2SK3799
东芝场效应晶体管
硅N-沟道MOS型（ π - MOSIV ）
2SK3799
开关稳压器的应用
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.0
Ω
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 6.0 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 720 V)
增强模型： V
th
= 2.0 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
900
900
±30
8
24
50
1080
8
5
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.门
2.漏
3.源
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
—
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人可靠性数据（即
可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至
环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
2.5
62.5
单位
C / W
C / W
1
2
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 30.9 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 8 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
3
1
2010-01-29
2SK3799
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
I
D
= 4 A
R
L
= 100Ω
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
I
G
= ±10
μA,
V
DS
= 0 V
V
DS
= 720 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V，I
D
= 4 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 4 A
民
—
±30
—
900
2.0
—
3.5
—
—
—
—
产量
—
65
—
ns
—
20
—
典型值。
—
—
—
—
—
1.0
6.0
2200
45
190
25
最大
±10
—
100
—
4.0
1.3
—
—
—
—
—
pF
单位
μA
V
μA
V
V
Ω
S
V
GS
开启时间
开关时间
下降时间
t
f
t
on
10 V
0V
4.7Ω
V
DD
≈
400 V
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
税
≤
1%, t
w
= 10
μs
—
—
120
60
34
26
—
—
—
—
nC
V
DD
≈
400 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 8 A
—
—
源极 - 漏极额定值和特性
（ TA = 25°C ）
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ）
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
QRR
I
DR
= 8 A，V
GS
= 0 V
I
DR
= 8 A，V
GS
= 0 V
dl
DR
/ DT = 100 A /
μs
测试条件
—
—
民
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
1700
23
最大
8
24
1.7
—
—
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
K3799
产品型号（或缩写代码）
LOT号
注4
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
2
2010-01-29
2SK3799
东芝场效应晶体管
硅N-沟道MOS型（ π - MOSIV ）
2SK3799
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
: R
DS （ ON）
= 1.0
Ω
（典型值）。
: |Y
fs
| = 6.0 S（典型值）。
单位：mm
低漏电流：I
DSS
= 100μA （最大值） （V
DS
= 720 V)
增强模型： V
th
= 2.0 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
900
900
±30
8
24
50
1080
8
5
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.门
2.漏
3.源
脉冲（注1 ）
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
—
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至
环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
2.5
62.5
单位
C / W
C / W
1
2
注1 ：确保通道温度不超过150℃
在使用该装置。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 30.9 mH的，R
G
= 25Ω, I
AR
= 8 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度。
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
3
1
2006-11-13
2SK3799
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSIV ）
2SK3799
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
: R
DS （ ON）
= 1.0
（典型值）。
: |Y
fs
| = 6.0 S（典型值）。
单位：mm
低漏电流：I
DSS
= 100μA （最大值） （V
DS
= 720 V)
增强模型： V
th
= 2.0 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
900
900
±30
8
24
50
1080
8
5
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.门
2.漏
3.源
脉冲（注1 ）
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
—
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
2
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至
环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
2.5
62.5
单位
C / W
C / W
1
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃，使用该设备的过程中。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 30.9 mH的，R
G
= 25, I
AR
= 8 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度。
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
3
1
2005-01-24
QQ：2881677436 复制
