数据表
MOS场效应
2SK3899
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3899是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SK3899-ZK
包
TO- 263 ( MP- 25ZK )
特点
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 5.3 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 42 A)
R
DS(on)2
= 6.5 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 42 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 5500 pF的典型。
内置栅极保护二极管
(TO-263)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
60
±20
±84
±336
146
1.5
150
55
+150
245
49.5
245
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
mJ
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩能量
Note2
Note3
Note3
E
AS
I
AR
E
AR
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
注意事项1 。
PW
≤
10
S,占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 30 V ,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
→
0 V,L = 100
H
3.
R
G
= 25
,
T
通道(峰值)
≤
150°C
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一号文件D17174EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2004年5月NS CP ( K)
日本印刷
2004