2SK3887-01
N沟道硅功率MOSFET
外形图
(mm)
TO-220AB
200406
FUJI功率MOSFET
超级FAP -G系列
特点
高速开关
无二次breadown
雪崩型
低导通电阻
低驱动功率
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
UPS （不间断电源）
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR
E
AS
E
AR
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
评级
600
600
9
±36
±30
9
462.3
16.5
20
5
165
2.02
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
mJ
备注
V
GS
=-30V
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
注* 1
注* 2
注* 3
源极（S ）
注* 1 ：总胆固醇
＆ LT ;
150℃，重复和非重复性
=
注* 2 ： StartingTch = 25 ° C，I
AS
=3.6A,L=65.4mH,
V
CC
=60V,R
G
=50
EAS受到最大通道温度
和avalanch电流。
看到了“雪崩能量”图
注* 3 ：重复评价：脉冲宽度有限的
最大信道的温度。
看到了“瞬态Theemal阻抗”
图表
*注4 ：我
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的，V
CC
< BV
DSS
， Tch< 150℃
=
=
=
KV / μs的V
DS
< 600V
=
KV / μs注* 4
Tc=25°C
W
Ta=25°C
°C
°C
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
SD
t
rr
Q
rr
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
A
I
D
= 250
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=600V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=480V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 4.5A V
GS
=10V
I
D
= 4.5A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MH
V
CC
= 300V我
D
=4.5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=300V
I
D
=9A
V
GS
=10V
I
F
= 9A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 9A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
600
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
1.00
单位
V
V
A
nA
S
pF
4.5
0.82
9.0
950
1425
130
195
6.0
9.0
16
24
6.0
9.0
33
50
5.5
8.3
25
38
10
15
8.0
12
1.10
1.50
860
7.0
ns
nC
V
ns
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd
分钟。
典型值。
马克斯。
0.758
62
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3887-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
200
180
160
20
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
20V 10V
8.0V
15
140
120
PD [ W]
ID [ A]
100
80
60
10
6.5V
5
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
20
6.0V
VGS=5.5V
25
30
TC [
°
C]
VDS [V]的
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
10
10
ID [ A]
1
1
0.1
0.1
0.1
GFS [S]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
10
100
VGS电压[V]的
ID [ A]
2.0
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS = 5.5V 6.0V
6.5V
3.00
2.75
2.50
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 4.5A ， VGS = 10V
1.5
8.0V 10V
20V
2.25
2.00
RDS （上）
]
RDS （上）
]
1.75
1.50
1.25
1.00
典型值。
马克斯。
1.0
0.5
0.75
0.50
0.25
0.0
0
5
10
15
20
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3887-01
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
14
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 9A ，总胆固醇= 25
°
C
12
VCC = 120V
300V
马克斯。
10
VGS （ TH） [V]
480V
4.5
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
分钟。
VGS电压[V]的
4.0
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
10
4
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
10
3
西塞
10
C [ pF的]
10
2
科斯
IF [ A]
1
2
3
10
1
CRSS
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
10
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
VDS [V]的
VSD [V]的
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10
500
450
400
350
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 60V
I
AS
=3.6A
10
2
tf
I
AS
=5.4A
300
EAV [兆焦耳]
TD （关闭）
T [ NS ]
250
200
150
I
AS
=9A
TD （上）
10
1
tr
100
50
10
0
0
-1
10
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3887-01
FUJI功率MOSFET
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=60V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
4
QQ：2881677436 复制
