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数据表
MOS场效应
2SK3484
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3484是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SK3484
2SK3484-Z
的TO- 251 (MP -3)
TO- 252 ( MP- 3Z )
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 125 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 8 A)
R
DS(on)2
= 148 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 8 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 900 pF的典型。
内置栅极保护二极管
TO- 251 / TO- 252封装
(TO-251)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
100
±20
±16
±22
30
1.0
150
-55到+150
10
10
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-252)
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 50 V ,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
0 V
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
4.17
125
° C / W
° C / W
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证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D15069EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2004年8月NS CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2002
2SK3484
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
测试条件
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 8 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 8 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 50 V,I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
单位
A
A
V
S
1.5
4.7
2.0
9.5
100
110
900
110
50
9.0
5.0
30
4.0
2.5
漏极至源极导通电阻
125
148
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 80 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 16 A
I
F
= 16 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 16 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
20
3.0
5.0
1.0
60
122
脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
0 V
BV
DSS
V
DS
V
GS
0
τ
起始物为
ch
τ
= 1
s
占空比
1%
I
D
电波表
测试电路2开关时间
L
V
DD
PG 。
D.U.T.
R
L
V
GS
V
GS
电波表
50
R
G
0
10%
V
GS
90%
V
DD
I
D
90%
90%
I
AS
I
D
V
DD
I
D
0 10%
10%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
PG 。
2
数据表D15069EJ2V0DS
2SK3484
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
胸苷 - 百分比额定功率 - %
总功耗对比
外壳温度
50
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120 140 160
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 -
C
T
C
- 外壳温度 -
C
正向偏置安全工作区
100
I
D(脉冲)
10
s
I
D( DC)的
I
D
- 漏电流 - 一个
R
(a
DS (
吨V
上)
G
Li
S
MIT =
10版
V)
0
10
DC
10
s
国际空间站
rD
WE
蒲螨
Li
IPA
1
m
s
10
m
TIO
n
s
1
0.1
0.1
T
C
= 25C
单脉冲
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日(T )
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
R
第(章-a)的
= 125°C / W
10
R
TH( CH-C )
= 4.17C / W
1
0.1
单脉冲
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D15069EJ2V0DS
3
2SK3484
正向传递特性
100脉冲
V
DS
= 10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
漏电流与
漏源极电压
25
10
I
D
- 漏电流 - 一个
20
V
GS
=10 V
15
4.5 V
1
T
A
=
40C
25C
75C
150C
10
1
0.1
5
脉冲
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
0.01
1
2
3
4
5
0
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
200
脉冲
150
I
D
= 16 A
100
8A
50
100 V
DS
= 10 V
脉冲
10
T
A
= 150C
75C
25C
40C
1
0.1
0.01
0.01
0
0.1
1
10
100
5
10
15
20
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
250
脉冲
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
4
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
200
3
150
V
GS
= 4.5 V
100
10 V
2
1
50
0
0.1
1
10
100
0
50
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 -
C
4
数据表D15069EJ2V0DS
2SK3484
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
300
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
源极到漏极二极管
正向电压
100
脉冲
脉冲
I
D
= 8 A
10
V
GS
= 10 V
0V
200
V
GS
= 4.5 V
10 V
100
1
0.1
0
50
0
50
100
150
0.01
0
0.5
1
1.5
T
ch
- 通道温度 -
C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与
漏源极电压
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
开关特性
1000
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 50 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
t
f
1000
C
国际空间站
100
t
D(关闭)
t
D(上)
100
C
OSS
10
t
r
1
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
C
RSS
100
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
漏电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
动态输入/输出特性
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
80
100
V
DD
= 80 V
50 V
20 V
8
V
GS
6
60
40
4
10
20
V
DS
I
D
= 16 A
0
5
10
15
20
2
1
0.1
1
10
100
0
25
I
F
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
数据表D15069EJ2V0DS
V
GS
- 栅极到漏极电压 - V
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
10
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3484-Z
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
2SK3484-Z
NEC
22+
35620
TO-251
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SK3484-Z
RENESAS/瑞萨
2443+
23000
TO-252
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SK3484-Z
RENESAS/瑞萨
24+
9634
TO-252
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
2SK3484-Z
NEC
1922+
6852
TO252
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
2SK3484-Z
RENESAS/瑞萨
24+
21000
TO-252
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SK3484-Z
RENESAS/瑞萨
24+
32000
TO-252
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SK3484-Z
NEC
2418+
39482
MP-3ZTO-252
全新大量库存!样品可出!实单可谈!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SK3484-Z
NEC
21+
15360
TO-252
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SK3484-Z
RENESAS/瑞萨
21+
18500
TO-252
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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9836
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