2SK3517-01
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
200303
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
TO-220AB
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
评级
500
±6
±24
±30
6
115
20
5
2.02
90
工作和存储
+150
-55到+150
温度范围
* 1 L = 5.90mH ， VCC = 50V ，看到雪崩能量图* 2 Tch<150 ℃，
=
*3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150 ° C * 4 VDS < 500V
=
=
=
=
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR
*2
E
AS
*1
dV
DS
/ DT
*4
dv / dt的
*3
P
D
Ta=25°C
Tc=25°C
T
ch
T
英镑
单位
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
°C
°C
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=500V V
GS
=0V
V
DS
=400V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 3A V
GS
=10V
I
D
= 3A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=3A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=250V
I
D
=6A
V
GS
=10V
L = 5.9mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 6A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 6A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
10
1.15
5
430
60
2.5
10
5
20
5
15
6.5
2.5
1.00
0.5
1.7
分钟。
500
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
1.50
675
90
4.5
15
7.5
30
7.5
22.5
10.5
4.5
1.50
单位
V
V
A
nA
S
pF
2.5
ns
nC
6
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
1.39
62.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3517-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
典型的输出特性
10
9
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
20V
10V
7.0V
100
80
8
6.5V
7
60
6
PD [ W]
ID [ A]
5
6.0V
4
3
40
20
2
1
VGS=5.5V
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
TC [
°
C]
VDS [V]的
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
1
10
ID [ A]
GFS [S]
0.1
1
0.01
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0.1
0.01
0.1
1
10
VGS电压[V]的
ID [ A]
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
4
4.0
3.5
3
VGS=5.5V
6.0V
6.5V
3.0
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 3A ， VGS = 10V
RDS （上）
]
RDS （上）
]
7.0V
10V
2
20V
2.5
马克斯。
2.0
典型值。
1.5
1.0
0.5
1
0
0
2
4
6
8
10
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3517-01
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 250μA
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
马克斯。
16
14
12
20
18
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 3A ，总胆固醇= 25°C
VGS （ TH） [V]
4.5
VGS电压[V]的
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
分钟。
10
8
6
4
2
0
0
5
10
VCC = 100V
250V
400V
15
20
25
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
10n
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
1n
西塞
10
C [ F]
100p
科斯
IF [ A]
1
CRSS
0.1
0.00
10p
1p
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
VDS [V]的
VSD [V]的
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
500
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E
AS
= F （首发TCH） ： VCC = 50V
10
2
400
tf
TD （关闭）
I
AS
=2.4A
300
10
1
TD （上）
E
AS
[兆焦耳]
T [ NS ]
200
I
AS
=3.6A
tr
I
AS
=6A
100
10
0
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3517-01
FUJI功率MOSFET
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=50V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
4
2SK3517-01
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图
TO-220AB
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
500
A
I
D
±6
A
I
D（ PULS ]
±24
V
V
GS
±30
A
I
AR
*2
6
mJ
E
AS
*1
115
KV / μs的
dV
DS
/ DT
*4
20
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
P
D
Ta=25
2.02
W
°C
Tc=25
45
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
* 1 L = 5.80mH ， VCC = 50V * 2总胆固醇<150 ° C * 3 I
F
=
=
=
=
* 4 VDS < 500V
=
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=500V V
GS
=0V
V
DS
=400V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 3A V
GS
=10V
I
D
= 3A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=3A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=250V
I
D
=6A
V
GS
=10V
L = 5.8mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 6A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 6A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
10
1.15
5
430
60
2.5
10
5
20
5
15
6.5
2.5
1.00
0.5
1.7
分钟。
500
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
1.50
675
90
4.5
15
7.5
30
7.5
22.5
10.5
4.5
1.50
单位
V
V
A
nA
S
pF
2.5
ns
nC
6
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
2.78
62.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3517-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
50
10
9
40
8
FUJI功率MOSFET
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
20V
10V
7.0V
6.5V
7
30
6
PD [ W]
ID [ A]
5
6.0V
4
3
20
10
2
1
VGS=5.5V
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
TC [
°
C]
VDS [V]的
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
1
10
ID [ A]
GFS [S]
0.1
1
0.01
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0.1
0.01
0.1
1
10
VGS电压[V]的
ID [ A]
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
4
4.0
3.5
3
VGS=5.5V
6.0V
6.5V
3.0
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 3A ， VGS = 10V
RDS （上）
]
RDS （上）
]
7.0V
10V
2
20V
2.5
马克斯。
2.0
典型值。
1.5
1.0
0.5
1
0
0
2
4
6
8
10
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3517-01
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 250μA
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
马克斯。
16
14
12
20
18
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 3A ，总胆固醇= 25°C
VGS （ TH） [V]
4.5
VGS电压[V]的
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
分钟。
10
8
6
4
2
0
0
5
10
VCC = 100V
250V
400V
15
20
25
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
10n
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
1n
西塞
10
C [ F]
100p
科斯
IF [ A]
1
CRSS
0.1
0.00
10p
1p
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
VDS [V]的
VSD [V]的
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
150
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 50V ， I（ AV） < = 6A
125
10
2
tf
100
TD （关闭）
EAV [兆焦耳]
0
1
2
T [ NS ]
10
1
TD （上）
75
tr
50
25
10
0
0
10
-1
10
10
10
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
°
开始总胆固醇[C]
3
2SK3517-01
FUJI功率MOSFET
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F （ T） ：占空比= 0
10
1
10
0
第i （ CH-C ） [C / W]
o
10
-1
t
10
-2
D=
T
t
T
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
最大雪崩电流脉宽
10
2
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25°C 。 VCC = 50V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
10
0
10
-1
10
-2
-8
10
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
4
QQ：2880707522 复制
