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2SK3541
晶体管
2.5V驱动N沟道MOS FET
2SK3541
结构
硅N沟道
MOSFET
外形尺寸
(单位:毫米)
VMT3
0.2
应用
接口,开关( 30V ,百毫安)
(3)
0.22
(1)(2)
0.8
1.2
0.4 0.4
0.8
0.13
0.5
(1)Gate
(2)Source
(3)Drain
缩写符号: KN
特点
1)低导通电阻。
2 )开关速度快。
3 )低电压驱动( 2.5V )使该器件非常适用于
便携式设备。
4 )驱动电路可以很简单。
5 )并行使用非常简单。
包装规格
TYPE
CODE
基本订购单位
(件)
2SK3541
TAPING
T2L
8000
等效电路
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续
漏电流
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
30
±20
±100
±400
150
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
保护
二极管
0.2
1.2
0.32
来源
A
pr
otection二极管包括栅极之间
和源极端,保护二极管
防静电,当产品在使用中。
使用一个保护电路,当固定电压
被超过。
总功耗
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2
与每个销装在推荐的土地。
REV.B
1/3
2SK3541
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
分钟。
30
0.8
20
典型值。
5
7
13
9
4
15
35
80
80
马克斯。
±1
1.0
1.5
8
13
单位
A
V
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
条件
V
GS
=±20V,
V
DS
=0V
I
D
=10A,
V
GS
=0V
V
DS
=30V,
V
GS
=0V
V
DS
=3V,
I
D
=100A
I
D
=10mA,
V
GS
=4V
I
D
=1mA,
V
GS
=2.5V
I
D
=10mA,
V
DS
=3V
V
DS
=5V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=10mA,
V
DD
V
GS
=5V
R
L
=500
R
G
=10
5V
电气特性曲线
栅极阈值电压: V
GS ( TH)
(V)
0.15
4V
3V
200m
Ta=25°C
脉冲
漏电流:我
D
(A)
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
V
DS
=3V
脉冲
2
V
DS
=3V
I
D
=0.1mA
脉冲
漏电流:我
D
(A)
3.5V
1.5
0.1
2.5V
1
0.05
2V
V
GS
=
1.5V
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
0.5
0.2m
4
5
0
0
1
2
3
0.1m
0
1
2
3
4
0
50
25
0
25
50
75
100
125 150
漏源电压: V
DS
(V)
栅源电压: V
GS
(V)
通道温度:总胆固醇(C )
图1典型的输出特性
图2典型的传输特性
图3栅极阈值电压相对于
通道温度
50
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
20
10
5
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
20
10
5
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
V
GS
=4V
脉冲
50
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
=2.5V
脉冲
15
Ta=25°C
脉冲
10
2
1
0.5
0.001
0.002
2
1
5
I
D
=0.1A
I
D
=0.05A
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.5
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0
0
5
10
15
20
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
栅源电压: V
GS
(V)
图4静态漏源导通状态
电阻与漏极电流( Ι )
图5静态漏源导通状态
电阻与漏极电流( ΙΙ )
图6静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
REV.B
2/3
2SK3541
晶体管
9
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
反向漏电流:我
DR
(A)
8
7
I
D
=100mA
V
GS
=4V
脉冲
正向传递
导纳: | YFS | ( S)
0.5
V
DS
=3V
脉冲
200m
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
100m
50m
V
GS
=0V
脉冲
6
5
4
I
D
=50mA
Ta=25°C
25°C
75°C
125°C
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
3
2
1
0.005
0.002
0
50
25
0
25
50
75
100 125
150
0.001
0.0001
0.0002
0.0005 0.001 0.002
0.005 0.01 0.02
0.05
0.1 0.2
0.5
0
0.5
1
1.5
通道温度:总胆固醇(C )
漏电流:我
D
(A)
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
图7静态漏源导通状态
电阻与通道
温度
图8远期转移
导纳主场迎战漏电流
图9反向漏电流随
源极 - 漏极电压( Ι )
反向漏电流:我
DR
(A)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
Ta=25°C
脉冲
50
20
Ta
=25°C
f=1MH
Z
V
GS
=0V
1000
t
f
t
D(关闭)
500
具有结构转换的时间: T( NS )
电容:C (PF )
C
国际空间站
10
5
200
100
50
Ta
=25°C
V
DD
=5V
V
GS
=5V
R
G
=10
脉冲
V
GS
=4V
0V
C
OSS
C
RSS
20
10
5
2
1
0.5
0.1
t
r
t
D(上)
0
0.5
1
1.5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
2
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
漏源电压: V
DS
(V)
漏电流:我
D
(MA )
图10反向漏电流随
源极 - 漏极电压( ΙΙ )
图11典型的电容与
漏源电压
图12开关特性
(参见图13和14,用于
测量电路
和由此产生的波形)
开关特性测量电路
脉冲宽度
50%
10%
10%
90%
50%
V
GS
I
D
D.U.T.
