【2SK3681-01FUJI功率MOSFET200401N沟道硅功率MOSFET外形图[MM ]超级】,IC型号2SK3681-01,2SK3681-01 PDF资料,2SK3681-01经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK3681-01

FUJI功率MOSFET

200401

N沟道硅功率MOSFET

外形图[MM ]

超级FAP -G系列

特点

高速开关

无二次breadown

雪崩型

低导通电阻

低驱动功率

11.6±0.2

应用

开关稳压器

DC- DC转换器

UPS （不间断电源）

最大额定值和特性

绝对最大额定值

（TC = 25 ° C除非另有说明）

项

漏源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

栅源电压

不重复

最大雪崩电流

重复或

最大雪崩电流

不重复

最大雪崩能量

最大漏源的dV / dt

峰值二极管恢复的dv / dt

马克斯。功耗

符号等级

V

DS

V

DSX

I

D

I

D（ PULS ]

V

GS

I

AS

I

AR

E

AS

dV

DS

/ DT

dv / dt的

P

D

600

±43

±172

±30

43

21.5

808.9

20

5

2.50

600

+150

-55到+150

单位

V

A

V

A

备注

V

GS

=-30V

工作和存储

T

ch

温度范围

T

英镑

* 1见雪崩电流图

* 2请参阅雪崩能量图

*3 I

F

< -I

D

， -di / DT = 50A / μs的，V

CC

< BV

DSS

，总胆固醇< 150℃

=

项

漏源击穿voltaget

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

转发transcondutance

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通时间t

on

关断时间t

关闭

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

雪崩能力

二极管正向导通电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

Tch=25°C

*1

A

Tch<150°C

=

*1

mJ

L=802H

V

CC

=60V *2

千伏/秒

VDS< 600V

=

KV / μs的* 3

Ta=25°C

W

Tc=25°C

°C

等效电路示意

漏极（D ）

栅极（G ）

源极（S ）

电气特性（T

c

= 25 ° C除非另有规定编）

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

td

（上）

t

r

td

（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

I

AV

V

SD

t

rr

Q

rr

测试条件

I

D

= 250A

V

GS

=0V

A

I

D

= 250

V

DS

=V

GS

T

ch

=25°C

V

DS

=600V V

GS

=0V

T

ch

=125°C

V

DS

=480V V

GS

=0V

V

GS

=±30V V

DS

=0V

I

D

= 26A V

GS

=10V

I

D

= 21.5A V

DS

=25V

V

DS

=25V

V

GS

=0V

f=1MHz

V

CC

= 300V我

D

=21.5A

V

GS

=10V

R

GS

=10

V

CC

=300V

I

D

=43A

V

GS

=10V

L = 802μH牛逼

ch

=25°C

I

F

= 43A V

GS

= 0V牛逼

ch

=25°C

I

F

= 43A V

GS

=0V

-di / DT = 100A / μs的牛逼

ch

=25°C

分钟。

600

3.0

典型值。

马克斯。

5.0

25

250

100

0.16

单位

V

A

nA

S

pF

15

10

0.12

30

5360

8040

680

1020

40

60

80

120

87

131

190

285

44

66

112

168

34

51

40

60

1.00

0.98

22.0

ns

nC

43

1.50

A

V

s

C

Thermalcharacteristics

项

热阻

符号

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

测试条件

渠道情况

渠道环境

分钟。

典型值。

马克斯。

0.208

50.0

单位

° C / W

1

2SK3681-01

特征

允许功耗

（D）= F（ Tc）的

800

120

110

700

100

600

90

80

500

70

FUJI功率MOSFET

典型的输出特性

ID = F （VDS）：80

的脉动测试，总胆固醇= 25

°

C

20V

10V

8V

PD [ W]

ID [ A]

400

60

50

7.0V

300

40

200

30

20

100

10

0

25

50

75

TC [

°

C]

100

125

150

0

4

8

12

VDS [V]的

16

20

24

VGS=6.0V

6.5V

典型的传输特性

ID = F（ VGS）：80

脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25

°

C

100

典型的跨导

GFS = F （ ID ）： 80

脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25

°

C

10

ID [ A]

1

0.1

1

ID [ A]

10

100

0

1

2

3

4

5

VGS电压[V]的

6

7

8

9

10

GFS [S]

0.4

典型的漏源导通电阻

RDS （ ON） = F （ ID ）： 80

的脉动测试，总胆固醇= 25

°

C

VGS=6V

6.5V

漏源导通电阻

RDS （ ON） = F （ TCH）： ID = 26A ， VGS = 10V

0.5

0.4

0.3

RDS （上）

]

0.2

8V

10V

20V

RDS （上）

]

7.5V

0.3

马克斯。

0.2

典型值。

0.1

0.0

0

20

40

ID [ A]

60

80

100

0.0

-50

-25

0

25

50

TCH [

°

C]

75

100

125

150

2

2SK3681-01

FUJI功率MOSFET

栅极阈值电压与总胆固醇

VGS （次） = F（总胆固醇）： VDS = VGS ，ID = 250

A

7.0

6.5

6.0

5.5

5.0

马克斯。

典型栅极电荷特性

VGS = F量（Qg ）： ID = 43A ，总胆固醇= 25

°

C

14

12

VCC = 120V

10

480V

8

300V

VGS （ TH） [V]

