2SK3779-01R
N沟道硅功率MOSFET
外形图
(mm)
200406
FUJI功率MOSFET
超级FAP -G系列
特点
高速开关
无二次breadown
雪崩型
低导通电阻
低驱动功率
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
UPS （不间断电源）
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR
E
AS
E
AR
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
评级
250
250
59
±236
±30
59
1115.2
41
20
5
210
3.13
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
mJ
备注
V
GS
=-30V
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
注* 1
注* 2
注* 3
源极（S ）
注* 1 ：总胆固醇
＆ LT ;
150℃，重复和非重复性
=
注* 2 ： StartingTch = 25 ° C，I
AS
=24A,L=3.25mH,
V
CC
=48V,R
G
=50
EAS受到最大通道温度
和avalanch电流。
看到了“雪崩能量”图
注* 3 ：重复评价：脉冲宽度有限的
最大信道的温度。
看到了“瞬态Theemal阻抗”
图表
*注4 ：我
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的，V
CC
< BV
DSS
， Tch< 150℃
=
=
=
KV / μs的V
DS
< 250V
=
KV / μs注* 4
Tc=25°C
W
Ta=25°C
°C
°C
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
SD
t
rr
Q
rr
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=250V
V
DS
=200V
V
GS
=±30V
I
D
=29.5A
V
GS
=0V
V
GS
=0V
V
DS
=0V
V
GS
=10V
分钟。
250
3.0
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
53
单位
V
V
A
nA
m
S
pF
I
D
= 29.5A V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 72V我
D
=29.5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=150V
I
D
=32A
V
GS
=10V
I
F
= 59A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 59A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
测试条件
渠道情况
渠道环境
12
43
24
3800
5400
530
795
35
52.5
40
60
62
93
70
105
20
30
80
120
30
45
25
38
1.20
1.50
370
4.5
ns
nC
V
ns
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd
分钟。
典型值。
马克斯。
0.595
40.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3779-01R
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
300
120
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
20V
10V
8V
100
200
80
7V
PD [ W]
ID [ A]
60
6.5V
100
40
20
VGS=6.0V
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
TC [
°
C]
VDS [V]的
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
10
10
ID [ A]
1
1
0.1
0.1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
GFS [S]
1
10
100
VGS电压[V]的
ID [ A]
0.20
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS=6V
6.5V
0.15
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 29.5A ， VGS = 10V
0.15
7V
RDS （上）
]
0.10
RDS （上）
]
马克斯。
0.10
典型值。
0.05
8V
0.05
20V
10V
0.00
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3779-01R
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
14
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 59A ，总胆固醇= 25
°
C
12
VCC = 50V
马克斯。
10
125V
200V
VGS （ TH） [V]
4.5
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
分钟。
VGS电压[V]的
4.0
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
10
4
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
西塞
1000
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
10
3
100
科斯
C [ pF的]
10
2
IF [ A]
CRSS
-1
0
1
2
3
10
10
1
1
10
0
10
10
10
10
10
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
VDS [V]的
VSD [V]的
10
4
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 72V ， VGS = 10V ， RG = 10
1200
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 48V ， I（ AV） < = 59A
I
AS
=24A
1000
10
3
800
tr
I
AS
=36A
600
T [ NS ]
10
2
TD （关闭）
TD （上）
tf
EAV [兆焦耳]
400
10
1
I
AS
=59A
200
10
0
0
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
3
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3779-01R
FUJI功率MOSFET
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=48V
单脉冲
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
4
QQ：2880707522 复制
