数据表
MOS场效应
2SK3484
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3484是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SK3484
2SK3484-Z
包
的TO- 251 (MP -3)
TO- 252 ( MP- 3Z )
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 125 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 8 A)
R
DS(on)2
= 148 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 8 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 900 pF的典型。
内置栅极保护二极管
TO- 251 / TO- 252封装
(TO-251)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
100
±20
±16
±22
30
1.0
150
-55到+150
10
10
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-252)
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S,占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 50 V ,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
→
0 V
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
4.17
125
° C / W
° C / W
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一号文件D15069EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2004年8月NS CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2002