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-50

-25

0

25

50

75

TCH [

°

C]

100

125

150

0

20

40

2

4

分钟。

VGS电压[V]的

6

60

80

100

QG [ NC ]

120

140

160

180

200

典型电容

C = F（ VDS ）： VGS = 0V ， F = 1MHz的

10

5

反向二极管的典型正向特性

IF = F（ VSD）：80

的脉动测试，总胆固醇= 25

°

C

1000

10

4

100

西塞

C [ pF的]

10

3

IF [ A]

科斯

CRSS

10

0

10

2

1

10

1

10

1

10

2

10

3

0.1

0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50

VSD [V]的

VDS [V]的

10

3

典型的开关特性与ID

T = F（ ID ）： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10

最大雪崩能量对比开始总胆固醇

I（ AV ） = F （首发TCH）： VCC = 60V

60

50

TD （关闭）

40

10

2

TD （上）

不重复

（单脉冲）

I

AV

[A]

T [ NS ]

30

重复

20

tr

10

1

tf

10

0

10

-1

10

0

10

ID [ A]

1

10

2

0

25

50

75

100

125

150

175

200

开始总胆固醇[

°

C]

3

2SK3681-01

FUJI功率MOSFET

最大雪崩能量对比开始总胆固醇

E（ AV ） = F （首发TCH）： VCC = 60V ， I（ AV） < = 43A

2500

2000

I

AS

=18A

1500

EAV [兆焦耳]

I

AS

=26A

1000

I

AS

=43A

500

0

25

50

75

开始总胆固醇[

°

C]

100

125

150

10

2

最大雪崩电流脉宽

I

AV

= F （T

AV

）：首发总胆固醇= 25

°

C,Vcc=60V

单脉冲

雪崩电流I

AV

[A]

10

1

10

0

10

-1

10

-2

10

-8

10

-7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

t

AV

[秒]

最大完全瞬态热阻抗

第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0

10

1

10

0

第i （ CH-C ）

°

C / W]

10

-1

10

-2

10

-3

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

吨[秒]

http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/

4

富士功率MOSFET SuperFAP -G系列目标规格

初步

2SK3681-01 （ 600V / 0.16Ω / 43A ）

1 ）套餐

项

漏源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

栅源电压

不重复

最大雪崩个当前

重复

最大雪崩个当前

不重复

最大雪崩能量

最大漏源的dV / dt

峰值二极管恢复的dv / dt

这种材料和本文所述的信息的属性

富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，

借出，或披露任何方式进行使用任何

第三方或用于制造无目的

快递富士电机有限公司的书面同意。

TO-247

2 ）绝对最大额定值（TC = 25 ℃除非另有规定）

符号

V

DS

I

D

I

D（脉冲）

V

GS

I

AS

I

AR

E

AS

dV

DS

/ DT

dv / dt的

P

D＠Ｔc=25℃

P

@ TA = 25 ℃

T

ch

T

英镑

评级

600

±43

±172

±30

43

21.5

808.9

20

5

600

2.50

150

-55

+150

单位

V

A

V

A

mJ

*1

最大功率耗散

工作和存储

温度范围

千伏/美国

千伏/美国* 2

W

℃

3 ）电气特性（TCH = 25 ℃除非另有规定）

项

符号

测试条件

V

GS

=0V

I

D

=250A

漏源击穿电压BV

DSS

V

DS

=V

GS

V

GS

（ TH ）

I

D

=250A

栅极阈值电压

V

DS

=600V

T

ch

=25℃

零栅极电压漏极电流I

DSS

V

GS

=0V

T

ch

=125℃

V

GS

=±30V

V

DS

=0V

I

GSS

栅极 - 源极漏电流

漏源通态电阻R

DS

（上）

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏（米勒）充电

雪崩能力

二极管正向导通电压

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Qg

QGS

QGD

I

AV

V

SD

I

D

=21.5A

V

DS

=25V

V

GS

=0V

f=1MHz

Vcc=300V

I

D

=43A

V

GS

=10V

Tch=25℃

L=802H

I

F

=43A,VGS=0V,Tch=25℃

VGS=10V

分钟。

500

3.0

---

43

---

典型值。

---

5260

685

65

118

39

42

---

1.00

马克斯。

---

5.0

25

250

100

0.16

7890

1030

100

177

59

63

---

1.50

单位

V

A

pF

nC

A

V

4 ）热特性

项

渠道情况

渠道环境

符号

RTH （ CH -C ）

RTH （ CH -A ）

测试条件

分钟。

典型值。

MAX 。单位

0.2083 ° C / W

° C / W

50.0

* 1 L = 802μH ， VCC = 60V

*2 I

F

≤

-I

D

,-di/dt=50A/

S， Vcc的

≤

BV

DSS

，总胆固醇

≤

150°C

日期

DRAWN

Sep.-03-'02

检查

Sep.-03-'02

修订

MA4LE

名字

批准

DWG.NO.

富士电气有限公司。

MT5F12592

1/1