1.Scope
2.Construction
3.Applications
4.Outview
此规定富士功率MOSFET 2SK3599-01MR
N沟道增强型功率MOSFET
切换
TO-220F
Outview看到8/20页
5.Absolute最大额定值在Tc = 25 ℃（除非另有说明）
°
描述
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
非重复性雪崩电流
最大雪崩能量
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，
借出，或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
DP
V
GS
I
AS
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
特征
100
70
± 20
± 80
± 30
20
227
20
5
2.16
25
150
-55到+150
2
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
°C
°C
kVRMS的
备注
VGS=-30V
L=681H,Vcc=48V
VDS<=100V
*1
Ta=25°C
Tc=25°C
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
隔离电压
t=60sec
f=60Hz
*1 I
F
≤-I
D
,-di/dt=50A/s,Vcc≤BV
DSS
,Tch≤150°C
在Tc 6.Electrical特征= 25 ℃（除非另有规定）
°
静态评级
描述
漏源
击穿电压BV
DSS
栅极阈值
电压V
GS
（ TH ）
零栅极电压
漏电流I
DSS
栅极 - 源
漏电流I
GSS
漏源
在国家阻抗R
DS
（上）
符号
条件
I
D
=250A
V
GS
=0V
I
D
=250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=100V
T
ch
=25°C
VGS=0V
VDS=80V
T
ch
=125°C
V
GS
=0V
V
GS
= ± 30V
V
DS
=0V
I
D
=10A
V
GS
=10V
DWG.NO.
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
100
3.0
-
-
-
-
-
-
-
5.0
25
250
V
V
A
-
10
100
nA
-
47
62
m
富士电气有限公司。
MS5F5110
3 / 20
H04-004-03
2SK3599-01MR
FUJI功率MOSFET
200304
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
N沟道硅功率MOSFET
外形图
(mm)
TO-220F
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
非重复性雪崩电流
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
隔离电压
符号
V
DS
V
DSX * 5
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AS * 2
E
AS * 1
dV
DS
/ DT
*4
dv / dt的
*3
P
D
Ta=25°C
Tc=25°C
T
ch
T
英镑
V
ISO
评级
100
70
±29
±116
±30
29
155.8
20
5
2.16
37
+150
-55到+150
2
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
°C
°C
kVRMS的
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
*6
* 1 L = 222μH ， VCC = 48V ，总胆固醇= 25 ° C，看到雪崩能量图
* 2总胆固醇< 150℃
=
< BV
DSS
，总胆固醇< 150 ° C * 4 V
DS
< 100V * 5 V
GS
= -30V * 6 T = 60秒F = 60Hz的
*3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， VCC =
=
=
=
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=100V V
GS
=0V
V
DS
=80V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 10A V
GS
=10V
I
D
= 10A V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 48V我
D
=10A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=50V
I
D
=20A
V
GS
=10V
L = 222μH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 20A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 20A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
10
47
12
730
190
12
12
3.8
23
8.5
22
9
6
1.10
65
0.17
分钟。
100
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
62
1095
285
18
18
6
35
13
33
13.5
9
1.65
单位
V
V
A
nA
m
S
pF
6
ns
nC
29
A
V
ns
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
3.378
58.0
单位
° C / W
° C / W
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd
1
2SK3599-01MR
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
50
45
40
400
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AS ） = F （首发TCH） ： VCC = 48V
I
AS
=12A
350
300
35
30
250
I
AS
=17A
EAS [兆焦耳]
PD [ W]
25
20
15
200
I
AS
=29A
150
100
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
50
0
0
25
50
75
100
125
150
TC [
°
C]
开始总胆固醇[
°
C]
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
80
20V
10V
60
10
100
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
ID [ A]
40
8V
7.5V
ID [ A]
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
12
7.0V
20
6.5V
6.0V
VGS=5.5V
0
0
2
4
6
8
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
0.18
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS =
5.5V 6.0V
0.15
6.5V
7.0V
7.5V
8V
RDS （上）
]
10
0.12
GFS [S]
0.09
10V
0.06
20V
0.03
1
0.1
0.1
1
10
100
0.00
0
10
20
30
40
50
60
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3599-01MR
FUJI功率MOSFET
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 10A ， VGS = 10V
150
7.0
6.5
125
6.0
5.5
5.0
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
马克斯。
RDS （上） [M
]
100
VGS （ TH） [V]
4.5
4.0
3.5
3.0
分钟。
75
马克斯。
50
2.5
典型值。
2.0
1.5
25
1.0
0.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [
°
C]
TCH [
°
C]
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 20A ，总胆固醇= 25°C
10
14
12
10
0
1
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
10
西塞
VGS电压[V]的
8
6
VCC = 50V
C [ nF的]
科斯
10
4
2
-1
CRSS
0
0
10
20
30
40
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
QG [ NC ]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 48V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
tf
10
10
2
IF [ A]
T [ NS ]
TD （关闭）
TD （上）
1
10
1
tr
0.1
0.00
10
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK3599-01MR
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=48V
FUJI功率MOSFET
10
2
[A]
单脉冲
10
1
雪崩电流I
AV
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
4
QQ：2881677436 复制
