1.Scope
2.Construction
3.Applications
4.Outview
此规定富士功率MOSFET 2SK3516-01L ， S， SJ
N沟道增强型功率MOSFET
切换
T-包
L型Outview看到8/21页
S型Outview看到9/21页
SJ型Outview看到10/21页
5.Absolute最大额定值在Tc = 25 ℃（除非另有说明）
°
描述
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
最大雪崩电流
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，
借出，或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
符号
V
DS
I
D
I
DP
V
GS
I
AR
E
AV
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
特征
450
±
8
±
32
±
30
8
193
20
5
1.67
单位
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
备注
Tch<=150°C
L=5.53mH
Vcc=45V
VDS<=450V
*1
Ta=25°C
Tc=25°C
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
65
150
-55到+150
°C
°C
*1 I
F
≤-I
D
,-di/dt=50A/s,Vcc≤BV
DSS
,Tch≤150°C
在Tc 6.Electrical特征= 25 ℃（除非另有规定）
°
静态评级
描述
漏源
击穿电压BV
DSS
栅极阈值
电压V
GS
（ TH ）
零栅极电压
漏电流I
DSS
栅极 - 源
漏电流I
GSS
漏源
在国家阻抗R
DS
（上）
符号
条件
I
D
=250A
V
GS
=0V
I
D
=250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=450V
T
ch
=25°C
VGS=0V
VDS=360V
T
ch
=125°C
V
GS
=0V
V
GS
=
±
30V
V
DS
=0V
I
D
=4A
V
GS
=10V
DWG.NO.
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
450
-
-
V
3.0
-
-
-
-
-
5.0
25
V
A
250
-
10
100
nA
-
0.50
0.65
富士电气有限公司。
MS5F5218
3 / 21
H04-004-03
2SK3516-01L,S,SJ
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
P4
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
450
A
I
D
±8
A
I
D（ PULS ]
±32
V
V
GS
±30
A
I
AR
*2
8
mJ
E
AS
*1
193
KV / μs的
dV
DS
/ DT
*4
20
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
P
D
Ta=25
1.67
W
°C
Tc=25
65
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
* 1 L = 5.53mH ， VCC = 45V * 2总胆固醇<150 ° C * 3 I
F
=
=
=
=
* 4 VDS < 450V
=
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
A
I
D
= 250
V
DS
=V
GS
V
DS
=450V V
GS
=0V
V
DS
=360V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 4A V
GS
=10V
I
D
= 4A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=4A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=225V
I
D
=8A
V
GS
=10V
L = 5.53mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
分钟。
450
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.65
单位
V
V
A
nA
S
pF
4
10
0.50
8
800
1200
120
150
4.5
7
15
23
12
18
25
38
7
11
22
33
9.5
14.5
6.5
10
1.00
0.7
3.5
ns
nC
8
1.50
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
1.92
75.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3516-01L,S,SJ
特征
FUJI功率MOSFET
80
70
60
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 45V ， I（ AV） < = 8A
300
250
200
50
EAV [兆焦耳]
0
25
50
75
100
125
150
PD [ W]
40
30
20
150
100
50
10
0
0
0
25
50
75
100
125
150
TC [
°
C]
开始总胆固醇[
°
C]
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
30
28
26
24
22
20
20V
10V
10
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
ID [ A]
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
7.0V
VGS=6.5V
7.5V
ID [ A]
1
0.1
0
18
8V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
2.0
1.8
1.6
1.4
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS = 6.5V 7.0V
7.5V
8V
10V
20V
RDS （上）
]
0.1
1
10
10
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
GFS [S]
1
0.1
0.0
0
5
10
15
20
25
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3516-01L,S,SJ
FUJI功率MOSFET
2.0
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 4A ， VGS = 10V
栅极阈值电压与总胆固醇
7.0
6.5
6.0
5.5
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 250μA
1.5
5.0
马克斯。
VGS （ TH） [V]
RDS （上）
]
4.5
4.0
3.5
3.0
分钟。
1.0
马克斯。
典型值。
0.5
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
TCH [
°
C]
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [
°
C]
典型栅极电荷特性
24
22
20
18
16
14
360V
VCC = 90V
225V
VGS = F量（Qg ） ： ID = 8A ，总胆固醇= 25°C
10n
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
1n
西塞
VGS电压[V]的
C [ F]
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
100p
科斯
10p
CRSS
1p
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
QG [ NC ]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
100
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
10
10
2
tr
TD （关闭）
IF [ A]
T [ NS ]
TD （上）
10
1
tf
1
10
0.1
0.00
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
10
0
10
1
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK3516-01L,S,SJ
FUJI功率MOSFET
10
1
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [ ℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
最大雪崩电流脉宽
10
2
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25°C 。 VCC = 45V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
10
0
10
-1
10
-2
-8
10
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
外形图（毫米）
FUJI功率MOS FET
式（L）的
式（S）
FUJI功率MOS FET
式（ SJ ）
FUJI功率MOS FET
OUT VIEW
OUT VIEW
见注： 1 。
4
见注： 1 。
商标
图。 1 。
图。 1 。
见注： 1 。
商标
商标
LOT号
LOT号
型号名称
LOT号
型号名称
型号名称
焊前
图。 1 。
图。 1 。
连接
1
4 2
3
门
漏
来源
镀锡
焊前
笔记
1. （ ） ：参考尺寸。
2.金属部分覆盖有
焊料镀覆，切割的部分
是无焊料镀覆。
尺寸以毫米为单位。
连接
1
4
2
3
门
漏
来源
镀锡
连接
焊前
笔记
1
2
3
1门
2漏
3源
注： 1。保证标志
雪崩坚固性。
1. （ ） ：参考尺寸。
2.金属部分覆盖有
焊料镀覆，切割的部分
是无焊料镀覆。
尺寸以毫米为单位。
注： 1。保证标志
雪崩坚固性。
注：雪崩耐用1.保证标志。
尺寸以毫米为单位。
4
QQ：2880707522 复制
