2SK3677-01MR
FUJI功率MOSFET
200304
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
TO-220F
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
隔离电压
符号
V
DS
V
DSX * 5
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR * 2
E
AS * 1
dV
DS
/ DT
*4
dv / dt的
*3
P
D
Ta=25°C
Tc=25°C
T
ch
T
英镑
V
ISO
评级
700
700
±12
±48
±30
12
276.7
40
5
2.16
95
+150
-55到+150
2
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
°C
°C
kVRMS的
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
*6
＆ LT ;
* 1 L = 3.53mH ， VCC = 70V ，总胆固醇= 25 ° C，看到雪崩能量图
* 2总胆固醇= 150℃
＆ LT ;
＆ LT ;
*3 I
F
＆ LT ;
D
， -di / DT = 50A / μs的， VCC = BV
DSS
，总胆固醇= 150 ° C * 4 V
DS
<700V * 5 V
GS
= -30V * 6 T = 60秒， F = 60Hz的
=-I
=
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=700V V
GS
=0V
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
DS
=560V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
=6A
V
GS
=10V
I
D
= 6A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=6A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=350V
I
D
=12A
V
GS
=10V
L = 3.53mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 12A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 12A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
700
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.93
单位
V
V
A
nA
S
pF
6
0.72
12
1100
1650
170
255
11
17
24.5
36
7.5
12
47.5
72
10
17
31
46.5
4.5
8
11
16.5
12
0.90
2.6
16.0
ns
nC
1.50
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
1.316
58.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3677-01MR
特征
FUJI功率MOSFET
120
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
20
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
20V
10V
8.0V
7.0V
15
100
80
ID [ A]
PD [ W]
6.5V
10
60
40
5
20
VGS=5.5V
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
20
25
6.0V
TC [
°
C]
VDS [V]的
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
10
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
ID [ A]
1
GFS [S]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
0.1
1
0.1
1
10
VGS电压[V]的
ID [ A]
1.4
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS=5.5V
6.0V
6.5V
2.5
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 6A ， VGS = 10V
1.3
2.0
1.2
RDS （上）
]
1.1
8.0V
10V
20V
RDS （上）
]
7.0V
1.5
马克斯。
1.0
典型值。
1.0
0.9
0.8
0.5
0.7
0.0
0
5
10
15
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3677-01MR
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
12
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 12A ，总胆固醇= 25
°
C
10
马克斯。
8
VCC = 140V
350V
560V
VGS （ TH） [V]
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
分钟。
VGS电压[V]的
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
10
1
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
10
0
西塞
10
C [ nF的]
10
-1
科斯
IF [ A]
1
0.1
0.00
10
-2
CRSS
10
-3
10
0
10
1
10
2
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
VDS [V]的
VSD [V]的
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10
700
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AS ） = F （首发TCH） ： VCC = 70V
I
AS
=5A
600
tf
500
10
2
TD （关闭）
I
AS
=8A
E
AS
[兆焦耳]
400
T [ NS ]
TD （上）
10
1
300
I
AS
=12A
tr
200
100
10
0
0
-1
10
10
0
10
1
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3677-01MR
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=70V
FUJI功率MOSFET
10
2
[A]
单脉冲
10
1
雪崩电流I
AV
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
4
QQ：2881677436 复制
