2SK3520-01MR
FUJI功率MOSFET
2SK3520-01MR
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图
TO-220F
10
1
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F （T ） ： D = T / T
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
第i （ CH-C ） [C / W]
o
10
-1
0.02
0.01
t
应用
开关稳压器
D=
T
t
T
10
-2
0
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
10
-3
最大额定值和特性
绝对最大额定值
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
500
A
I
D
±8
A
I
D（ PULS ]
±32
V
V
GS
±30
A
I
AR
*2
8
mJ
E
AS
*1
173
KV / μs的
dV
DS
/ DT
*4
20
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
P
D
Ta=25
2.16
W
°C
Tc=25
35
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
* 1 L = 4.98mH ， VCC = 50V * 2 Tch<150 ° C * 3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， VCC =
=
=
=
* 4 VDS < 500V
=
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
吨[秒]
等效电路示意
漏极（D ）
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25°C 。 VCC = 50V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
栅极（G ）
源极（S ）
10
0
10
-1
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
-2
10
-8
10
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=500V V
GS
=0V
V
DS
=400V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 4A V
GS
=10V
I
D
= 4A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=4A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=250V
I
D
=8A
V
GS
=10V
L = 4.98mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
分钟。
500
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.85
1130
150
6.0
21
14
36
9
30
13
8.5
1.50
单位
V
V
A
nA
S
pF
t
AV
[秒]
3.5
10
0.65
7
750
100
4.0
14
9
24
6
20
8.5
5.5
1.00
0.65
3.5
ns
nC
8
富士電機株式会社
電子カンパニーパワー半導½事業部
〒 141-0032東京½品川区大崎一丁目 11 番２号（ゲートシティ大崎イーストタワー）
営業統括部℡ (03)5435-7152
関西支社 半導½営業部(06)6455-6467
中部支社 半導½営業部(052)234-4482
九州支社 半導½営業部(092)731-7132
网址http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
3.57
58.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3520-01MR
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
50
45
40
35
30
20
18
16
14
12
FUJI功率MOSFET
2SK3520-01MR
FUJI功率MOSFET
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
20V
10V
8V
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
典型栅极电荷特性
24
22
20
VCC = 100V
250V
400V
VGS = F量（Qg ） ： ID = 8A ，总胆固醇= 25°C
马克斯。
18
16
VGS （ TH） [V]
4.5
ID [ A]
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
VGS=6.5V
7.0V
VGS电压[V]的
75
100
125
150
PD [ W]
7.5V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
典型值。
14
12
10
8
6
4
2
0
分钟。
50
0
10
20
30
40
50
60
TC [
°
C]
VDS [V]的
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10n
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
10
10
1n
西塞
10
ID [ A]
GFS [S]
C [ F]
100p
1
科斯
IF [ A]
1
3
1
10p
CRSS
0.1
0.1
0.1
1
10
1p
10
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS电压[V]的
10
0
10
1
10
2
10
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
ID [ A]
VDS [V]的
VSD [V]的
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
2.0
1.8
1.6
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 4A ， VGS = 10V
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
300
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 50V ， I（ AV） < = 8A
VGS=6.5V
2.0
7.0V
7.5V
250
10
2
1.4
tr
200
TD （关闭）
RDS （上）
]
8V
1.5
1.0
0.8
0.6
T [ NS ]
TD （上）
10
1
EAV [兆焦耳]
10V
20V
RDS （上）
]
1.2
马克斯。
典型值。
150
1.0
tf
100
0.5
0.4
50
0.2
10
0
0.0
0
5
10
15
20
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
0
10
1
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
ID [ A]
开始总胆固醇[C]
°
2
2SK3520-01MR
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
200303
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
TO-220F
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
评级
单位
V
500
A
±9
A
±36
V
±30
A
9
mJ
155.3
KV / μs的
20
KV / μs的
5
2.16
W
48
工作和存储
+150
°C
-55到+150
温度范围
°C
隔离电压
2
kVRMS的
<150°C
* 1 L = 3.5mH ， VCC = 50V ，看到雪崩能量图* 2 =总胆固醇
*3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
* 4 VDS < 500V * 5 T = 60秒， F = 60Hz的
=
=
=
=
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR
*2
E
AS
*1
dV
DS
/ DT
*4
dv / dt的
*3
P
D
Ta=25°C
Tc=25°C
T
ch
T
英镑
V
ISO * 5
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=500V V
GS
=0V
V
DS
=400V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 4A V
GS
=10V
I
D
= 4A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=4A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=250V
I
D
=8A
V
GS
=10V
L = 3.5mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
10
0.65
7
750
100
4.0
14
9
24
6
20
8.5
5.5
1.00
0.65
3.5
分钟。
500
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.85
1130
150
6.0
21
14
36
9
30
13
8.5
1.50
单位
V
V
A
nA
S
pF
3.5
ns
nC
9
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
2.60
58.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3520-01MR
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
典型的输出特性
20
18
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
20V
10V
8V
50
40
16
14
30
12
ID [ A]
7.5V
10
8
6
7.0V
PD [ W]
20
10
4
2
VGS=6.5V
