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富士功率MOSFET SuperFAP -G系列目标规格
预赛INARY
2SK3683-01MR （ 500V / 0.38
/19A)
1 ）套餐
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复和不重复
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，
借出，或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
TO-220F15R
2 ）绝对最大额定值（TC = 25 ℃
除非另有规定编）
符号
V
DS
I
D
I
D（脉冲）
V
GS
I
AR
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D＠Ｔc=25℃
P
D
T
ch
T
英镑
@Ta=25℃
评级
500
±19
±76
±30
19
245.3
20
5
95
2.16
150
-55
+150
单位
V
A
A
V
A
mJ
千伏/美国
千伏/美国
W
W
℃
℃
*1
*2
3 ）电气特性（TCH = 25 ℃除非另有规定）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏（米勒）充电
雪崩能力
二极管正向导通电压
符号
BV
DSS
V
GS
（ TH ）
I
DSS
I
GSS
R
DS
（上）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Qg
QGS
QGD
I
AV
V
SD
测试条件
I
D
=250uA
I
D
=250uA
V
DS
=500V
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=9.5A
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
Vcc=250V
I
D
=19A
V
GS
=10V
L=1.25mH
Tch=25
℃
I
F
=19A,VGS=0V,Tch=25
℃
V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
T
ch
=25
℃
T
ch
=125
℃
V
DS
=0V
VGS=10V
分钟。
500
3.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
19
---
典型值。
---
---
---
---
---
---
1580
240
12
32
16
12
---
1.0
马克斯。
---
5.0
25
250
100
0.38
2370
360
18
48
24
18
---
1.5
A
V
pF
单位
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
Ω
nC
4 ）热特性
项
渠道情况
渠道环境
* 1 L = 1.25mH ， VCC = 50V
符号
RTH （ CH -C ）
RTH （ CH -A ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1.316
58.0
单位
℃
/W
℃
/W
*2 I
F
≤
-I
D
,-di/dt=50A/
S， Vcc的
≤
BV
DSS
，总胆固醇
≤
150
°
C
日期
DRAWN
Sep.-02-'02
检查
Sep.-02-'02
修订
MA4LE
名字
批准
DWG.NO.
富士电气有限公司。
MT5F12582
1/1
富士功率MOSFET SuperFAP -G系列目标规格
预赛INARY
2SK3683-01MR （ 500V / 0.38
/19A)
1 ）套餐
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复和不重复
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
这种材料和本文所述的信息的属性
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借出，或披露任何方式进行使用任何
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TO-220F15R
2 ）绝对最大额定值（TC = 25 ℃
除非另有规定编）
符号
V
DS
I
D
I
D（脉冲）
V
GS
I
AR
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D＠Ｔc=25℃
P
D
T
ch
T
英镑
@Ta=25℃
评级
500
±19
±76
±30
19
245.3
20
5
95
2.16
150
-55
+150
单位
V
A
A
V
A
mJ
千伏/美国
千伏/美国
W
W
℃
℃
*1
*2
3 ）电气特性（TCH = 25 ℃除非另有规定）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏（米勒）充电
雪崩能力
二极管正向导通电压
符号
BV
DSS
V
GS
（ TH ）
I
DSS
I
GSS
R
DS
（上）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Qg
QGS
QGD
I
AV
V
SD
测试条件
I
D
=250uA
I
D
=250uA
V
DS
=500V
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
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=9.5A
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DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
Vcc=250V
I
D
=19A
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=10V
L=1.25mH
Tch=25
℃
I
F
=19A,VGS=0V,Tch=25
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V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
T
ch
=25
℃
T
ch
=125
℃
V
DS
=0V
VGS=10V
分钟。
500
3.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
19
---
典型值。
---
---
---
---
---
---
1580
240
12
32
16
12
---
1.0
马克斯。
---
5.0
25
250
100
0.38
2370
360
18
48
24
18
---
1.5
A
V
pF
单位
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
Ω
nC
4 ）热特性
项
渠道情况
渠道环境
* 1 L = 1.25mH ， VCC = 50V
符号
RTH （ CH -C ）
RTH （ CH -A ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1.316
58.0
单位
℃
/W
℃
/W
*2 I
F
≤
-I
D
,-di/dt=50A/
S， Vcc的
≤
BV
DSS
，总胆固醇
≤
150
°
C
日期
DRAWN
Sep.-02-'02
检查
Sep.-02-'02
修订
MA4LE
名字
批准
DWG.NO.
富士电气有限公司。
MT5F12582
1/1
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2108I
2560NK
2SB1183F5
2SD1051
2SC4264
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2SB1571HZ
2-796641-3
2SJ378_07
2SC3206
2CCN0505SA
204-10UYD-S530-A3
2305-1DCG
224TLS050M
2SA1341
2SC3447
2SA1112S
252A154A40TA
24AA02BT-E/SN
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    2SK3683-01MR
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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深圳市力索微电子有限公司
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2SK3683-01MR
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TO-220
绝对原装正品/假一罚十/现货***
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2SK3683-01MR
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22620
TO-220F
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2SK3683-01MR
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2SK3683-01MR
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