1.Scope
2.Construction
3.Applications
4.Outview
此规定富士功率MOSFET 2SK3613-01
N沟道增强型功率MOSFET
切换
TFP套餐
Outview看到12/21页
5.Absolute最大额定值在Tc = 25 ℃(除非另有说明)
°
描述
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
DP
V
GS
特征
250
220
±
10
±
2.2
±
40
±
30
10
182
20
5
50
2.4
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
W
°C
°C
2
备注
VGS=-30V
* 1 , TA = 25℃
非重复性雪崩电流I
AS
最大雪崩能量
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载,复制,
借出,或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
2
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
L=3.05mH
Vcc=48V
VDS<=250V
*2
* 1 , TA = 25℃
* 1表面安装千毫米,T = 1.6毫米FR- 4印刷电路板(漏极焊盘面积: 500毫米)
*2 I
F
≤-I
D
,-di/dt=50A/s,Vcc≤BV
DSS
,Tch≤150°C
在Tc 6.Electrical特征= 25 ℃(除非另有规定)
°
静态评级
描述
漏源
击穿电压BV
DSS
栅极阈值
电压V
GS
( TH )
零栅极电压
漏电流I
DSS
栅极 - 源
漏电流
漏源
在国家阻抗R
DS
(上)
I
GSS
符号
条件
I
D
=250A
V
GS
=0V
I
D
=250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=250V
T
ch
=25°C
VGS=0V
VDS=200V
T
ch
=125°C
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
V
DS
=0V
I
D
=5A
V
GS
=10V
-
200
260
10
100
nA
m
3.0
-
-
-
-
-
5.0
25
A
250
V
250
-
-
V
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
富士电气有限公司。
MS5F5124
DWG.NO.
3 / 21
H04-004-03
动态评分
描述
前锋
跨克
fs
输入电容
输出电容
反向传输
电容的Crss
TD (上)
开启时间
tr
TD (关闭)
打开-O FF时间
总栅极电荷
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载,复制,
借出,或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
符号
I
D
=5A
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
5
-
-
10
785
88
4
-
1178
132
6
S
西塞
科斯
pF
-
V
cc
=48V
V
GS
=10V
I
D
=5A
R
GS
=10
V
cc
=125V
I
D
=10A
V
GS
=10V
-
-
-
-
-
-
-
12
2.7
22
7.4
21
8
5
18
4.1
33
11.1
31.5
12
7.5
nC
ns
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
反向二极管
描述
雪崩能力
I
AV
二极管正向
上的电压V
SD
反向恢复
时间trr
反向恢复
电荷Qrr
符号
条件
L=100H
Tch=25°C
10
-
-
A
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
参见图1和图2
I
F
=10A
V
GS
=0V
I
F
=10A
V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μ s
T
ch
=25°C
T
ch
=25°C
-
1.10
1.65
V
-
0.155
-
s
-
1.05
-
C
7.Thermal电阻
描述
渠道情况
渠道环境
渠道环境
RTH ( CH -C )
RTH ( CH -A )
第r ( CH-A )* 1
2
2
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
2.5
87.0
52.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
* 1表面安装千毫米,T = 1.6毫米FR- 4印刷电路板(漏极焊盘面积: 500毫米)
富士电气有限公司。
MS5F5124
DWG.NO.
4 / 21
H04-004-03
2SK3613-01
FUJI功率MOSFET
200304
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
N沟道硅
功率MOS FET
MOSFET
动力
富士
外形图
(mm)
图纸
(mm)
外½寸法図
OUT VIEW
Fig.1
P矢視図参照
记号
表 示 内 容
照
Fig.1
应用
开关稳压器
UPS (不间断电源)
DC- DC转换器
P矢視図
尺寸以毫米为单位。
记号
商标
注: 1 。尺寸所示( )是
参考值。
注)1.()内寸法は参考値とする。
最大额定值和特性
绝对最大额定值
(TC = 25 ° C除非另有说明)
评级
单位
250
V
220
V
连续漏电流
±14
A
2.2 **
±
A
漏电流脉冲
I
D( PULS ]
±56
A
栅源电压
V
GS
±30
V
非重复性雪崩电流I
AS * 2
14
A
最大雪崩能量
E
AS * 1
129.1
mJ
最大漏源的dV / dt
dV
DS
/ DT
*4
20
KV / μs的
峰值二极管恢复的dv / dt
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
马克斯。功耗
P
D
Tc=25
105
W
°C
Ta=25
2.4 **
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
**表面安装千毫米
2
,T = 1.6毫米FR- 4印刷电路板(漏极焊盘面积: 500毫米
2
)
* 1 L = 1.11mH , VCC = 48V ,总胆固醇= 25 ° C,看到雪崩能量图* 2总胆固醇<150 ℃,
=
*3 I
F
< -I
D
, -di / DT = 50A / μs的, Vcc的< BV
DSS
,总胆固醇< 150 ° C * 4 V
DS
< 250V * 5 V
GS
=-30V
=
=
=
=
项
漏源电压
符号
V
DS
V
DSX * 5
I
D
Tc=25°C
Ta=25°C
表示内容
商標
特别
规范
客户
连接
11 G: :门
摹门
結線図
S1 :源1
22 S1源1
33 S2 :源2
S2源2
44 D: :排水
G
漏
S1
S2
D
特殊品記号
LOT号
ロット号
型号名称
½名
等效电路示意
D:漏
G:门
S1 :源
S2 :源
电气特性(T
c
