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数据表
MOS场效应
2SK3510
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3510是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SK3510
2SK3510-S
2SK3510-ZJ
2SK3510-Z
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
记
特点
超低导通电阻：
R
DS （ ON）
= 8.5 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 42 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 8500 pF的典型。
内置栅极保护二极管
记
TO- 220SMD包仅产
在日本。
(TO-220AB)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
75
±20
±83
±332
125
1.5
150
-55到+150
69
450
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-262)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 35 V ，R
G
= 25
,
V
GS
= 20
→
0 V
（ TO- 263 ， TO- 220SMD ）
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D15687EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年5月NS CP （ K）
日本印刷
2001
2SK3510
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 60 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 83 A
I
F
= 83 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 83 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 42 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 42 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 38 V，I
D
= 42 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
2.0
30
3.0
60
6.5
8500
1300
650
35
28
105
16
150
30
52
1.0
80
240
8.5
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
4.0
单位
A
A
V
S
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表D15687EJ1V0DS
2SK3510
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
总功耗对比
外壳温度
150
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
100
P
T
- 总功耗 - W
0
25
50
75
100
125
150
175
125
80
100
60
75
40
50
20
25
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
1000
d
ITE ）
林10 V
)
on
=
S(
I
D（ DC）的
R
D
吨V
GS
a
(
DC
T
C
- 外壳温度 -
°C
I
D（脉冲）
PW
I
D
- 漏电流 - 一个
100
10
0
s
=1
0
s
1m
s
10
10
Po
m
s
廉我们
ITE 迪
SS
IPA
TIO
n
1
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
100
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
10
渠道环境
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
1
渠道情况
R
TH（ CH-C ）
= 1.0 ° C / W
0.1
单脉冲
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D15687EJ1V0DS
3
2SK3510
漏电流与
漏源极电压
400
P ulsed
350
100 0
正向传递特性
V
S
= 10 V
P ü lsed
100
I
D
- 漏电流 - 一个
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
V
的s
= 10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
300
10
1
T
A
= 150°C
75°C
25°C
55°C
0.1
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
4.0
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
V
DS
= 10 V
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
-50
0
50
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
P ü ls的E D
10
1
T
A
= 1 50 °C
7 5 °C
2 5 °C
5 5 °C
0 .1
0 .0 1
0 .0 1
0 .1
1
10
100
150
200
T
ch
- 通道温度 -
°C
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
100
1000
V
的s
= 10 V
P ULS E D
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
10
P ulse
8
I
D
= 42 A
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表D15687EJ1V0DS
2SK3510
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
1 4 .0
P ü ls的E D
100000
电容与
漏源极电压
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
为s
C
OSS
1 0 .0
8 .0
6 .0
4 .0
2 .0
0 .0
-1 0 0
-5 0
0
50
100
150
200
V
GS
= 10 V
I
D
= 4 2 A
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
1 2 .0
10000
1000
C
RS s
100
0 .1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 -
°C
开关特性
1000
80
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
动态输入/输出特性
16
V
DD
= 60 V
V
DD
= 38 V
V
DD
= 15 V
I
D
= 8 3 A
14
12
10
8
6
V
GS
20
10
0
0
50
100
150
200
V
DS
4
2
0
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
70
60
50
40
30
t
D（关闭）
100
t
D（上）
t
r
t
f
10
1
0.1
V
DD
= 38 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管
正向电压
1000
P ü ls的E D
100
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
1
反向恢复时间与漏极电流
100
10
0 .1
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
V
GS
= 0 V
D I / D T = 1 0 0 A /
s
10
0 .1
1
10
100
0 .0 1
0
0 .2 0 .4 0 .6 0 .8
1
1 .2 1 .4 1 .6 1 .8
2
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
数据表D15687EJ1V0DS
5
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