000
TO-263
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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VB
25+23+
35500
TO263
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SK3899-ZK
NEC
2024
20000
TO-263
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SK3899-ZK
NEC
2418+
39482
MP-25ZKTO-263
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SK3899-ZK
NEC
21+
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SK3899-ZK
NEC
17+
1030
SOT-263
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
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