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
TC [
°
C]
VDS [V]的
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10
10
ID [ A]
1
GFS [S]
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
1
10
0.1
VGS电压[V]的
ID [ A]
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
2.0
1.8
1.6
1.4
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 4A ， VGS = 10V
VGS=6.5V
2.0
7.0V
7.5V
RDS （上）
]
8V
1.5
10V
20V
RDS （上）
]
1.2
1.0
0.8
0.6
马克斯。
典型值。
1.0
0.5
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3520-01MR
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 8A ，总胆固醇= 25°C
24
22
20
VCC = 100V
250V
400V
马克斯。
5.0
18
16
14
VGS （ TH） [V]
4.5
VGS电压[V]的
75
100
125
150
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
分钟。
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
10n
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
1n
西塞
10
C [ F]
100p
科斯
IF [ A]
1
3
10p
CRSS
1p
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
VDS [V]的
VSD [V]的
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
500
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E
AS
= F （首发TCH） ： VCC = 50V
10
2
400
tr
TD （关闭）
I
AS
=4A
300
T [ NS ]
TD （上）
10
1
E
AS
[兆焦耳]
tf
200
I
AS
=6A
I
AS
=9A
100
10
0
0
10
0
10
1
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3520-01MR
FUJI功率MOSFET
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=50V
雪崩电流I
AV
[A]
单脉冲
1
10
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
4
2SK3520-01MR
FUJI功率MOSFET
2SK3520-01MR
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图
TO-220F
10
1
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F （T ） ： D = T / T
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
第i （ CH-C ） [C / W]
o
10
-1
0.02
0.01
t
应用
开关稳压器
D=
T
t
T
10
-2
0
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
10
-3
最大额定值和特性
绝对最大额定值
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
500
A
I
D
±8
A
I
D（ PULS ]
±32
V
V
GS
±30
A
I
AR
*2
8
mJ
E
AS
*1
173
KV / μs的
dV
DS
/ DT
*4
20
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
P
D
Ta=25
2.16
W
°C
Tc=25
35
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
* 1 L = 4.98mH ， VCC = 50V * 2 Tch<150 ° C * 3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， VCC =
=
=
=
* 4 VDS < 500V
=
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
吨[秒]
等效电路示意
漏极（D ）
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25°C 。 VCC = 50V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
栅极（G ）
源极（S ）
10
0
10
-1
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
-2
10
-8
10
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=500V V
GS
=0V
V
DS
=400V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 4A V
GS
=10V
I
D
= 4A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=4A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=250V
I
D
=8A
V
GS
=10V
L = 4.98mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
分钟。
500
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.85
1130
150
6.0
21
14
36
9
30
13
8.5
1.50
单位
V
V
A
nA
S
pF
t
AV
[秒]
3.5
10
0.65
7
750
100
4.0
14
9
24
6
20
8.5
5.5
1.00
0.65
3.5
ns
nC
8
富士電機株式会社
電子カンパニーパワー半導½事業部
〒 141-0032東京½品川区大崎一丁目 11 番２号（ゲートシティ大崎イーストタワー）
営業統括部℡ (03)5435-7152
関西支社 半導½営業部(06)6455-6467
中部支社 半導½営業部(052)234-4482
九州支社 半導½営業部(092)731-7132
网址http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
3.57
58.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3520-01MR
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
50
45
40
35
30
20
18
16
14
12
FUJI功率MOSFET
2SK3520-01MR
FUJI功率MOSFET
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
20V
10V
8V
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
典型栅极电荷特性
24
22
20
VCC = 100V
250V
400V
VGS = F量（Qg ） ： ID = 8A ，总胆固醇= 25°C
马克斯。
18
16
VGS （ TH） [V]
4.5
ID [ A]
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
VGS=6.5V
7.0V
VGS电压[V]的
75
100
125
150
PD [ W]
7.5V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
典型值。
14
12
10
8
6
4
2
0
分钟。
50
0
10
20
30
40
50
60
TC [
°
C]
VDS [V]的
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10n
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
10
10
1n
西塞
10
ID [ A]
GFS [S]
C [ F]
100p
1
科斯
IF [ A]
1
3
1
10p
CRSS
0.1
0.1
0.1
1
10
1p
10
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS电压[V]的
10
0
10
1
10
2
10
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
ID [ A]
VDS [V]的
VSD [V]的
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
2.0
1.8
1.6
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 4A ， VGS = 10V
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
300
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 50V ， I（ AV） < = 8A
VGS=6.5V
2.0
7.0V
7.5V
250
10
2
1.4
tr
200
TD （关闭）
RDS （上）
]
8V
1.5
1.0
0.8
0.6
T [ NS ]
TD （上）
10
1
EAV [兆焦耳]
10V
20V
RDS （上）
]
1.2
马克斯。
典型值。
150
1.0
tf
100
0.5
0.4
50
0.2
10
0
0.0
0
5
10
15
20
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
0
10
1
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
ID [ A]
开始总胆固醇[C]
°
2
QQ：2881677436 复制