R
L
V
DS
V
GS
V
DS
R
G
10%
90%
90%
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
V
DD
t
D(上)
t
on
t
r
图13开关时间测量电路
图14开关时间波形
REV.B
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SK3541
晶体管
小开关( 30V , 0.1A )
2SK3541
!
应用
接口,开关( 30V ,百毫安)
!
外形尺寸
(单位:毫米)
!
特点
1)低导通电阻。
2 )开关速度快。
3 )低电压驱动( 2.5V )使该器件非常适用于
便携式设备。
4 )易于设计的驱动电路。
5 )易于平行。
ROHM : VMT3
0.2
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
0.2
1.2
0.32
0.4 0.4
0.13
0~0.1
0.5
0.15Max.
0.22
0.8
( 1 )门
( 2 )资料来源
( 3 )排水
缩写符号: KN
!
结构
硅N沟道
MOSFET
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续
漏电流
反向漏
当前
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
DR
I
DRP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
30
±20
100
400
100
400
150
150
55~+150
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
!
等效电路
总功率耗散(TC = 25℃)
通道温度
储存温度
保护
二极管
来源
1
Pw≤10μs ,职务cycle<1 %
2
与每个销装在推荐的土地。
A
pr
otection二极管包括栅极之间
和源极端,保护二极管
防静电,当产品在使用中。
使用一个保护电路,当固定电压
被超过。
2SK3541
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
r
分钟。
30
0.8
20
典型值。
5
7
13
9
4
15
35
80
80
马克斯。
±1
1.0
1.5
8
13
单位
A
V
A
V
ms
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
条件
V
GS
=±20V,
V
DS
=0V
I
D
=10A,
V
GS
=0V
V
DS
=30V,
V
GS
=0V
V
DS
=3V,
I
D
=100A
I
D
=10mA,
V
GS
=4V
I
D
=1mA,
V
GS
=2.5V
I
D
=10mA,
V
DS
=3V
V
DS
=5V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=10mA,
V
DD
V
GS
=5V
R
L
=500
R
GS
=10
5V
!
包装规格
TYPE
CODE
基本订购单位
(件)
2SK3541
TAPING
T2R
8000
!
