2SK3682-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
400
50
FUJI功率MOSFET
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
40
300
20V
10V
8V
30
PD [ W]
200
ID [ A]
7V
20
100
10
6.5V
VGS=6.0V
0
0
25
50
75
TC [
°
C]
100
125
150
0
0
4
8
12
VDS [V]的
16
20
24
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
100
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
10
10
ID [ A]
1
1
0.1
0.1
0
1
2
3
4
5
VGS电压[V]的
6
7
8
9
10
0.1
1
ID [ A]
10
100
GFS [S]
1.0
0.9
0.8
0.7
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
1.0
VGS=6V
6.5V
0.9
7V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 9.5A ， VGS = 10V
RDS （上）
]
0.6
8V
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
10
20
ID [ A]
30
40
10V
20V
RDS （上）
]
马克斯。
典型值。
0.3
0.2
0.1
0.0
-50
-25
0
25
50
TCH [
°
C]
75
100
125
150
2
2SK3682-01
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
马克斯。
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 19A ，总胆固醇= 25
°
C
14
12
VCC = 100V
10
250V
400V
8
VGS （ TH） [V]
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
TCH [
°
C]
100
125
150
0
0
10
2
4
分钟。
VGS电压[V]的
6
20
30
QG [ NC ]
40
50
60
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
10
4
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
100
西塞
10
3
10
C [ pF的]
10
2
科斯
IF [ A]
1
10
3
10
1
CRSS
10
0
10
0
10
1
10
2
0.1
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50
VSD [V]的
VDS [V]的
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 50V ， I（ AV） < = 19A
700
600
I
AS
=8A
500
10
2
TD （关闭）
400
T [ NS ]
TD （上）
I
AS
=12A
EAV [兆焦耳]
300
I
AS
=19A
10
1
tr
tf
200
100
10
0
0
10
-1
10
0
10
ID [ A]
1
10
2
0
25
50
75
开始总胆固醇[
°
C]
100
125
150
3
2SK3682-01
FUJI功率MOSFET
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=50V
单脉冲
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
1
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
4
富士功率MOSFET SuperFAP -G系列目标规格
预赛INARY
2SK3682-01 （ 500V / 0.38
/19A)
1 ）套餐
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复和不重复
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，
借出，或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
TO-220
2 ）绝对最大额定值（TC = 25 ℃
除非另有规定编）
符号
V
DS
I
D
I
D（脉冲）
V
GS
I
AR
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D＠Ｔc=25℃
P
D
T
ch
T
英镑
@Ta=25℃
评级
500
±19
±76
±30
19
245.3
20
5
270
2.16
150
-55
+150
单位
V
A
A
V
A
mJ
千伏/美国
千伏/美国
W
W
℃
℃
*1
*2
3 ）电气特性（TCH = 25 ℃除非另有规定）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏（米勒）充电
雪崩能力
二极管正向导通电压
符号
BV
DSS
V
GS
（ TH ）
I
DSS
I
GSS
R
DS
（上）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Qg
QGS
QGD
I
AV
V
SD
测试条件
I
D
=250uA
I
D
=250uA
V
DS
=500V
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=9.5A
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
Vcc=250V
I
D
=19A
V
GS
=10V
L=1.25mH
Tch=25
℃
I
F
=19A,VGS=0V,Tch=25
℃
V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
T
ch
=25
℃
T
ch
=125
℃
V
DS
=0V
VGS=10V
分钟。
500
3.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
19
---
典型值。
---
---
---
---
---
---
1580
240
12
32
16
12
---
1.0
马克斯。
---
5.0
25
250
100
0.38
2370
360
18
48
24
18
---
1.5
A
V
pF
单位
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
Ω
nC
4 ）热特性
项
渠道情况
渠道环境
* 1 L = 1.25mH ， VCC = 50V
符号
RTH （ CH -C ）
RTH （ CH -A ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
0.463
58.0
单位
℃
/W
℃
/W
*2 I
F
≤
-I
D
,-di/dt=50A/
S， Vcc的
≤
BV
DSS
，总胆固醇
≤
150
°
C
日期
DRAWN
Sep.-02-'02
检查
Sep.-02-'02
修订
MA4LE
名字
批准
DWG.NO.
富士电气有限公司。
MT5F12580
1/1
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