= 25 ° C除非另有规定编)
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
(上)
t
r
td
(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=250V V
GS
=0V
V
DS
=200V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 5A V
GS
=10V
I
D
= 5A V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 48V我
D
=5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=125V
I
D
=10A
V
GS
=10V
L = 1.11mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 10A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 10A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
10
200
10
785
88
4
12
2.7
22
7.4
21
8
5
1.10
0.155
1.05
分钟。
250
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
260
1178
132
6
18
4.1
33
11.1
31.5
12
7.5
1.65
单位
V
V
A
nA
m
S
pF
5
ns
nC
14
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
R
第( CH-A ) **
测试条件
渠道情况
渠道环境
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
1.191
87.0
52.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
**表面安装千毫米
2
,T = 1.6毫米FR- 4印刷电路板(漏极焊盘面积: 500毫米
2
)
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd
1
2SK3613-01
特征
允许功耗
(D)= F( Tc)的
FUJI功率MOSFET
150
5
允许功耗
(D)= F( Tc)的
表面安装
千毫米, t为1.6毫米的FR-4印刷电路板
2
125
4
100
(漏极焊盘面积: 500毫米)
2
3
PD [ W]
75
PD [ W]
0
25
50
75
100
125
150
2
50
25
1
0
0
0
25
50
75
100
125
150
TC [
°
C]
TC [
°
C]
350
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E
AS
= F (首发TCH) : VCC = 48V
I
AS
=6A
典型的输出特性
ID = F ( VDS ) :为80μs脉冲试验,总胆固醇= 25°C
30
20V
25
10V
8V
7.5V
7.0V
300
250
I
AS
=9A
20
E
AS
[兆焦耳]
ID [ A]
200
15
6.5V
150
I
AS
=14A
10
100
6.0V
50
5
VGS=5.5V
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
12
开始总胆固醇[
°
C]
VDS [V]的
典型的传输特性
100
典型的跨导
GFS = F ( ID ) :为80μs脉冲试验, VDS = 25V ,总胆固醇= 25°C
100
ID = F ( VGS )为80μs脉冲试验, VDS = 25V ,总胆固醇= 25°C
10
10
ID [ A]
GFS [S]
1
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
1
10
100
VGS电压[V]的
ID [ A]
2
2SK3613-01
FUJI功率MOSFET
0.6
典型的漏源导通电阻
RDS ( ON) = F ( ID ) : 80
的脉动测试,总胆固醇= 25
°
C
VGS =
5.5V
6.0V
6.5V
800
700
漏源导通电阻
RDS ( ON) = F ( TCH) : ID = 5A , VGS = 10V
0.5
7.0V
600
RDS (上)
]
0.4
RDS (上) [M
]
7.5V
8V
10V
20V
500
400
马克斯。
300
200
典型值。
0.3
0.2
0.1
100
0.0
0
5
10
15
20
25
30
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS (次) = F(总胆固醇) : VDS = VGS ,ID = 250
A
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
马克斯。
10
12
14
典型栅极电荷特性
VGS = F量(Qg ) : ID = 10A ,总胆固醇= 25°C
VGS ( TH) [V]
4.5
VGS电压[V]的
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
分钟。
8
VCC = 125V
6
4
2
0
0
10
20
30
40
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
典型电容
C = F( VDS ) : VGS = 0V , F = 1MHz的
100
10
0
反向二极管的典型正向特性
IF = F ( VSD ) :为80μs脉冲试验,总胆固醇= 25°C
西塞
10
10
-1
C [ nF的]
科斯
IF [ A]
1
0.1
0.00
10
-2
CRSS
10
-3
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
VDS [V]的
VSD [V]的
3
2SK3613-01
FUJI功率MOSFET
典型的开关特性与ID
10
3
T = F( ID ) : VCC = 48V , VGS = 10V , RG = 10Ω
100
90
热敏电阻与漏极焊盘面积
T = 1.6毫米FR- 4 PCB
第r ( CH-A ) 〔
°
C / W]
80
70
60
50
40
30
20
10
2
tf
T [ NS ]
TD (关闭)
TD (上)
10
1
tr
10
10
0
0
-1
10
10
0
10
1
10
2
0
1000
2000
3000
2
4000
5000
ID [ A]
漏极焊盘面积[MM ]
10
2
最大雪崩电流与脉冲宽度
I
AV
= F (T
AV
) :首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=48V
雪崩电流I
AV
[A]
单脉冲
10
1
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i ( CH-C )= F(T)为:D = 0
10
0
第i ( CH-C )
°
C / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
4