电气特性曲线
栅极阈值电压: V
GS ( TH)
(V)
0.15
4V
漏电流:我
D
(A)
200m
3V
漏电流:我
D
(A)
3.5V
Ta=25°C
脉冲
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
V
DS
=3V
脉冲
2
V
DS
=3V
I
D
=0.1mA
脉冲
1.5
0.1
2.5V
1
0.05
2V
V
GS
=
1.5V
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
0.5
0.2m
4
5
0
0
1
2
3
0.1m
0
1
2
3
4
0
50 25
0
25
50
75
100
125 150
漏源电压: V
DS
(V)
栅源电压: V
GS
(V)
通道温度:总胆固醇(C )
图1典型的输出特性
图2典型的传输特性
图3栅极阈值电压相对于
通道温度
2SK3541
晶体管
50
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
20
10
5
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
20
10
5
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
V
GS
=4V
脉冲
50
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
=2.5V
脉冲
15
Ta=25°C
脉冲
10
2
1
0.5
0.001 0.002
2
1
0.5
0.001 0.002
5
I
D
=0.1A
I
D
=0.05A
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0
0
5
10
15
20
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
栅源电压: V
GS
(V)
图4静态漏源导通状态
电阻与漏极电流( Ι )
图5静态漏源导通状态
电阻与漏极电流( ΙΙ )
图6静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
9
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
反向漏电流:我
DR
(A)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
50 25
0
25
50
75
I
D
=100mA
V
GS
=4V
脉冲
正向传递
导纳: | YFS | ( S)
0.5
V
DS
=3V
脉冲
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
Ta=25°C
25°C
75°C
125°C
V
GS
=0V
脉冲
I
D
=50mA
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
100 125
150
0.001
0.0001 0.0002
0.0005 0.001 0.002
0.005 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
0
0.5
1
1.5
通道温度:总胆固醇(C )
漏电流:我
D
(A)
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
图7静态漏源导通状态
电阻与通道
温度
图8远期转移
导纳主场迎战漏电流
图9反向漏电流随
源极 - 漏极电压( Ι )
反向漏电流:我
DR
(A)
200m
100m
50m
Ta=25°C
脉冲
50
20
电容:C (PF )
Ta
=25°C
f=1MH
Z
V
GS
=0V
C
国际空间站
具有结构转换的时间: T( NS )
1000
t
f
500
t
D(关闭)
200
100
50
t
r
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
V
GS
=4V
Ta
=25°C
V
DD
=5V
V
GS
=5V
R
G
=10
脉冲
10
5
0V
C
OSS
C
RSS
20
10
5
t
D(上)
2
1
0.5
0.1
0
0.5
1
1.5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
2
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
漏源电压: V
DS
(V)
漏电流:我
D
(MA )
图10反向漏电流随
源极 - 漏极电压( ΙΙ )
图11典型的电容与
漏源电压
图12开关特性
(参见图13和14,用于
测量电路
和由此产生的波形)
2SK3541
晶体管
!
开关特性测量电路
脉冲宽度
50%
10%
10%
90%
50%
V
GS
I
D
D.U.T.
R
L
V
DS
V
GS
V
DS
R
G
10%
90%
90%
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
V
DD
t
D(上)
t
on
t
r
图13开关时间测量电路
图14开关时间波形
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
2SK3541
晶体管
小开关( 30V , 0.1A )
2SK3541
!
应用
接口,开关( 30V ,百毫安)
!
外形尺寸
(单位:毫米)
!
特点
1)低导通电阻。
2 )开关速度快。
3 )低电压驱动( 2.5V )使该器件非常适用于
便携式设备。
4 )易于设计的驱动电路。
5 )易于平行。
ROHM : VMT3
0.2
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
0.2
1.2
0.32
0.4 0.4
0.13
0~0.1
0.5
0.15Max.
0.22
0.8
( 1 )门
( 2 )资料来源
( 3 )排水
缩写符号: KN
!
结构
硅N沟道
MOSFET
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续
漏电流
反向漏
当前
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
DR
I
DRP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
30
±20
100
400
100
400
150
150
55~+150
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
!
等效电路
总功率耗散(TC = 25℃)
通道温度
储存温度
保护
二极管
来源
1
Pw≤10μs ,职务cycle<1 %
2
与每个销装在推荐的土地。
A
pr
otection二极管包括栅极之间
和源极端,保护二极管
防静电,当产品在使用中。
使用一个保护电路,当固定电压
被超过。
2SK3541
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
r
分钟。
30
0.8
20
典型值。
5
7
13
9
4
15
35
80
80
马克斯。
±1
1.0
1.5
8
13
单位
A
V
A
V
ms
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
条件
V
GS
=±20V,
V
DS
=0V
I
D
=10A,
V
GS
=0V
V
DS
=30V,
V
GS
=0V
V
DS
=3V,
I
D
=100A
I
D
=10mA,
V
GS
=4V
I
D
=1mA,
V
GS
=2.5V
I
D
=10mA,
V
DS
=3V
V
DS
=5V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=10mA,
V
DD
V
GS
=5V
R
L
=500
R
GS
=10
5V
!
