2SK3561
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSVI ）
2SK3561
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.75Ω （ TYP。）
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 6.5S （典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 500 V)
增强型： V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
500
500
±30
8
32
40
312
8
4
150
-55~150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
单位
V
V
V
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
62.5
单位
2
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
8.3 mH的，我
AR
=
8 A，R
G
=
25
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
3
1
1
2005-01-26
2SK3561
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSVI ）
2SK3561
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.75Ω （ TYP。）
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 6.5S （典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 500 V)
增强型： V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
500
500
±30
8
32
40
312
8
4
150
-55~150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
2
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
8.3 mH的，我
AR
=
8 A，R
G
=
25
Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
3
1
2006-11-06
2SK3561
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSVI ）
2SK3561
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.75
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 6.5 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 500 V)
增强型： V
th
= 2.0 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
500
500
±30
8
32
40
312
8
4
150
-55到150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
2
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
8.3 mH的，我
AR
=
8 A，R
G
=
25
Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
3
1
2009-09-29
2SK3561
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
=
10 V，I
D
= 8
A
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
4 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
I
G
= ±10 μA,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
500 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
4 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
4 A
民
±30
500
2.0
3.0
典型值。
0.75
6.5
1050
10
110
26
45
38
130
28
16
12
最大
±10
100
4.0
0.85
pF
单位
μA
V
μA
V
V
Ω
S
ns
R
L
=
50
Ω
V
DD
200 V
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
8 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
8 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
1200
10
最大
8
32
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
K3561
产品型号（或缩写代码）
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
LOT号
注4
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
2
2009-09-29
QQ：2881677436 复制
