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数据表

MOS场效应

2SK3574

开关

N沟道功率MOS FET

描述

的2SK3574是N沟道MOS场效应管装置，其

具有低导通电阻和出色的开关

的特点，专为低电压大电流

应用，如直流/直流转换器与同步

整流器。

5

订购信息

产品型号

2SK3574

2SK3574-S

2SK3574-ZK

2SK3574-Z

包

TO-220AB

TO-262

TO-263

TO-220SMD

记

特点

4.5V

可开车

ULOW

导通状态电阻

R

DS(on)1

= 13.5 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 24 A)

ULOW

栅极电荷

Q

G

= 22 NC TYP 。（V

DD

= 24 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 48 A)

.Built式

栅极保护二极管

雪崩

能力评级

●表面

安装设备可用

记

TO- 220SMD包产生仅在日本。

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T1

P

T2

T

ch

T

英镑

30

±20

±48

±140

1.5

29

150

-55到+150

19

36

V

V

A

A

W

W

°C

°C

A

mJ

总功率耗散（T

A

= 25°C)

总功率耗散（T

C

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note2

Note2

I

AS

E

AS

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

2.

起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

= 15 V ，R

G

= 25

,

V

GS

= 20

→

0 V

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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件D16260EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2002年9月NS CP （ K）

日本印刷

商标

!

表示主要修改点。

2002

2SK3574

电气特性（T

A

= 25°C)

°

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

= 24 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 48 A

I

F

= 48 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 48 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

测试条件

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

±20

V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 24 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 24 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 15 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 15 V，I

D

= 24 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

1.5

7.0

10.1

15

940

245

170

12

18

39

12

22

3.8

7

1.1

29

24.8

13.5

24

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±10

2.5

单位

A

A

V

S

m

m

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

ns

nC

5

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

50

测试电路2开关时间

D.U.T.

L

V

DD

PG 。

R

G

V

GS

R

L

V

DD

V

DS

90%

90%

10%

10%

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

BV

DSS

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

V

GS

0

τ

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

V

DS

V

DS

电波表

0

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

起始物为

ch

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

PG 。

50

R

L

V

DD

2

数据表D16260EJ2V0DS

2SK3574

典型特征（T

A

= 25°C)

°

正向偏置的降额因子

安全工作区

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

120

总功耗对比

外壳温度

40

P

T

- 总功耗 - W

100

30

80

60

20

40

10

20

0

0

25

50

75

100

125

150

175

0

0

25

50

75

100 125 150 175

T

C

- 外壳温度 -

°C

T

C

- 外壳温度 -

°C

正向偏置安全工作区

1000

T

C

= 25°C单脉冲

I

D（脉冲）

I

D

- 漏电流 - 一个

100

R

DS （O N）

廉资讯科技教育

PW = 10

s

10

I

D（ DC）的

DC

100

s

1毫秒

10米每秒

1

电源Disspasion

廉资讯科技教育

0.1

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

100

r

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

R

第（章-a）的

= 83.3C / W

10

R

TH（ CH-C ）

= 4.31 ° C / W

1

0.1

单脉冲

0.01

10

100

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表D16260EJ2V0DS

3

2SK3574

漏电流与

漏源极电压

150

100

正向传递特性

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

= 10 V

10

100

1

T

ch

= 150°C

75°C

25°C

55°C

50

4.5 V

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲

脉冲

0

0

1

2

3

0.01

0

1

2

3

4

5

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

GATE截止电压主场迎战

通道温度

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

3

100

正向转移导纳主场迎战

漏电流

V

DS

= 10 V

脉冲

V

GS （ OFF ）

- 栅极截止电压 - V

V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

2.5

2

1.5

1

0.5

0

-50

0

50

100

150

10

T

ch

= 150°C

75°C

25°C

55°C

1

0.1

0.1

1

10

100

T

ch

- 通道温度 -

°C

I

D

- 漏电流 - 一个

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

30

脉冲

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

30

脉冲

25

20

V

GS

= 4.5 V

25

20

15

I

D

= 24 A

15

10

10 V

10

5

0

0

5

10

15

20

5

0

1

10

100

1000

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

4

数据表D16260EJ2V0DS

2SK3574

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

25

电容与漏源极电压

10 00 0

20

V

GS

=4.5 V

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

I

D

= 24 A

脉冲

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

C

国际空间站

10 00

C

OSS

15

10

10 V

5

10 0

C

RS s

0

-50

0

50

100

150

10

0.01

0.1

1

10

10 0

T

ch

- 通道温度 - C

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

1000

动态输入/输出特性

30

12

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

25

100

t

D（关闭）

t

r

t

D（上）

10

t

f

20

V

DD

= 24 V

15 V

6V

10

8

15

V

GS

10

V

DS

I

D

= 48 A

6

4

5

2

1

0.1

1

10

100

0

0

5

10

15

20

25

0

I

D

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 改变门 - NC

源极到漏极二极管

正向电压

1000

V

的s

= 10 V

100

1000

反向恢复时间对比

漏电流

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 V

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

100

10

0V

1

10

0.1

脉冲

0.01

0

0.5

1

1.5

1

0.1

1

10

100

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

I

D

- 漏电流 - 一个

数据表D16260EJ2V0DS

5

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

V

D D

= 15 V

V

的s

= 10 V

R

G

= 10

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