包装规格
TYPE
CODE
基本订购单位
(件)
2SK3541
TAPING
T2R
8000
!
电气特性曲线
栅极阈值电压: V
GS ( TH)
(V)
0.15
4V
漏电流:我
D
(A)
200m
3V
漏电流:我
D
(A)
3.5V
Ta=25°C
脉冲
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
V
DS
=3V
脉冲
2
V
DS
=3V
I
D
=0.1mA
脉冲
1.5
0.1
2.5V
1
0.05
2V
V
GS
=
1.5V
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
0.5
0.2m
4
5
0
0
1
2
3
0.1m
0
1
2
3
4
0
50 25
0
25
50
75
100
125 150
漏源电压: V
DS
(V)
栅源电压: V
GS
(V)
通道温度:总胆固醇(C )
图1典型的输出特性
图2典型的传输特性
图3栅极阈值电压相对于
通道温度
2SK3541
晶体管
50
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
20
10
5
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
20
10
5
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
V
GS
=4V
脉冲
50
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
=2.5V
脉冲
15
Ta=25°C
脉冲
10
2
1
0.5
0.001 0.002
2
1
0.5
0.001 0.002
5
I
D
=0.1A
I
D
=0.05A
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0
0
5
10
15
20
漏电流:我
D
(A)
漏电流:我
D
(A)
栅源电压: V
GS
(V)
图4静态漏源导通状态
电阻与漏极电流( Ι )
图5静态漏源导通状态
电阻与漏极电流( ΙΙ )
图6静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
9
静态漏源
通态电阻,R
DS ( ON)
()
反向漏电流:我
DR
(A)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
50 25
0
25
50
75
I
D
=100mA
V
GS
=4V
脉冲
正向传递
导纳: | YFS | ( S)
0.5
V
DS
=3V
脉冲
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
Ta=25°C
25°C
75°C
125°C
V
GS
=0V
脉冲
I
D
=50mA
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
100 125
150
0.001
0.0001 0.0002
0.0005 0.001 0.002
0.005 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
0
0.5
1
1.5
通道温度:总胆固醇(C )
漏电流:我
D
(A)
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
图7静态漏源导通状态
电阻与通道
温度
图8远期转移
导纳主场迎战漏电流
图9反向漏电流随
源极 - 漏极电压( Ι )
反向漏电流:我
DR
(A)
200m
100m
50m
Ta=25°C
脉冲
50
20
电容:C (PF )
Ta
=25°C
f=1MH
Z
V
GS
=0V
C
国际空间站
具有结构转换的时间: T( NS )
1000
t
f
500
t
D(关闭)
200
100
50
t
r
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
V
GS
=4V
Ta
=25°C
V
DD
=5V
V
GS
=5V
R
G
=10
脉冲
10
5
0V
C
OSS
C
RSS
20
10
5
t
D(上)
2
1
0.5
0.1
0
0.5
1
1.5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
2
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
源极 - 漏极电压: V
SD
(V)
漏源电压: V
DS
(V)
漏电流:我
D
(MA )
图10反向漏电流随
源极 - 漏极电压( ΙΙ )
图11典型的电容与
漏源电压
图12开关特性
(参见图13和14,用于
测量电路
和由此产生的波形)
2SK3541
晶体管
!
开关特性测量电路
脉冲宽度
50%
10%
10%
90%
50%
V
GS
I
D
D.U.T.
R
L
V
DS
V
GS
V
DS
R
G
10%
90%
90%
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
V
DD
t
D(上)
t
on
t
r
图13开关时间测量电路
图14开关时间波形
附录
笔记
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指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3541
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    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004264855 复制

电话:075582788161
联系人:王小姐
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联系人:肖
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
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联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
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联系人:小邹
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