1.Scope
2.Construction
3.Applications
4.Outview
此规定富士功率MOSFET 2SK3651-01R
N沟道增强型功率MOSFET
切换
TO-3PF
Outview看到8/20页
5.Absolute最大额定值在Tc = 25 ℃（除非另有说明）
°
描述
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
非重复性雪崩电流
最大雪崩能量
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，
借出，或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
DP
V
GS
I
AS
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
特征
250
220
± 25
± 100
± 30
25
372
20
5
3.10
85
150
-55到+150
2
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
°C
°C
kVRMS的
备注
VGS=-30V
L=1mH,Vcc=48V
VDS<=250V
*1
Ta=25°C
Tc=25°C
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
隔离电压
t=60sec
f=60Hz
*1 I
F
≤-I
D
,-di/dt=50A/s,Vcc≤BV
DSS
,Tch≤150°C
在Tc 6.Electrical特征= 25 ℃（除非另有规定）
°
静态评级
描述
漏源
击穿电压BV
DSS
栅极阈值
电压V
GS
（ TH ）
零栅极电压
漏电流I
DSS
栅极 - 源
漏电流I
GSS
漏源
在国家阻抗R
DS
（上）
符号
条件
I
D
=250A
V
GS
=0V
I
D
=250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=250V
T
ch
=25°C
VGS=0V
VDS=200V
T
ch
=125°C
V
GS
=0V
V
GS
= ± 30V
V
DS
=0V
I
D
=12.5A
V
GS
=10V
DWG.NO.
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
250
3.0
-
-
-
-
-
-
-
5.0
25
250
V
V
A
-
10
100
nA
-
75
100
m
富士电气有限公司。
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