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2SK3844
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSⅡ ）
2SK3844
开关稳压器， DC- DC转换器应用
电机驱动应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 4.1毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 63 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 60 V)
增强型： V
th
= 2.0 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
60
60
±20
45
180
45
527
45
4.0
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（ TC = 25 ℃ ）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10R1B
重1.9克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 。
注2 ： V
DD
=
25 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
353
μH,
I
AR
=
45 A，R
G
=
25
Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-17
2SK3844
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
48 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
45 A
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
10 V
0V
4.7
Ω
I
D
=
23 A
R
L
=
1.3Ω
V
OUT
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
60 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
= 20
V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
23 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
23 A
民
60
35
2.0
32
典型值。
4.1
63
12400
700
1100
18
45
35
200
196
148
48
最大
±10
100
4.0
5.8
ns
nC
pF
单位
μA
μA
V
V
V
mΩ
S
V
DD
30 V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ）
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
1
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
45 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
45 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
50 A / μs的
民
典型值。
67
70
最大
45
180
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
记号
K3844
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-17
2SK3844
I
D
– V
DS
50
10
8
7 6
5.5
5.2
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
100
8
80
5
10
7
6
5.7
I
D
– V
DS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
5.5
40
(A)
I
D
30
I
D
漏电流
(A)
60
漏电流
5.2
40
5
20
4.8
VGS
=
4.5 V
20
4.8
10
VGS
=
4.5 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
50
V
DS
– V
GS
1.0
40
V
DS
(V)
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
0.8
I
D
(A)
30
20
25
漏源电压
0.6
漏电流
0.4
10
100
0
Tc
= 55°C
0.2
ID
=
11 A
0
45
23
0
2
4
6
8
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
I
D
(S)
1000
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
Tc
= 55°C
100
25
100
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
R
DS （ ON）
I
D
Y
fs
正向转移导纳
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
10
VGS
=
10, 15 V
10
1
1
1
10
100
1
10
100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
3
2006-11-17
2SK3844
R
DS （ ON）
Tc
10
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
ID
=
45 A
6
23
11
100
10
5
I
DR
V
DS
3
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
8
反向漏电流
I
DR
10
1
VGS
=
0 V
4
2
(A)
0
80
1
40
0
40
80
120
160
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
100000
5
V
th
Tc
V
th
(V)
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
（PF ）
西塞
10000
4
C
栅极阈值电压
3
电容
1000
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
100
0.1
1
10
科斯
2
1
CRSS
100
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
Tc
50
50
动态输入/输出特性
25
(W)
V
DS
(V)
漏极功耗
漏源电压
30
VDD
=
12 V
24V
VGS
10
48V
常见的来源
ID
=
45 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
15
20
20
10
10
5
0
0
40
80
120
160
0
0
80
160
240
0
320
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
4
2006-11-17
栅源电压
30
V
GS
P
D
40
40
20
(V)
VDS
2SK3844
r
th
t
w
10
归瞬态热阻抗
r
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
1
税
=
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
PDM
0.01 0.01
单脉冲
t
T
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
2.78°C/W
0.001
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
1000
600
E
AS
– T
ch
E
AS
（兆焦耳）
雪崩能量
500
300
ID MAX（脉冲）
*
100
μs
*
500
(A)
100
ID MAX（连续）
400
1ms
*
I
D
30
300
漏电流
200
10
5
3
直流操作
Tc
=
25°C
100
0
25
1
0.5
*
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
必须
同
be
降额
in
VDSS最大
10
100
增加
1
50
75
100
125
150
通道温度（初始）
B
VDSS
I
AR
V
DD
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
25 V，L
=
353
μH
总胆固醇
(°C)
0.3曲线
线性
0.1
15 V
0V
温度。
漏源电压
V
DS
(V)
V
DS
电波表
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2006-11-17
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推荐型号
2SC4081Q
2021-200
28B9S
27C256-10/L
226GAZ016M
2-282851-2
22-28-3045
2SA673ADTZ-E
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2SK1685
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    2SK3844
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